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公开(公告)号：CN101533885B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910127136.8
申请日：2009-03-13
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/025 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及GaN基半导体发光元件及其制造方法和驱动方法、发光元件组件、发光装置及图像显示装置。所述GaN基半导体发光元件，包括：(A)n型导电型的第一GaN基化合物半导体层；(B)活性层；(C)p型导电型的第二GaN基化合物半导体层；(D)第一电极，电连接至第一GaN基化合物半导体层；(E)第二电极，电连接至第二GaN基化合物半导体层；(F)杂质扩散阻挡层，由未掺杂的GaN基化合物半导体所构成，该杂质扩散阻挡层防止p型杂质扩散进活性层；以及(G)层压结构或p型导电型的第三GaN基化合物半导体层。杂质扩散阻挡层和层压结构或p型导电型的第三GaN基化合物半导体层以从活性层侧的顺序被配置在活性层与第二GaN基化合物半导体层之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101339970B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200810126483.4
申请日：2008-07-03
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L27/1446 , H01L27/156 , H01L31/0304 , H01L33/025 , H01L2224/0603
Abstract: 本发明提供了可以抑制在反向偏压时间期间内所生成的漏电流的GaN基半导体元件、使用其的光学装置以及使用光学装置的图像显示装置。该GaN基半导体元件具有：第一GaN基化合物层，包括n型导电层；第二GaN基化合物层，包括p型导电层；以及活性层，设置在所述第一GaN基化合物层和所述第二GaN基化合物层之间。在该GaN基半导体元件中，第一GaN基化合物层包括具有在3×1018/cm3～3×1019/cm3范围内的n型杂质浓度的底层，并且当施加5V的反向偏压时，作为流过活性层每单位面积的电流的密度的漏电流密度为2×10-5A/cm2以下。在本发明中，当施加反向偏压时，由于漏电流的抑制，防止了性能由于色度亮度干扰引起的劣化，抑制了功耗的增加，可以防止电路故障，使得可维持稳定且优化的操作性能。
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公开(公告)号：CN101562226B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200910134437.3
申请日：2009-04-13
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , G02F1/133603 , H01L33/02 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种GaN基半导体发光元件及其驱动方法、发光元件组件、发光设备和图像显示设备，该GaN基半导体发光元件包括：第一GaN基化合物半导体层；具有多量子阱结构的活性层；和第二GaN基化合物半导体层，其中，构成活性层的势垒层中的至少一个由变化成分势垒层构成，且变化成分势垒层的成分沿其厚度方向变化以使变化成分势垒层的一个区域(该区域与在设置在较靠近第二GaN基化合物半导体层的阱层和变化成分势垒层之间的边界相邻)中的带隙能量比变化成分势垒层的另一个区域(该区域与在设置在较靠近第一GaN基化合物半导体层的阱层和变化成分势垒层之间的边界相邻)中的带隙能量要低。
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公开(公告)号：CN101562226A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910134437.3
申请日：2009-04-13
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , G02F1/133603 , H01L33/02 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种GaN基半导体发光元件及其驱动方法、发光元件组件、发光设备和图像显示设备，该GaN基半导体发光元件包括：第一GaN基化合物半导体层；具有多量子阱结构的活性层；和第二GaN基化合物半导体层，其中，构成活性层的势垒层中的至少一个由变化成分势垒层构成，且变化成分势垒层的成分沿其厚度方向变化以使变化成分势垒层的一个区域(该区域与在设置在较靠近第二GaN基化合物半导体层的阱层和变化成分势垒层之间的边界相邻)中的带隙能量比变化成分势垒层的另一个区域(该区域与在设置在较靠近第一GaN基化合物半导体层的阱层和变化成分势垒层之间的边界相邻)中的带隙能量要低。
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公开(公告)号：CN101533885A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910127136.8
申请日：2009-03-13
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/025 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及GaN基半导体发光元件及其制造方法和驱动方法、发光元件组件、发光装置及图像显示装置。所述GaN基半导体发光元件，包括：(A)n型导电型的第一GaN基化合物半导体层；(B)活性层；(C)p型导电型的第二GaN基化合物半导体层；(D)第一电极，电连接至第一GaN基化合物半导体层；(E)第二电极，电连接至第二GaN基化合物半导体层；(F)杂质扩散阻挡层，由未掺杂的GaN基化合物半导体所构成，该杂质扩散阻挡层防止p型杂质扩散进活性层；以及(G)层压结构或p型导电型的第三GaN基化合物半导体层。杂质扩散阻挡层和层压结构或p型导电型的第三GaN基化合物半导体层以从活性层侧的顺序被配置在活性层与第二GaN基化合物半导体层之间。
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公开(公告)号：CN101339970A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810126483.4
申请日：2008-07-03
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , H01L27/1446 , H01L27/156 , H01L31/0304 , H01L33/025 , H01L2224/0603
Abstract: 本发明提供了可以抑制在反向偏压时间期间内所生成的漏电流的GaN基半导体元件、使用其的光学装置以及使用光学装置的图像显示装置。该GaN基半导体元件具有：第一GaN基化合物层，包括n型导电层；第二GaN基化合物层，包括p型导电层；以及活性层，设置在所述第一GaN基化合物层和所述第二GaN基化合物层之间。在该GaN基半导体元件中，第一GaN基化合物层包括具有在3×1018/cm3～3×1019/cm3范围内的n型杂质浓度的底层，并且当施加5V的反向偏压时，作为流过活性层每单位面积的电流的密度的漏电流密度为2×10－5A/cm2以下。在本发明中，当施加反向偏压时，由于漏电流的抑制，防止了性能由于色度亮度干扰引起的劣化，抑制了功耗的增加，可以防止电路故障，使得可维持稳定且优化的操作性能。
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