公开(公告)号：CN102570298A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110319081.8

申请日：2011-10-19

Applicant: 索尼公司 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 横山弘之 ,  河野俊介 ,  仓本大

IPC: H01S5/065 ,  H01S5/14 ,  H01S5/068

CPC classification number: H01S5/0657 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0064 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/0078 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06251 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/141 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/309 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/50 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明公开了激光二极管组件和半导体光学放大器组件。该激光二极管组件包括：锁模激光二极管器件，其中光输出谱通过自相位调制示出长波位移，外部谐振器和波长选择元件。由该波长选择元件提取从该锁模激光二极管器件穿过该外部谐振器发射的脉冲激光束的长波分量，并输出至外部。

公开(公告)号：CN102197551A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980142943.5

申请日：2009-08-18

Applicant: 3M创新有限公司

Inventor： 迈克尔·A·哈斯 ,  托马斯·J·米勒 ,  孙晓光

IPC: H01S5/04 ,  H01S5/183 ,  H01S5/347

CPC classification number: H01S5/041 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0215 ,  H01S5/0217 ,  H01S5/024 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/14 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/309 ,  H01S5/347 ,  H01S5/423 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明公开了光源。本发明所公开的光源包括III-V基泵浦光源(170)，所述III-V基泵浦光源含有氮，并且发射第一波长的光。所述光源还包括垂直腔面发射激光器(VCSEL)，所述垂直腔面发射激光器将由所述泵浦光源(170)发射的所述第一波长的光(174)的至少一部分转换成至少部分相干的第二波长的光(176)。所述VCSEL包括第一反射镜(120)和第二反射镜(160)，所述第一反射镜和所述第二反射镜形成用于所述第二波长的光的光学腔体。所述第一反射镜(120)在所述第二波长下主要为反射性的，并且包括第一多层叠堆。所述第二反射镜(160)在所述第一波长下为显著透射性的，并且在所述第二波长下为部分反射性和部分透射性的。所述第二反射镜包括第二多层叠堆。所述VCSEL还包括半导体多层叠堆(130)，所述半导体多层叠堆设置在所述第一反射镜和所述第二反射镜之间，并且将所述第一波长的光的至少一部分转换成所述第二波长的光。所述半导体多层叠堆(130)包括量子阱，所述量子阱含有Cd(Mg)ZnSe合金。

公开(公告)号：CN1333501C

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200410090149.X

申请日：2004-10-29

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 仓本大

IPC: H01S5/30 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/309 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

Abstract: 提供一种能提高制造效率和器件可靠性的半导体器件，及其制造方法。本发明提供了一种半导体器件，其包含晶体衬底，以及层叠在所述晶体衬底上的半导体层；其中所述半导体器件的至少一侧面包括包含所述晶体衬底的晶面的第一表面(100)和包含所述晶体衬底的非晶面的表面的第二表面(13)。

公开(公告)号：CN102570298B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201110319081.8

申请日：2011-10-19

Applicant: 索尼公司 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 横山弘之 ,  河野俊介 ,  仓本大

IPC: H01S5/065 ,  H01S5/14 ,  H01S5/068

CPC classification number: H01S5/0657 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0064 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/0078 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06251 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1014 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/141 ,  H01S5/16 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/309 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3216 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/50 ,  H01S2301/176

Abstract: 本发明公开了激光二极管组件和半导体光学放大器组件。该激光二极管组件包括：锁模激光二极管器件，其中光输出谱通过自相位调制示出长波位移，外部谐振器和波长选择元件。由该波长选择元件提取从该锁模激光二极管器件穿过该外部谐振器发射的脉冲激光束的长波分量，并输出至外部。

公开(公告)号：CN105305230A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510450855.9

申请日：2015-07-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 境野刚

IPC: H01S5/227 ,  H01S5/02 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/06226 ,  H01S5/12 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2226 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/309

Abstract: 得到一种能够兼顾高速动作和高输出化的光半导体装置。台面条带构造(2)具有依次层叠的n型InP包覆层(3)、活性层(4)、以及p型InP包覆层(5)。埋入层(7)埋入在台面条带构造(2)的两侧。活性层(4)是具有阱层和添加有碳的势垒层的多量子阱构造。埋入层(7)具有依次层叠的p型InP层(10)和Fe掺杂InP层(11)。n型InP包覆层(3)的侧面由p型InP层(10)覆盖，与Fe掺杂InP层(11)不相接。活性层(4)的侧面与p型InP层(10)不相接。

公开(公告)号：CN1225067C

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN03101735.5

申请日：2003-01-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 高濑祯

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/305 ,  H01S5/12 ,  H01S5/125 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/309

Abstract: 一种半导体激光器，该激光器在p-包层与n-包层之间设置活性层，该活性层具有包含多个势垒层和阱层的多重量子阱，且至少在一个势垒层上进行了p型调制掺杂。具体地说，提供一种靠近p-包层的势垒层的p型调制掺杂量少于靠近n-包层的势垒层的p型调制掺杂量的半导体激光器。借以抑制不发光再结合，提高差分增益和高速应答性。同时因离p-包层远的势垒层中空穴密度变高，所以还可改善载流子的不均性。

公开(公告)号：CN1006835B

公开(公告)日：1990-02-14

申请号：CN86105580

申请日：1986-07-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 茅根直树 ,  鱼见和久 ,  福泽董 ,  松枝秀明 ,  梶村俊

IPC: H01S3/18

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/309 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3407

Abstract: 在一个众所周知的半导体激光器内，由各自厚度均小于电子的德布罗意波长的阻挡层和激活层或势井层所组成的一种多量子井型激活层被掺入一种杂质，而且在阻挡层内所形成的杂质密度高于势井层中的密度。在多量子井激活层被包围在P-型年和n-型敷层之间的情况下，势井层不进行掺杂，位于与势井层相接触的阻挡层部分也不进行掺杂，使接近P-型敷层的其余阻挡层部分成为n-型电导率，同时，使靠近n-型敷层的阻挡层部分成为P-型电导率。

公开(公告)号：CN86105580A

公开(公告)日：1987-01-21

申请号：CN86105580

申请日：1986-07-25

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 茅根直树 ,  鱼见和久 ,  福泽董 ,  松枝秀明 ,  梶村俊

IPC: H01S3/18

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/309 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3407

Abstract: 在一个众所周知的半导体激光器内，由各自厚度均小于电子的德布罗意波长的阻挡层和激活层或势井层所组成的一种多量子井型激活层被掺入一种杂质，而且在阻挡层内所形成的杂质密度高于势井层中的密度。在多量子井激活层被包围在P-型和n-型敷层之间的情况下，势井层不进行掺杂，位于与势井层相接触的阻挡层部分也不进行掺杂，使接近P-型敷层的其余阻挡层部分成为n-型电导率，同时，使靠近n-型敷层的阻挡层部分成为P-型电导率。

公开(公告)号：CN107394584A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710348142.0

申请日：2017-05-17

Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司

Inventor： 克里斯托夫·艾希勒 ,  特雷莎·武尔姆

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/3407 ,  H01S5/309 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/34346

Abstract: 描述一种激光二极管芯片(10)，所述激光二极管芯片具有n型半导体区域(3)、p型半导体区域(5)和设置在n型半导体区域(3)和p型半导体区域(5)之间的有源层(4)，所述有源层构成为单量子阱结构。单量子阱结构具有量子阱层(43)，所述量子阱层设置在第一势垒层(41)和第二势垒层(42)之间，其中第一势垒层(41)朝向n型半导体区域(3)，并且第二势垒层(42)朝向p型半导体区域(5)。量子阱层(43)的电子带隙EQW小于第一势垒层(41)的电子带隙EB1并且小于第二势垒层(42)的电子带隙EB2，并且第一势垒层(41)的电子带隙EB1大于第二势垒层(42)的电子带隙EB2。

公开(公告)号：CN105378930A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480034881.7

申请日：2014-06-11

Applicant: 欧培拉太阳能公司 ,  康涅狄格大学

Inventor： G.W.泰勒

IPC: H01L29/15

CPC classification number: H01L29/0688 ,  B82Y10/00 ,  G02B6/125 ,  H01L21/0259 ,  H01L27/144 ,  H01L27/15 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/122 ,  H01L29/127 ,  H01L29/155 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7786 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/18 ,  H01L33/005 ,  H01L33/06 ,  H01S5/026 ,  H01S5/06203 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/309 ,  H01S5/34 ,  H01S5/3412

Abstract: 半导体器件包括：衬底，支承包括与量子阱中的量子点（QD-in-QW）结构偏移的至少一个调制掺杂的量子阱（QW）结构的多个层。所述调制掺杂的QW结构包括被通过间隔壁层与至少一个QW间隔开的电荷片层。所述QD-in-QW结构具有嵌入在一个或多个QW中的QD。所述QD-in-QW结构可以包括至少一个被通过势垒层分离开的模板/发射子结构配对，所述模板子结构与所述发射子结构相比具有更小的大小的QD。