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公开(公告)号：CN1269230C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN01814308.3
申请日：2001-07-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/24 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/02409 , H01L21/02411 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02642 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139
Abstract: 提供一种细微芯片结构的半导体发光器件，该结构具有良好的晶体特性和控制的衬底螺纹位错，能够不增加步骤地制备这种结构。半导体发光器件包括衬底和形成其上的晶体层，所述晶体层具有与衬底主平面倾斜的晶面(例如S面)，还包括第一导电类型层、有源层、以及平行于所述晶体层上所述晶面的第二导电类型层。半导体发光器件可选的具有平行于倾斜晶面的反射面。具有与衬底主平面平行的晶体层具有良好的晶体特性。此外，由于倾斜，晶体层防止了衬底螺纹位错，并有助于器件小型化和器件隔离。
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公开(公告)号：CN1447958A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN01814309.1
申请日：2001-07-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G09F9/33 , G09F9/00 , G09F9/30 , G02F1/1362 , H01L27/04 , H01L27/12 , H01L27/15 , H01L29/78 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/24 , G02F2001/13613 , H01L21/2007 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L25/0753 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/156 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L2221/6835 , H01L2221/68354 , H01L2221/68359 , H01L2221/68368 , H01L2224/04105 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/16245 , H01L2224/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73267 , H01L2224/81001 , H01L2224/81136 , H01L2224/92244 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01087 , H01L2924/014 , H01L2924/10329 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , H01L2924/3512 , Y10S438/982 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明给出一种图像显示装置，它能提高诸如分辨率、图像质量和发光效率这样的特性，便于大尺寸屏幕的形成，并降低制造成本；还给出了制造图像显示装置的方法。图像显示装置包括许多用以响应特定图像信号而显示图像的发光器件的列阵，该图像显示装置的特征在于每个发光器件的占据面积处在一个大于等于25μm2小于等于10000μm2的范围内，发光器件装配在布线板上。在器件的装配中，例如，执行两步放大转移。两步放大转移过程包括：第一转移步骤，将排列在第一衬底上的器件转移到临时支持部件上，器件之间的间距大于器件排列在第一衬底上时的间距，器件支持在临时支持部件上；第二转移步骤，将支持在临时支持部件上的器件转移到第二底板上，器件之间的间距大于器件支持在临时支持部件上时的间距。进一步，以这样的方式将发光器件装配到布线板上：发光器件的通过晶体生长而形成的晶体生长层的姿态与晶体生长时该晶体生长层的姿态在沿底板主平面法线的方向上相倒转。
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公开(公告)号：CN101582385A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910136471.4
申请日：2009-05-11
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L25/075 , H01L33/00 , G09F9/33
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L2221/68363 , H01L2224/16 , H01L2224/24051 , H01L2224/24226 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01056 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管显示器和发光二极管显示器的制造方法。发光二极管显示器的制造方法包括以下步骤：将第一、第二以及第三发光二极管预固定在发光单元制造基板上，以制造均包括第一、第二以及第三发光二极管的发光单元，将第一、第二以及第三发光二极管的第一电极连接至子公共电极；以及将发光单元从发光单元制造基板转移并且固定至显示基板，以制造包括以第一方向和与第一方向垂直的第二方向配置的，即以二维矩阵形式配置的发光单元的发光二极管显示器。
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公开(公告)号：CN101582385B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910136471.4
申请日：2009-05-11
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L25/075 , H01L33/00 , G09F9/33
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L2221/68363 , H01L2224/16 , H01L2224/24051 , H01L2224/24226 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01056 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10329 , H01L2924/12041 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管显示器和发光二极管显示器的制造方法。发光二极管显示器的制造方法包括以下步骤：将第一、第二以及第三发光二极管预固定在发光单元制造基板上，以制造均包括第一、第二以及第三发光二极管的发光单元，将第一、第二以及第三发光二极管的第一电极连接至子公共电极；以及将发光单元从发光单元制造基板转移并且固定至显示基板，以制造包括以第一方向和与第一方向垂直的第二方向配置的，即以二维矩阵形式配置的发光单元的发光二极管显示器。
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公开(公告)号：CN1447990A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN01814308.3
申请日：2001-07-18
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/24 , H01L21/02381 , H01L21/02395 , H01L21/02409 , H01L21/02411 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02642 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139
Abstract: 提供一种细微芯片结构的半导体发光器件，该结构具有良好的晶体特性和控制的衬底螺纹位错，能够不增加步骤地制备这种结构。半导体发光器件包括衬底和形成其上的晶体层，所述晶体层具有与衬底主平面倾斜的晶面(例如S面)，还包括第一导电类型层、有源层、以及平行于所述晶体层上所述晶面的第二导电类型层。半导体发光器件可选的具有平行于倾斜晶面的反射面。具有与衬底主平面平行的晶体层具有良好的晶体特性。此外，由于倾斜，晶体层防止了衬底螺纹位错，并有助于器件小型化和器件隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1144745A
公开(公告)日：1997-03-12
申请号：CN95102694.1
申请日：1995-03-11
Applicant: 索尼株式会社
IPC: B41M5/26
CPC classification number: B41J2/05 , B41J2/14104 , B41J2/2103 , C23C14/243 , C23C14/28
Abstract: 本发明涉及印刷头、印刷机和记录方法，其中染料记录材料22Y、22M和22C由激光束L或类似束照射，以使之蒸发并转印到诸如成像纸之类的记录媒介上，由加热束发射装置例如激光器18产生的加热束的路径如此改变使加热束选择性地加热多种记录材料中的一种。通过对多种记录材料使用相同热束发射装置，包括热束发射装置在内的印刷头的结构可以简化，其装配更容易。另外，由于可采用共用的(尤其是一个)热束发射装置，其制造是容易的，而且热束发射装置中的电极布线可简单地实现。
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公开(公告)号：CN100442550C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200480000358.9
申请日：2004-02-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/20 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2224/48137
Abstract: 在蓝宝石衬底上生长n型GaN层，并且在其上形成例如SiN膜作为生长掩模。在生长掩模的开口部分下的n型GaN层上选择性生长六棱椎尖顶形的n型GaN层，此尖顶形n型GaN层由多个晶面组成，它们以不同的倾角相对于蓝宝石衬底的主面倾斜，从而整体来看形成一个凸起。在此n型GaN层上顺序形成一个有源层和p型GaN层，由此形成一个发光元件结构。然后，形成p侧电极和n侧电极。
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公开(公告)号：CN1698077A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000192.0
申请日：2004-01-28
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/0753 , H01L2221/68368 , H01L2224/24226 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01052 , H01L2924/01075 , H01L2924/01076 , H01L2924/01079 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种元件转移方法和一种显示装置，其能够通过在元件转移后可轻易地将该衬底揭起，将排列在衬底上的元件转移到另一个衬底，因此降低损伤该衬底的几率并且在元件转移后又能将元件转移到同一衬底之上。在该转移衬底上形成的粘结层中埋入并保持排列在临时支撑衬底上的多个元件，并将各元件从临时支撑衬底上剥离。在硬化该粘结层之前，附加地埋入另外的元件，以可以在大面积的该转移衬底上排列各元件。而且，当在该粘结层中附加埋入的元件具有与预先埋入的元件具有不同的特性时，能够容易地获得彩色显示器的显示装置和有驱动电路等的显示装置。
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公开(公告)号：CN1628391A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN03801828.4
申请日：2003-09-08
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/007 , H01L33/24
Abstract: 在蓝宝石衬底上形成n型GaN层和在其上形成六角刻蚀掩膜。通过RIE方法，利用刻蚀掩膜将n型GaN层刻蚀一定深度，形成上表面是C面的六棱柱部分。在刻蚀掩膜被除去之后，以这种方式在衬底的整个表面上依次长出活性层和p型GaN层，以便覆盖六棱柱部分，从而形成发光器件结构。此后，在六棱柱部分上的p型GaN层上形成p侧电极和在n型GaN层上形成n侧电极。
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公开(公告)号：CN101490828B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200780026313.2
申请日：2007-06-25
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: G09F9/33 , H01L24/32 , H01L33/52 , H01L2224/26175 , H01L2224/27013 , H01L2224/83051 , H01L2224/83143 , H01L2224/83385 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01055 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10349 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15156 , H01L2924/15788 , H05K3/305 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种安装方法，当在基板上安装诸如元件的物体，或者更具体地安装微小物体时，可以通过以下步骤以高位置精度容易且可靠地完成安装：在基板(11)上形成由其粘度可被控制的材料制成的元件保持层(12)；将元件保持层(12)中包括用于元件的安装区域的第一部分(12a)的粘度控制为使元件可自然移动的粘度，并将元件保持层(12)中第一部分(12a)外侧的第二部分(12b)的粘度控制为使元件不可自然移动的粘度；以及在将一个元件(13)安装在第一部分(12a)中之后，将第一部分(12a)的粘度控制为使元件(13)不可自然移动的粘度。
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