公开(公告)号：CN114365291A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202080063752.6

申请日：2020-08-13

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 水口彻也 ,  荒谷胜久

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 本公开的实施例的存储设备包括：第一电极；第二电极；存储层，在第一电极和第二电极之间提供并且至少包括铜、铝、锆和碲；以及阻挡层，在存储层和第二电极之间提供并且包括浓度至少高于存储层的锆，该阻挡层在与第二电极的界面处具有低于存储层的铜浓度。

公开(公告)号：CN110494972A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201880021327.3

申请日：2018-03-15

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 野野口诚二 ,  荒谷胜久 ,  大场和博

IPC: H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11514 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

Abstract: 按照本公开的一个实施例的存储设备包括：沿一个方向延伸的多个第一配线层，沿另一个方向延伸的多个第二配线层，和多个存储器单元，所述多个存储器单元设置在其中所述多个第一配线层和所述多个第二配线层彼此相对的相应对向区域中。所述多个存储器单元各自包括选择元件层、存储元件层、和设置在所述选择元件层与所述存储元件层之间的中间电极层。所述选择元件层、存储元件层和中间电极层中的一个或多个是在所述多个存储器单元之间共有的公共层，其中所述多个存储器单元彼此相邻并沿所述一个方向或另一个方向延伸。所述中间电极层包括非线性电阻材料。

公开(公告)号：CN104871313B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201380066069.8

申请日：2013-11-21

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 野野口诚二 ,  曾根威之 ,  五十岚実 ,  成沢浩亮 ,  荒谷胜久

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L45/122 ,  G11C5/02 ,  G11C5/025 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L27/249 ,  H01L45/00 ,  H01L45/04 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了一种存储装置，其设置有多个存储元件(40)，各个所述存储元件具有电极(10)和存储层(41)，所述存储层包括多个层(20、30)。所述多个层中的一个层(20)沿第一方向(A1)延伸，且被沿所述第一方向布置着的所述多个存储元件共用。所述电极沿不同于所述第一方向的第二方向(A2)延伸，且被沿所述第二方向布置着的所述多个存储元件共用。

公开(公告)号：CN118235537A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202280073692.5

申请日：2022-09-27

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 水口徹也 ,  荒谷胜久 ,  大场和博 ,  中山徹生 ,  清宏彰

IPC: H10B63/10 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00 ,  H10N70/00

Abstract: 这个存储元件设置有：第一电极；电阻变化层，形成在第一电极上且至少包括碲、锑、锗，电阻变化层的电阻值变化；第一边界层，形成在第一电极与电阻变化层之间；以及第一热屏蔽层，形成在第一电极和第一边界层之间，第一热屏蔽层是导电的并且包括硼，并且屏蔽来自电阻变化层的热传递。