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公开(公告)号：CN111630656B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201880086971.9
申请日：2018-12-06
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 根据本公开的实施例的存储元件设置有：第一电极；布置成与第一电极对置的第二电极；和存储层，设置在第一电极和第二电极之间，并且包括选自碲(Te)、硒(Se)和硫(S)中的至少一种硫族元素、过渡金属以及氧。存储层具有非线性的电阻特性以及整流特性，以使得当施加电压大于或等于预定阈值电压时获得低电阻状态，并且当施加电压是小于预定阈值电压的电压时获得高电阻状态。
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公开(公告)号：CN109716507A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780058101.6
申请日：2017-09-12
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 根据本公开的一个实施例的开关元件设置有第一电极、被排列为面向第一电极的第二电极以及布置在第一电极和第二电极之间的开关层。开关层包括选自碲(Te)、硒(Se)和硫(S)中的至少一种硫族元素以及选自磷(P)和砷(As)中的至少一种第一元素，同时另外地包括选自硼(B)和碳(C)中的至少一种第二元素和/或选自铝(Al)、镓(Ga)和铟(In)中的至少一种第三元素。
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公开(公告)号：CN104871313B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201380066069.8
申请日：2013-11-21
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/122 , G11C5/02 , G11C5/025 , G11C13/0002 , G11C2213/52 , G11C2213/71 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L27/249 , H01L45/00 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1226 , H01L45/1266 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供了一种存储装置，其设置有多个存储元件(40)，各个所述存储元件具有电极(10)和存储层(41)，所述存储层包括多个层(20、30)。所述多个层中的一个层(20)沿第一方向(A1)延伸，且被沿所述第一方向布置着的所述多个存储元件共用。所述电极沿不同于所述第一方向的第二方向(A2)延伸，且被沿所述第二方向布置着的所述多个存储元件共用。
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公开(公告)号：CN107431069B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201680017522.X
申请日：2016-03-16
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 根据本技术的一个实施例的开关器件包括第一电极、布置成面对第一电极的第二电极以及被布置在第一电极与第二电极之间的开关层。开关层被配置成包含硫族元素。对于开关层，第一区域靠近第一电极，第二区域比第一区域更靠近第二电极，这两个区域的硫族元素的组成比或硫族元素的类型彼此不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111630656A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201880086971.9
申请日：2018-12-06
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 根据本公开的实施例的存储元件设置有：第一电极；布置成与第一电极对置的第二电极；和存储层，设置在第一电极和第二电极之间，并且包括选自碲(Te)、硒(Se)和硫(S)中的至少一种硫族元素、过渡金属以及氧。存储层具有非线性的电阻特性以及整流特性，以使得当施加电压大于或等于预定阈值电压时获得低电阻状态，并且当施加电压是小于预定阈值电压的电压时获得高电阻状态。
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公开(公告)号：CN103514948B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201310231154.7
申请日：2013-06-09
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明期望提供能够减小多个器件之间的电导值偏差的一种存储器件及包括所述存储器件的存储设备，所述存储器件包括：第一电极；存储层，包括离子源层；以及第二电极。所述第一电极、所述存储层及所述第二电极依次设置。所述离子源层包含可移动元素，并具有约150mΩ·cm～约12000mΩ·cm（包括端值）的体积电阻率。
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公开(公告)号：CN110546755A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880027401.2
申请日：2018-04-06
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 提供了根据本公开的一个实施例的选择器件，该选择器件具有：第一电极；与第一电极对置的第二电极；半导体层，设置在第一电极和第二电极之间，并且包括从碲(Te)、硒(Se)和硫(S)中选择的至少一种硫族元素，以及包括从硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、磷(P)、砷(As)、碳(C)、锗(Ge)和硅(Si)中选择的至少一种第一元素；以及第一热旁路层，其具有比半导体层高的热导率，并且设置在第一电极和第二电极之间、在半导体层的外围的至少一部分中。
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公开(公告)号：CN103367635B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201310093311.2
申请日：2013-03-22
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
CPC classification number: H01L45/08 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种存储元件和存储装置，该存储元件包括：第一电极；存储层，包括离子源层；以及第二电极。第一电极、存储层和第二电极以该顺序提供。离子源层至少包括硫族元素、氧和一种或多种过渡金属元素，该过渡金属元素选自由元素周期表的第4、5和6族元素构成的组。
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公开(公告)号：CN107431069A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680017522.X
申请日：2016-03-16
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/2427 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L49/00
Abstract: 根据本技术的一个实施例的开关器件包括第一电极、布置成面对第一电极的第二电极以及被布置在第一电极与第二电极之间的开关层。开关层被配置成包含硫族元素。对于开关层，第一区域靠近第一电极，第二区域比第一区域更靠近第二电极，这两个区域的硫族元素的组成比或硫族元素的类型彼此不同。
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