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公开(公告)号：CN109716507A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780058101.6
申请日：2017-09-12
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 根据本公开的一个实施例的开关元件设置有第一电极、被排列为面向第一电极的第二电极以及布置在第一电极和第二电极之间的开关层。开关层包括选自碲(Te)、硒(Se)和硫(S)中的至少一种硫族元素以及选自磷(P)和砷(As)中的至少一种第一元素，同时另外地包括选自硼(B)和碳(C)中的至少一种第二元素和/或选自铝(Al)、镓(Ga)和铟(In)中的至少一种第三元素。
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公开(公告)号：CN104813469B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201380060841.5
申请日：2013-11-06
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/085 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0009 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/31 , G11C2213/35 , G11C2213/56 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/145 , H01L45/147
Abstract: 本发明提供了一种能够实现低电流写入时中间电阻保持性能提高的存储元件和存储装置。本发明还提供了一种能够实现随机电报噪声降低的存储元件和存储装置。根据本技术的一个实施方案是按顺序包括第一电极、存储层和第二电极的存储元件，所述存储层设置有：离子源层，所述离子源层含有选自碲(Te)、硫(S)和硒(Se)中的至少一种硫族元素以及选自元素周期表的第4、5和6族的过渡金属元素中的至少一种过渡金属元素；和电阻变化层，所述电阻变化层含有硼(B)和氧(O)。根据本技术的另一个实施方案是按顺序包括第一电极、存储层和第二电极的存储元件，所述存储层设置有：上述的离子源层；和电阻变化层，所述电阻变化层含有选自元素周期表的第4、5和6族的过渡金属元素中的至少一种过渡金属元素和氧(O)。
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公开(公告)号：CN111630656B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN201880086971.9
申请日：2018-12-06
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 根据本公开的实施例的存储元件设置有：第一电极；布置成与第一电极对置的第二电极；和存储层，设置在第一电极和第二电极之间，并且包括选自碲(Te)、硒(Se)和硫(S)中的至少一种硫族元素、过渡金属以及氧。存储层具有非线性的电阻特性以及整流特性，以使得当施加电压大于或等于预定阈值电压时获得低电阻状态，并且当施加电压是小于预定阈值电压的电压时获得高电阻状态。
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公开(公告)号：CN107431070A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680017534.2
申请日：2016-03-16
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/2481 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/15 , G11C2213/51 , G11C2213/71 , G11C2213/76 , H01L27/105 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: 根据本技术的一个实施例的开关器件包括：第一电极、面对第一电极的第二电极以及在第一电极和第二电极之间布置的开关层。开关层被配置成包含硫族元素。开关器件还包括与开关层的表面的至少一部分接触并且抑制氧向开关层中扩散的扩散抑制层。
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公开(公告)号：CN118235537A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280073692.5
申请日：2022-09-27
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
Abstract: 这个存储元件设置有：第一电极；电阻变化层，形成在第一电极上且至少包括碲、锑、锗，电阻变化层的电阻值变化；第一边界层，形成在第一电极与电阻变化层之间；以及第一热屏蔽层，形成在第一电极和第一边界层之间，第一热屏蔽层是导电的并且包括硼，并且屏蔽来自电阻变化层的热传递。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110546755A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880027401.2
申请日：2018-04-06
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 提供了根据本公开的一个实施例的选择器件，该选择器件具有：第一电极；与第一电极对置的第二电极；半导体层，设置在第一电极和第二电极之间，并且包括从碲(Te)、硒(Se)和硫(S)中选择的至少一种硫族元素，以及包括从硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、磷(P)、砷(As)、碳(C)、锗(Ge)和硅(Si)中选择的至少一种第一元素；以及第一热旁路层，其具有比半导体层高的热导率，并且设置在第一电极和第二电极之间、在半导体层的外围的至少一部分中。
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公开(公告)号：CN103367635B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201310093311.2
申请日：2013-03-22
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
CPC classification number: H01L45/08 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种存储元件和存储装置，该存储元件包括：第一电极；存储层，包括离子源层；以及第二电极。第一电极、存储层和第二电极以该顺序提供。离子源层至少包括硫族元素、氧和一种或多种过渡金属元素，该过渡金属元素选自由元素周期表的第4、5和6族元素构成的组。
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公开(公告)号：CN107431069A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680017522.X
申请日：2016-03-16
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/2427 , H01L27/105 , H01L45/00 , H01L45/065 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L49/00
Abstract: 根据本技术的一个实施例的开关器件包括第一电极、布置成面对第一电极的第二电极以及被布置在第一电极与第二电极之间的开关层。开关层被配置成包含硫族元素。对于开关层，第一区域靠近第一电极，第二区域比第一区域更靠近第二电极，这两个区域的硫族元素的组成比或硫族元素的类型彼此不同。
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公开(公告)号：CN107431070B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201680017534.2
申请日：2016-03-16
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 根据本技术的一个实施例的开关器件包括：第一电极、面对第一电极的第二电极以及在第一电极和第二电极之间布置的开关层。开关层被配置成包含硫族元素。开关器件还包括与开关层的表面的至少一部分接触并且抑制氧向开关层中扩散的扩散抑制层。
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公开(公告)号：CN107431069B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201680017522.X
申请日：2016-03-16
Applicant: 索尼半导体解决方案公司
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 根据本技术的一个实施例的开关器件包括第一电极、布置成面对第一电极的第二电极以及被布置在第一电极与第二电极之间的开关层。开关层被配置成包含硫族元素。对于开关层，第一区域靠近第一电极，第二区域比第一区域更靠近第二电极，这两个区域的硫族元素的组成比或硫族元素的类型彼此不同。
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