公开(公告)号：CN104871313B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201380066069.8

申请日：2013-11-21

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 野野口诚二 ,  曾根威之 ,  五十岚実 ,  成沢浩亮 ,  荒谷胜久

IPC: H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L45/122 ,  G11C5/02 ,  G11C5/025 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L27/249 ,  H01L45/00 ,  H01L45/04 ,  H01L45/08 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了一种存储装置，其设置有多个存储元件(40)，各个所述存储元件具有电极(10)和存储层(41)，所述存储层包括多个层(20、30)。所述多个层中的一个层(20)沿第一方向(A1)延伸，且被沿所述第一方向布置着的所述多个存储元件共用。所述电极沿不同于所述第一方向的第二方向(A2)延伸，且被沿所述第二方向布置着的所述多个存储元件共用。

公开(公告)号：CN103514948B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201310231154.7

申请日：2013-06-09

Applicant: 索尼半导体解决方案公司

Inventor： 清宏彰 ,  大场和博 ,  曾根威之 ,  五十岚実

IPC: G11C13/00

Abstract: 本发明期望提供能够减小多个器件之间的电导值偏差的一种存储器件及包括所述存储器件的存储设备，所述存储器件包括：第一电极；存储层，包括离子源层；以及第二电极。所述第一电极、所述存储层及所述第二电极依次设置。所述离子源层包含可移动元素，并具有约150mΩ·cm～约12000mΩ·cm（包括端值）的体积电阻率。