公开(公告)号：CN105590916A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510450190.1

申请日：2015-07-28

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 刘建宏 ,  温英男 ,  李士仪 ,  姚皓然

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06182 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/432 ,  H01L2224/4502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含晶片、激光阻档件、绝缘层、重布线层、阻隔层与导电结构。晶片具有焊垫、及相对的第一表面与第二表面。焊垫位于第一表面上。第二表面具有第一穿孔，使焊垫从第一穿孔裸露。激光阻档件位于焊垫上。绝缘层位于第二表面上与第一穿孔中。绝缘层具有相对第二表面的第三表面。绝缘层与焊垫共同具有第二穿孔，使激光阻档件从第二穿孔裸露。重布线层位于第三表面上、第二穿孔的壁面上与第二穿孔中的激光阻档件上。阻隔层位于第三表面上与重布线层上。导电结构位于重布线层上，使导电结构电性连接焊垫。本发明不仅能节省制程的时间与机台的成本，还可提升晶片封装体侦测时的准确度。

公开(公告)号：CN102623439B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201210019307.7

申请日：2012-01-20

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 姚皓然 ,  刘建宏 ,  温英男 ,  李士仪 ,  杨惟中 ,  楼百尧 ,  李宏仁

IPC: H01L23/64

CPC classification number: H01L23/642 ,  H01L23/48 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1901 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明公开一种电容耦合器封装结构，其包括：一基材，其上具有至少一电容器及一接收器，此电容器至少包含一第一电极层及一第二电极层，以及一电容介电层设置于其间，其中此第一电极层以一焊球与此接收器电连接；以及一传送器，与此第二电极层电连接。

公开(公告)号：CN105742254B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201511016598.4

申请日：2015-12-29

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 温英男 ,  刘建宏 ,  李士仪 ,  姚皓然

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/56

Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含：一晶片，该晶片具有一导电垫、以及相对的一第一表面与一第二表面，其中导电垫位于第一表面上；一第一穿孔，自第二表面朝第一表面延伸，并暴露出导电垫；一激光阻挡结构，位于第一穿孔中的导电垫上，且激光阻挡结构的一上表面位于第二表面上；一第一绝缘层，位于第二表面与激光阻挡结构上，并具有相对于第二表面的一第三表面；一第二穿孔，自第三表面朝第二表面延伸，并暴露激光阻挡结构；以及一导电层，位于第三表面上与第二穿孔中，并接触激光阻挡结构。本发明不仅可省略化学气相沉积绝缘层与图案化绝缘层的制程，还能缩小穿孔的孔径，且可提升晶片封装体侦测时的准确度。

公开(公告)号：CN106098711A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610268560.4

申请日：2016-04-27

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 李士仪 ,  温英男 ,  刘建宏 ,  姚皓然

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/145 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/18 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14683

Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法。晶片封装体包含：一晶片，具有一导电垫、以及相对的一第一表面与一第二表面，其中导电垫位于第一表面下；一激光阻挡层，位于第一表面上并覆盖该导电垫；一第一穿孔，自第二表面朝第一表面延伸，并暴露激光阻挡层；一绝缘层，位于第二表面下与第一穿孔中，且绝缘层具有相对于第二表面的一第三表面；一第二穿孔，自第三表面朝第一表面延伸，并通过第一穿孔以暴露激光阻挡层；以及一导电层，位于第三表面下并延伸至第二穿孔中接触激光阻挡层。本发明不仅能够节省制程的时间与机台的成本，还可提升晶片封装体侦测时的准确度。

公开(公告)号：CN105742254A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201511016598.4

申请日：2015-12-29

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 温英男 ,  刘建宏 ,  李士仪 ,  姚皓然

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/02 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L27/14678 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488

Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含：一晶片，该晶片具有一导电垫、以及相对的一第一表面与一第二表面，其中导电垫位于第一表面上；一第一穿孔，自第二表面朝第一表面延伸，并暴露出导电垫；一激光阻挡结构，位于第一穿孔中的导电垫上，且激光阻挡结构的一上表面位于第二表面上；一第一绝缘层，位于第二表面与激光阻挡结构上，并具有相对于第二表面的一第三表面；一第二穿孔，自第三表面朝第二表面延伸，并暴露激光阻挡结构；以及一导电层，位于第三表面上与第二穿孔中，并接触激光阻挡结构。本发明不仅可省略化学气相沉积绝缘层与图案化绝缘层的制程，还能缩小穿孔的孔径，且可提升晶片封装体侦测时的准确度。

公开(公告)号：CN105590911A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510736145.2

申请日：2015-11-03

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 姚皓然 ,  温英男 ,  刘建宏 ,  李士仪

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/09 ,  G06F21/32 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/08235 ,  H01L2224/08237 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L24/14 ,  H01L21/76895 ,  H01L2221/1068 ,  H01L2224/1401

Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含晶片、激光阻档件、绝缘层、重布线层、阻隔层与导电结构。晶片具有焊垫、及相对的第一表面与第二表面。焊垫位于第一表面上。第二表面具有第一穿孔，使焊垫从第一穿孔裸露。激光阻档件位于第一穿孔中的焊垫上。绝缘层位于第二表面上与第一穿孔中。绝缘层具有相对第二表面的第三表面。绝缘层具有第二穿孔，使激光阻档件从第二穿孔裸露。重布线层位于第三表面上、第二穿孔的壁面上与第二穿孔中的激光阻档件上。阻隔层位于第三表面上与重布线层上。导电结构位于重布线层上，使导电结构电性连接焊垫。本发明不仅能节省制程的时间与机台的成本，还可提升晶片封装体侦测时的准确度。

公开(公告)号：CN105590911B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201510736145.2

申请日：2015-11-03

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 姚皓然 ,  温英男 ,  刘建宏 ,  李士仪

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/09 ,  G06F21/32 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/08235 ,  H01L2224/08237 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03

Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含晶片、激光阻挡件、绝缘层、重布线层、阻隔层与导电结构。晶片具有焊垫、及相对的第一表面与第二表面。焊垫位于第一表面上。第二表面具有第一穿孔，使焊垫从第一穿孔裸露。激光阻挡件位于第一穿孔中的焊垫上。绝缘层位于第二表面上与第一穿孔中。绝缘层具有相对第二表面的第三表面。绝缘层具有第二穿孔，使激光阻挡件从第二穿孔裸露。重布线层位于第三表面上、第二穿孔的壁面上与第二穿孔中的激光阻挡件上。阻隔层位于第三表面上与重布线层上。导电结构位于重布线层上，使导电结构电性连接焊垫。本发明不仅能节省制程的时间与机台的成本，还可提升晶片封装体侦测时的准确度。

公开(公告)号：CN105789172A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610015211.1

申请日：2016-01-11

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 姚皓然 ,  温英男 ,  刘建宏 ,  李士仪

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/5226 ,  G06K9/0002 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5283 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/49827 ,  H01L21/486

Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含：一晶片，具有一导电垫、以及相对的一第一表面与一第二表面，其中导电垫位于第一表面；一第一穿孔，自第二表面朝第一表面延伸，并暴露导电垫；一导电结构，位于第二表面上与第一穿孔中，并接触导电垫，导电结构包含一第二导电层与一激光阻挡部分；一第一绝缘层，位于第二表面上并覆盖导电结构，其中第一绝缘层具有相对于第二表面的一第三表面；一第二穿孔，自第三表面朝第二表面延伸，并暴露激光阻挡部分；一第一导电层，位于第三表面上与第二穿孔中，并接触激光阻挡部分。本发明不仅可省略化学气相沉积与图案化第一绝缘层的制程，还可节省制程时间与机台成本，且可提升侦测时的准确度。

公开(公告)号：CN105590916B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201510450190.1

申请日：2015-07-28

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 刘建宏 ,  温英男 ,  李士仪 ,  姚皓然

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06182 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/432 ,  H01L2224/4502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00014

Abstract: 种晶片封装体及其制造方法,该晶片封装体包含晶片、激光阻挡件、绝缘层、重布线层、阻隔层与导电结构。晶片具有焊垫、及相对的第表面与第二表面。焊垫位于第表面上。第二表面具有第穿孔,使焊垫从第穿孔裸露。激光阻挡件位于焊垫上。绝缘层位于第二表面上与第穿孔中。绝缘层具有相对第二表面的第三表面。绝缘层与焊垫共同具有第二穿孔,使激光阻挡件从第二穿孔裸露。重布线层位于第三表面上、第二穿孔的壁面上与第二穿孔中的激光阻挡件上。阻隔层位于第三表面上与重布线层上。导电结构位于重布线层上,使导电结构电性连接焊垫。本发明不仅能节省制程的时间与机台的成本,还可提升晶片封装体侦测时的准确度。

公开(公告)号：CN102623439A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210019307.7

申请日：2012-01-20

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 姚皓然 ,  刘建宏 ,  温英男 ,  李士仪 ,  杨惟中 ,  楼百尧 ,  李宏仁

IPC: H01L23/64

CPC classification number: H01L23/642 ,  H01L23/48 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1901 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明公开一种电容耦合器封装结构，其包括：一基材，其上具有至少一电容器及一接收器，此电容器至少包含一第一电极层及一第二电极层，以及一电容介电层设置于其间，其中此第一电极层以一焊球与此接收器电连接；以及一传送器，与此第二电极层电连接。