公开(公告)号：CN105858586A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610069667.6

申请日：2016-02-01

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 温英男 ,  姚皓然 ,  刘建宏

IPC: B81B7/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00293 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B7/0038 ,  B81C3/001

Abstract: 一种晶片封装体与其制备方法，该晶片封装体包含：一基板；一顶盖层，位于基板上，且具有一第一开口贯穿顶盖层；一第一腔室，位于基板与顶盖层之间；一第一微机电元件，位于第一腔室中；一第一塞件，位于第一开口中；以及一第一密封盖，位于顶盖层上以密封第一开口。本发明能整合不同的微机电元件于晶片封装体中，且密封盖还能防止腔室漏气的情事发生，进而提升晶片封装体的良率与使用寿命。

公开(公告)号：CN105590916A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510450190.1

申请日：2015-07-28

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 刘建宏 ,  温英男 ,  李士仪 ,  姚皓然

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06182 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/432 ,  H01L2224/4502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含晶片、激光阻档件、绝缘层、重布线层、阻隔层与导电结构。晶片具有焊垫、及相对的第一表面与第二表面。焊垫位于第一表面上。第二表面具有第一穿孔，使焊垫从第一穿孔裸露。激光阻档件位于焊垫上。绝缘层位于第二表面上与第一穿孔中。绝缘层具有相对第二表面的第三表面。绝缘层与焊垫共同具有第二穿孔，使激光阻档件从第二穿孔裸露。重布线层位于第三表面上、第二穿孔的壁面上与第二穿孔中的激光阻档件上。阻隔层位于第三表面上与重布线层上。导电结构位于重布线层上，使导电结构电性连接焊垫。本发明不仅能节省制程的时间与机台的成本，还可提升晶片封装体侦测时的准确度。

公开(公告)号：CN102623439B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201210019307.7

申请日：2012-01-20

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 姚皓然 ,  刘建宏 ,  温英男 ,  李士仪 ,  杨惟中 ,  楼百尧 ,  李宏仁

IPC: H01L23/64

CPC classification number: H01L23/642 ,  H01L23/48 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1901 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明公开一种电容耦合器封装结构，其包括：一基材，其上具有至少一电容器及一接收器，此电容器至少包含一第一电极层及一第二电极层，以及一电容介电层设置于其间，其中此第一电极层以一焊球与此接收器电连接；以及一传送器，与此第二电极层电连接。

公开(公告)号：CN105590916B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201510450190.1

申请日：2015-07-28

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 刘建宏 ,  温英男 ,  李士仪 ,  姚皓然

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/535 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/2633 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06182 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/432 ,  H01L2224/4502 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00014

Abstract: 种晶片封装体及其制造方法,该晶片封装体包含晶片、激光阻挡件、绝缘层、重布线层、阻隔层与导电结构。晶片具有焊垫、及相对的第表面与第二表面。焊垫位于第表面上。第二表面具有第穿孔,使焊垫从第穿孔裸露。激光阻挡件位于焊垫上。绝缘层位于第二表面上与第穿孔中。绝缘层具有相对第二表面的第三表面。绝缘层与焊垫共同具有第二穿孔,使激光阻挡件从第二穿孔裸露。重布线层位于第三表面上、第二穿孔的壁面上与第二穿孔中的激光阻挡件上。阻隔层位于第三表面上与重布线层上。导电结构位于重布线层上,使导电结构电性连接焊垫。本发明不仅能节省制程的时间与机台的成本,还可提升晶片封装体侦测时的准确度。

公开(公告)号：CN104347576A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410355765.7

申请日：2014-07-24

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 何彦仕 ,  张恕铭 ,  刘沧宇 ,  黄玉龙 ,  林超彦 ,  孙唯伦 ,  陈键辉 ,  姚皓然

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3121 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10156 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括：一晶片，晶片包括邻近于晶片的上表面的一感测区或元件区、以及位于感测区或元件区内且包括多个感测单元的一感测阵列；多个第一开口，位于晶片内，以对应地暴露出感测单元；多个导电延伸部，设置于第一开口内，且电性连接感测单元，并自第一开口延伸至晶片的上表面上方。本发明能够降低封装层的厚度，进而提升晶片封装体的感测灵敏度，且无需增加额外的制程步骤及制造成本。

公开(公告)号：CN102623439A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210019307.7

申请日：2012-01-20

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 姚皓然 ,  刘建宏 ,  温英男 ,  李士仪 ,  杨惟中 ,  楼百尧 ,  李宏仁

IPC: H01L23/64

CPC classification number: H01L23/642 ,  H01L23/48 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/13101 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1901 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014

Abstract: 本发明公开一种电容耦合器封装结构，其包括：一基材，其上具有至少一电容器及一接收器，此电容器至少包含一第一电极层及一第二电极层，以及一电容介电层设置于其间，其中此第一电极层以一焊球与此接收器电连接；以及一传送器，与此第二电极层电连接。

公开(公告)号：CN105590911B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201510736145.2

申请日：2015-11-03

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 姚皓然 ,  温英男 ,  刘建宏 ,  李士仪

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L24/09 ,  G06F21/32 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/481 ,  H01L23/525 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/08235 ,  H01L2224/08237 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03

Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含晶片、激光阻挡件、绝缘层、重布线层、阻隔层与导电结构。晶片具有焊垫、及相对的第一表面与第二表面。焊垫位于第一表面上。第二表面具有第一穿孔，使焊垫从第一穿孔裸露。激光阻挡件位于第一穿孔中的焊垫上。绝缘层位于第二表面上与第一穿孔中。绝缘层具有相对第二表面的第三表面。绝缘层具有第二穿孔，使激光阻挡件从第二穿孔裸露。重布线层位于第三表面上、第二穿孔的壁面上与第二穿孔中的激光阻挡件上。阻隔层位于第三表面上与重布线层上。导电结构位于重布线层上，使导电结构电性连接焊垫。本发明不仅能节省制程的时间与机台的成本，还可提升晶片封装体侦测时的准确度。

公开(公告)号：CN106449690A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610640891.6

申请日：2016-08-08

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 姚皓然 ,  温英男 ,  刘沧宇

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L33/005 ,  G01S7/4813 ,  G01S17/026 ,  H01L31/173 ,  H01L33/46 ,  H01L33/52 ,  H01L2224/11 ,  H01L27/153 ,  H01L21/56 ,  H01L33/54 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0091

Abstract: 一种传感器封装体及其制造方法，传感器封装体包括传感器及光阻挡层，传感器具有相对的第一上表面与第一下表面，且邻近第一上表面处形成有发光组件及光感应组件，发光组件与光感应组件间隔预定的距离，传感器还包括分别邻近光感应组件及发光组件的第一及第二导电垫，且光感应组件具有相对的第二上表面与第二下表面。光阻挡层形成于传感器的第一上表面上且围绕发光组件，且包括：盖板，形成于传感器的第一上表面上，且盖板内具有沟渠，沟渠具有内壁以及底墙，且底墙不高于光感应组件的第二下表面；黏着层，位于盖板与传感器的第一上表面之间，使盖板与传感器的第一上表面结合；以及光阻挡材料层，覆盖于沟渠的内壁或填满于沟渠内。

公开(公告)号：CN105789172A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610015211.1

申请日：2016-01-11

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 姚皓然 ,  温英男 ,  刘建宏 ,  李士仪

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/5226 ,  G06K9/0002 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5283 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/49827 ,  H01L21/486

Abstract: 一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含：一晶片，具有一导电垫、以及相对的一第一表面与一第二表面，其中导电垫位于第一表面；一第一穿孔，自第二表面朝第一表面延伸，并暴露导电垫；一导电结构，位于第二表面上与第一穿孔中，并接触导电垫，导电结构包含一第二导电层与一激光阻挡部分；一第一绝缘层，位于第二表面上并覆盖导电结构，其中第一绝缘层具有相对于第二表面的一第三表面；一第二穿孔，自第三表面朝第二表面延伸，并暴露激光阻挡部分；一第一导电层，位于第三表面上与第二穿孔中，并接触激光阻挡部分。本发明不仅可省略化学气相沉积与图案化第一绝缘层的制程，还可节省制程时间与机台成本，且可提升侦测时的准确度。

公开(公告)号：CN102544101B

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201110419164.4

申请日：2011-12-14

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 张恕铭 ,  何彦仕 ,  姚皓然

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其制作方法，晶片封装体包括一半导体基底，具有相反的一第一表面与一第二表面，且第一表面具有一凹槽；一漏极电极，配置于第一表面上并覆盖凹槽；一源极电极，配置于第二表面上，且与覆盖凹槽的漏极电极对应设置；以及一栅极电极，配置于第二表面上。本发明可提升导电效能，并提供足够的结构强度，以避免在传送半导体基底的过程中产生破片等情况，且在封装制程中，半导体基底可维持一定的平整度而不会因为厚度过薄而有边缘翘曲等情况产生。