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公开(公告)号：CN1533604A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN03800707.X
申请日：2003-03-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 宫泽郁也
IPC: H01L21/768 , H01L25/065 , H01L27/00
CPC classification number: H01L24/02 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/00
Abstract: 在形成了集成电路(12)的半导体基板(10)上从第一面形成凹部(22)。在凹部(22)的内表面上设置绝缘层(28)。在绝缘层(28)的内侧设置第一导电部(30)。在绝缘层(28)的内侧、第一导电部(30)上由与第一导电部(30)不同的材料形成第二导电部(32)。使第一导电部(30)从半导体基板(10)上与第一面(20)相反一侧的第二面(38)露出。
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公开(公告)号：CN100573854C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200410008577.3
申请日：2004-03-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01067 , H01L2924/15311 , H01L2224/05599 , H01L2224/05111 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166
Abstract: 一种半导体装置，包括：具有在其中形成的通孔的半导体衬底，在该通孔内形成的第一绝缘膜，以及在通孔内的第一绝缘膜的内侧上形成的电极。在半导体衬底的背面侧的第一绝缘膜伸出背面之外，并且电极伸出半导体衬底的有源面侧和背面侧之外。在有源面侧的突出部分的外径大于在通孔内的第一绝缘膜的外径，并且在背面侧的突出部分进一步伸出第一绝缘膜之外，以便使其侧面被暴露。该半导体装置具有改善的连接性和连接强度，尤其是当用于三维封装技术中时，具有杰出的抗剪切力性。
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公开(公告)号：CN1279605C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN03800707.X
申请日：2003-03-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 宫泽郁也
IPC: H01L21/768 , H01L25/065 , H01L27/00
CPC classification number: H01L24/02 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/00
Abstract: 在形成了集成电路(12)的半导体基板(10)上从第一面形成凹部(22)。在凹部(22)的内表面上设置绝缘层(28)。在绝缘层(28)的内侧设置第一导电部(30)。在绝缘层(28)的内侧、第一导电部(30)上由与第一导电部(30)不同的材料形成第二导电部(32)。使第一导电部(30)从半导体基板(10)上与第一面(20)相反一侧的第二面(38)露出。
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公开(公告)号：CN1534770A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410008577.3
申请日：2004-03-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01067 , H01L2924/15311 , H01L2224/05599 , H01L2224/05111 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166
Abstract: 一种半导体装置，包括：具有在其中形成的通孔的半导体衬底，在该通孔内形成的第一绝缘膜，以及在通孔内的第一绝缘膜的内侧上形成的电极。在半导体衬底的背面侧的第一绝缘膜伸出背面之外，并且电极伸出半导体衬底的有源面侧和背面侧之外。在有源面侧的突出部分的外径大于在通孔内的第一绝缘膜的外径，并且在背面侧的突出部分进一步伸出第一绝缘膜之外，以便使其侧面被暴露。该半导体装置具有改善的连接性和连接强度，尤其是当用于三维封装技术中时，具有杰出的抗剪切力性。
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公开(公告)号：CN1531027A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410028755.9
申请日：2004-03-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 宫泽郁也
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05573 , H01L2224/13009 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2224/05639 , H01L2924/00014 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，具有贯通半导体基板的电极。它包括：从形成集成电路的半导体基板的有源面向上述半导体基板的内部形成凹部的工序；在上述凹部的内面形成第一绝缘层的工序；在上述第一绝缘层的内侧填充导电材料来形成电极的工序；蚀刻上述半导体基板的反面使上述第一绝缘层的前端部露出的工序；在上述半导体基板的反面形成第二绝缘层的工序；去除上述电极前端部的上述第一绝缘层和上述第二绝缘层以使上述电极的前端部露出的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1453847A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN03124021.6
申请日：2003-04-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/60 , H01L23/12
CPC classification number: H01L24/10 , H01L21/268 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/13 , H01L25/0657 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05025 , H01L2224/05027 , H01L2224/05548 , H01L2224/06181 , H01L2224/13 , H01L2224/13009 , H01L2224/13099 , H01L2224/14181 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/05147
Abstract: 在形成有集成电路(12)的半导体基片(10)上形成贯穿孔(30)，该贯穿孔(30)具有从开口朝深度方向逐渐变细的锥度。从开口向贯穿孔(30)供给绝缘材料，以在贯穿孔(30)的内表面形成绝缘层(32)。从开口向形成有绝缘层(32)的贯穿孔(30)供给导电材料，以在绝缘层(32)的内侧形成导电部(44)。
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公开(公告)号：CN100378939C
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200510067321.4
申请日：2005-04-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 宫泽郁也
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05023 , H01L2224/05024 , H01L2224/05025 , H01L2224/05147 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2224/05599
Abstract: 提供一种能够抑制或消除因基板与在基板上形成的功能层间应力差所造成的基板弯曲的半导体装置和半导体装置的制造方法、电路基板以及电子仪器。本发明的半导体装置制造方法，是具有贯通基板的电极的半导体装置制造方法，其特征在于，依次具有：在所述基板的能动面上形成凹部的工序；在包含所述凹部内部的所述基板的能动面上形成绝缘层的工序；除去在所述凹部外部形成的所述绝缘层的至少一部分的工序；在形成了所述绝缘层的所述凹部内部充填导电体，以形成所述电极的工序；和除去所述能动面的背面侧，使所述电极从所述能动面的背面侧露出的工序。
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公开(公告)号：CN1241252C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN03124021.6
申请日：2003-04-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/60 , H01L23/12
CPC classification number: H01L24/10 , H01L21/268 , H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/13 , H01L25/0657 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05025 , H01L2224/05027 , H01L2224/05548 , H01L2224/06181 , H01L2224/13 , H01L2224/13009 , H01L2224/13099 , H01L2224/14181 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/05147
Abstract: 在形成有集成电路(12)的半导体基板(10)上形成贯穿孔(30)，该贯穿孔(30)具有从开口朝深度方向逐渐变细的锥度。从开口向贯穿孔(30)供给绝缘材料，以在贯穿孔(30)的内表面形成绝缘层(32)。从开口向形成有绝缘层(32)的贯穿孔(30)供给导电材料，以在绝缘层(32)的内侧形成导电部(44)。
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公开(公告)号：CN1533603A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN03800706.1
申请日：2003-03-19
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 宫泽郁也
IPC: H01L21/768 , H01L25/065 , H01L27/00
CPC classification number: H01L24/02 , H01L21/30625 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , Y10S438/959 , Y10S438/977 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体基板(10)上从第一面(20)形成凹部(22)。在凹部(22)的底面以及内壁面上设置绝缘层(28)。在绝缘层(28)的内侧设置导电部(30)。通过具有对半导体基板(10)的蚀刻量大于对绝缘层(28)的蚀刻量的性质的第一蚀刻剂，对半导体基板(10)的第二面(28)进行蚀刻，在由绝缘层(28)覆盖的状态下使导电部(30)突出。通过具有在导电部(30)上不留有残留物地对绝缘层(28)进行蚀刻的性质的第二蚀刻剂，对绝缘层(28)上至少形成在凹部(22)的底面上的部分进行蚀刻，使导电部(30)突出。
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公开(公告)号：CN1321437C
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200410028755.9
申请日：2004-03-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 宫泽郁也
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05573 , H01L2224/13009 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2224/05639 , H01L2924/00014 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，具有贯通半导体基板的电极。它包括：从形成集成电路的半导体基板的有源面向上述半导体基板的内部形成凹部的工序；在上述凹部的内面形成第一绝缘层的工序；在上述第一绝缘层的内侧填充导电材料来形成电极的工序；蚀刻上述述半导体基板的反面使上述第一绝缘层的前端部露出的工序；在上述半导体基板的反面形成第二绝缘层的工序；去除上述电极前端部的上述第一绝缘层和上述第二绝缘层以使上述电极的前端部露出的工序。
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