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公开(公告)号:CN100405554C
公开(公告)日:2008-07-23
申请号:CN200610094020.5
申请日:2006-06-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 原一巳
IPC: H01L21/306 , H01L21/304 , H01L21/302 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/30604 , H01L21/6835 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
Abstract: 一种半导体装置的制造方法,准备半导体晶片,该半导体晶片具有功能面、侧面、与所述功能面相反一侧的背面、在所述功能面形成的多个半导体元件;所述半导体晶片的所述侧面的至少一部分与所述半导体晶片的所述背面所成角度形成为锐角;朝向所述半导体晶片的所述功能面以及所述半导体晶片的所述侧面吹送空气,同时实施一边使所述半导体晶片旋转,一边在所述半导体晶片的所述背面上滴下蚀刻液的旋转蚀刻。
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公开(公告)号:CN100365799C
公开(公告)日:2008-01-30
申请号:CN200510083527.6
申请日:2005-07-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 原一巳
IPC: H01L21/78 , H01L21/301 , H01L21/304 , C09J7/02
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/67092 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05025 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01009 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种切割薄片,是在对多个电子部件一体形成的电子部件聚集体进行分离时粘接支撑上述电子部件聚集体的切割薄片,该切割薄片具备基材和在该基材的一面侧上形成的粘接层,在上述粘接层表面形成凹部,形成所述凹部以便在与该切割薄片粘接的所述电子部件聚集体的粘接面上突出设置的凸状构件可以插入。
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公开(公告)号:CN100573854C
公开(公告)日:2009-12-23
申请号:CN200410008577.3
申请日:2004-03-24
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05025 , H01L2224/05026 , H01L2224/05184 , H01L2224/05548 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01067 , H01L2924/15311 , H01L2224/05599 , H01L2224/05111 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166
Abstract: 一种半导体装置,包括:具有在其中形成的通孔的半导体衬底,在该通孔内形成的第一绝缘膜,以及在通孔内的第一绝缘膜的内侧上形成的电极。在半导体衬底的背面侧的第一绝缘膜伸出背面之外,并且电极伸出半导体衬底的有源面侧和背面侧之外。在有源面侧的突出部分的外径大于在通孔内的第一绝缘膜的外径,并且在背面侧的突出部分进一步伸出第一绝缘膜之外,以便使其侧面被暴露。该半导体装置具有改善的连接性和连接强度,尤其是当用于三维封装技术中时,具有杰出的抗剪切力性。
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公开(公告)号:CN102867908A
公开(公告)日:2013-01-09
申请号:CN201210223727.7
申请日:2012-06-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L41/053
CPC classification number: G01C19/5783 , H01L2224/16225
Abstract: 电子器件用封装、电子器件以及电子设备,既能实现低成本化,又能实现高品质的气密密封,可靠性高。封装(3)具有:基底部件(61);盖部件(63),其以与基底部件(61)之间形成有收纳电子部件的内部空间的方式与基底部件(61)接合,基底部件(61)与盖部件(63)的接合部(90)具有:焊接部(91),其沿x轴方向通过缝焊将基底部件(61)与盖部件(63)接合;焊接部(93),其沿y轴方向通过缝焊将基底部件(61)与盖部件(63)接合,俯视时,焊接部(91)与焊接部(93)彼此不重叠,使焊接部(91)沿x轴方向延长后的区域(A1)与使焊接部(93)沿y轴方向延长后的区域(A2)相重叠的区域(A3)比盖部件(63)的轮廓更靠外侧。
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公开(公告)号:CN1885500A
公开(公告)日:2006-12-27
申请号:CN200610094020.5
申请日:2006-06-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 原一巳
IPC: H01L21/306 , H01L21/304 , H01L21/302 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/30604 , H01L21/6835 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
Abstract: 一种半导体装置的制造方法,准备半导体晶片,该半导体晶片具有有效面、侧面、与所述有效面相反一侧的背面、在所述有效面形成的多个半导体元件;所述半导体晶片的所述侧面的至少一部分与所述半导体晶片的所述背面所成角度形成为锐角;朝向所述半导体晶片的所述有效面以及所述半导体晶片的所述侧面吹送空气,同时实施一边使所述半导体晶片旋转,一边在所述半导体晶片的所述背面上滴下蚀刻液的旋转蚀刻。
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公开(公告)号:CN1762709A
公开(公告)日:2006-04-26
申请号:CN200510114133.2
申请日:2005-10-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 原一巳
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2002/14241 , B41J2002/14419 , B41J2002/14491
Abstract: 本发明的液滴喷头具备:与喷嘴开口连通的压力发生室、构成该压力发生室的一部分的弹性膜(振动膜)、配置在该弹性膜的与所述压力发生室侧相反的面上且使所述压力发生室内产生压力变化的压电元件、和驱动该压电元件的驱动IC(驱动元件),上述驱动IC在设置于所述压电元件的端子上倒装接合。
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公开(公告)号:CN1722406A
公开(公告)日:2006-01-18
申请号:CN200510083527.6
申请日:2005-07-08
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 原一巳
IPC: H01L21/78 , H01L21/301 , H01L21/304 , C09J7/02
CPC classification number: H01L21/6836 , H01L21/67092 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L23/481 , H01L24/11 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05025 , H01L2224/05166 , H01L2224/05184 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01009 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种切割薄片,是在对多个电子部件一体形成的电子部件聚集体进行分离时粘接支撑上述电子部件聚集体的切割薄片,该切割薄片具备基材和在该基材的一面侧上形成的粘接层,在上述粘接层表面形成凹部,形成所述凹部以便在与该切割薄片粘接的所述电子部件聚集体的粘接面上突出设置的凸状构件可以插入。
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公开(公告)号:CN1697161A
公开(公告)日:2005-11-16
申请号:CN200510067322.9
申请日:2005-04-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 原一巳
CPC classification number: H01L23/562 , H01L23/3171 , H01L29/0657 , H01L2924/0002 , H01L2924/3511 , H05K1/0271 , H05K2201/0166 , H05K2201/0352 , H05K2201/068 , H05K2201/09136 , H05K2201/09736 , H05K2201/09909 , H05K2201/10674 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种能在具有曲面的电路基板上搭载等安装性能好的半导体芯片。本发明的半导体芯片(10)具有控制基体(11)弯曲的弯曲控制膜(12)。
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公开(公告)号:CN1518105A
公开(公告)日:2004-08-04
申请号:CN200410002023.2
申请日:2004-01-12
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 原一巳
IPC: H01L25/065 , H01L25/00 , H01L21/50
CPC classification number: H01L24/02 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/13009 , H01L2224/16146 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19043 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体芯片、半导体晶片、半导体装置及其制造方法,所述半导体芯片具有半导体基板(10)、贯通半导体基板(10)的第1及第2面(20)、(38)并具有从第2面(38)的突出部(42)的贯通电极(40)、形成在第2面(38)的整面上的绝缘层(50)。绝缘层(50)包括形成在突出部(42)的周边区域的第1绝缘部(52)及其以外的第2绝缘部(54)。比第1绝缘部(52)的最厚部分减薄地形成第2绝缘部(54)。根据本发明可以充分确保叠加的上下半导体芯片之间的间隙,防止短路。
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公开(公告)号:CN1518067A
公开(公告)日:2004-08-04
申请号:CN200410001554.X
申请日:2004-01-13
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor: 原一巳
IPC: H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/60 , H01L25/065
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/051 , H01L2224/05548 , H01L2224/0557 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明的目的在于形成高质量的穿透电极。在已形成集成电路12的半导体基板10上,从第一面20形成凹部22。在凹部22上设置导电部30。从相反于半导体基板10的第一面20的第二面38上凸出导电部30。磨削或研磨导电部30使其新生面露出为止。
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