公开(公告)号：CN102557945A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110374282.8

申请日：2011-11-22

Applicant: 第一毛织株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 郑知英 ,  郑闵鞠 ,  赵显龙 ,  俞龙植 ,  李廷宇 ,  李种和 ,  田桓承 ,  金洙荣 ,  金永虎 ,  金在贤 ,  朴秀敏

IPC: C07C69/84 ,  G03F7/039 ,  G03F7/016

CPC classification number: G03F7/0226 ,  C07C69/84 ,  G03F7/0233

Abstract: 本发明公开了一种新型酚化合物和包含其的正性光敏树脂组合物，所述新型酚化合物选自由化学式1表示的化合物、由化学式2表示的化合物、以及它们的组合。所述正性光敏树脂组合物具有优异的感光度、分辨率、图案形成性能、残留物除去性能、机械性能和可靠性。

公开(公告)号：CN102540725A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110374325.2

申请日：2011-11-22

Applicant: 第一毛织株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 赵显龙 ,  郑闵鞠 ,  郑知英 ,  李种和 ,  俞龙植 ,  李廷宇 ,  田桓承 ,  金洙荣 ,  金永虎 ,  金宰贤 ,  朴秀敏

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/016 ,  H01L23/29

CPC classification number: G03F7/0233 ,  H01L23/293 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种正性光敏树脂组合物，所述正性光敏树脂组合物包括(A)包含由下列化学式1表示的重复单元的聚苯并噁唑前体；(B)光敏重氮醌化合物；(C)硅烷化合物；(D)酚化合物；和(E)溶剂。在上述化学式1中，各个取代基与说明书中所限定的相同。本发明的正性光敏树脂组合物具有高感光度、高分辨率、良好的图案形成性能和优异的残留物除去性能。[化学式1]

公开(公告)号：CN102531910A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110301200.7

申请日：2011-09-28

Applicant: 第一毛织株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 郑闵鞠 ,  郑知英 ,  赵显龙 ,  俞龙植 ,  李廷宇 ,  李种和 ,  田桓承 ,  金洙荣 ,  金永虎 ,  金在贤 ,  朴秀敏

IPC: C07C205/42 ,  C07C201/12 ,  G03F7/039

CPC classification number: C07C205/42 ,  G03F7/0226 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/0236 ,  G03F7/0751 ,  G03F7/0755

Abstract: 本发明提供了包括由化学式1表示的化合物的邻硝基苄酯化合物，和包含该邻硝基苄酯化合物的正型光敏树脂组合物。本发明还提供了一种利用该正型光敏树脂组合物制造的光敏树脂膜和包括该光敏树脂膜的半导体器件。本发明的正型光敏树脂组合物具有优异的灵敏度、分辨率、图案外观和残余物除去性能。[化学式1]

公开(公告)号：CN102540725B

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201110374325.2

申请日：2011-11-22

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 赵显龙 ,  郑闵鞠 ,  郑知英 ,  李种和 ,  俞龙植 ,  李廷宇 ,  田桓承 ,  金洙荣 ,  金永虎 ,  金宰贤 ,  朴秀敏

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/016 ,  H01L23/29

CPC classification number: G03F7/0233 ,  H01L23/293 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种正性光敏树脂组合物，所述正性光敏树脂组合物包括(A)包含由下列化学式1表示的重复单元的聚苯并噁唑前体；(B)光敏重氮醌化合物；(C)硅烷化合物；(D)酚化合物；和(E)溶剂。在上述化学式1中，各个取代基与说明书中所限定的相同。本发明的正性光敏树脂组合物具有高感光度、高分辨率、良好的图案形成性能和优异的残留物除去性能。[化学式1]

公开(公告)号：CN109946928A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201811508715.2

申请日：2018-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张允祯 ,  金洙荣 ,  金富得 ,  李秀镇

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 提供了用于检测光刻胶的材料和制造半导体器件的方法。所述用于检测光刻胶的材料可以包括具有中空结构的大环分子和在所述大环分子上标记的荧光物质，所述大环分子是环糊精、葫芦脲、杯芳烃、柱芳烃和索烃中的至少一种。

公开(公告)号：CN107065437A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611191846.3

申请日：2016-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金洙荣 ,  崔在喜 ,  李政勋 ,  金富得 ,  李浚齐 ,  金年洙

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  H01L21/3213

CPC classification number: G03F7/039 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/16 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2006 ,  G03F7/322 ,  H01L21/28008 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/788 ,  G03F7/004 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明涉及光刻胶组合物、形成图案的方法和制造半导体器件的方法。光刻胶组合物包括：包含光刻胶聚合物和染料树脂的共混物的光敏树脂、光致产酸剂、和溶剂，其中基于所述光敏树脂的总重量，所述染料树脂的量在约20重量％‑约80重量％的范围内。

公开(公告)号：CN108206033B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201711074876.0

申请日：2017-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣柱 ,  金秀娥 ,  金洙荣 ,  元民佑 ,  元福渊 ,  权志锡 ,  金荣浩 ,  柳志学 ,  尹炫喆 ,  李硕宰 ,  韩相根 ,  姜雄大 ,  权赫准 ,  李范在

IPC: G11C5/06

Abstract: 一种包括存储器单元阵列区域的存储器件包括：形成在存储器单元阵列区域的第一列导电层中并在列方向上延伸的列选择信号线，形成在存储器单元阵列区域中与第一列导电层不同的第二列导电层中并且在列方向上延伸的全局输入输出数据线，以及形成在存储器单元阵列区域中第一列导电层和第二列导电层之间的屏蔽导电层中的电源线。通过在不同列导电层中形成列选择信号线和全局输入输出数据线并在列导电层之间的屏蔽导电层中形成电源线，可以减少信号线和电源线中的噪声，并且可以增强存储器件的性能。

公开(公告)号：CN101226519B

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200810002992.6

申请日：2008-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴致成 ,  金容峻 ,  南京佑 ,  金镇国 ,  金洙荣

IPC: G06F15/167

CPC classification number: G11C5/02 ,  G11C8/12

Abstract: 提供了一种具有邮箱区域的多路径可访问半导体存储器设备及其邮箱访问控制方法。所述半导体存储器设备包括N个端口、位于存储器单元阵列中的至少一个共享存储器区域、以及用于消息通信的N个邮箱区域。所述至少一个共享存储器区域操作性地连接到所述N个端口，并且可通过多个数据输入/输出线来访问，以形成所述至少一个共享存储器区域和一个端口之间的数据访问路径，所述一个端口在所述N个端口中具有对所述至少一个共享存储器区域的访问权限。所述N个邮箱区域按与所述N个端口一一对应的方式而被提供，并且当所述至少一个共享存储器区域的预定区域的地址被应用于所述半导体存储器设备时，可通过所述多个数据输入/输出线访问所述N个邮箱区域。可以获得邮箱的高效布局和高效消息访问路径。

公开(公告)号：CN108206033A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711074876.0

申请日：2017-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣柱 ,  金秀娥 ,  金洙荣 ,  元民佑 ,  元福渊 ,  权志锡 ,  金荣浩 ,  柳志学 ,  尹炫喆 ,  李硕宰 ,  韩相根 ,  姜雄大 ,  权赫准 ,  李范在

IPC: G11C5/06

CPC classification number: H01L23/5225 ,  G11C7/06 ,  G11C7/1057 ,  G11C11/4087 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4097 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/552 ,  H01L24/06 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/06159 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3025 ,  G11C5/063

Abstract: 一种包括存储器单元阵列区域的存储器件包括：形成在存储器单元阵列区域的第一列导电层中并在列方向上延伸的列选择信号线，形成在存储器单元阵列区域中与第一列导电层不同的第二列导电层中并且在列方向上延伸的全局输入输出数据线，以及形成在存储器单元阵列区域中第一列导电层和第二列导电层之间的屏蔽导电层中的电源线。通过在不同列导电层中形成列选择信号线和全局输入输出数据线并在列导电层之间的屏蔽导电层中形成电源线，可以减少信号线和电源线中的噪声，并且可以增强存储器件的性能。