公开(公告)号：CN109946928A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201811508715.2

申请日：2018-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张允祯 ,  金洙荣 ,  金富得 ,  李秀镇

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 提供了用于检测光刻胶的材料和制造半导体器件的方法。所述用于检测光刻胶的材料可以包括具有中空结构的大环分子和在所述大环分子上标记的荧光物质，所述大环分子是环糊精、葫芦脲、杯芳烃、柱芳烃和索烃中的至少一种。

公开(公告)号：CN118800776A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202311682462.1

申请日：2023-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  金德焕 ,  孔俊秀 ,  朴炼皓 ,  朴亨镇 ,  李秀镇 ,  李晋硕

IPC: H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底具有有源图案：第一半导体图案和第二半导体图案，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案设置在所述有源图案上并且彼此垂直地间隔开；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案连接到所述第一半导体图案和所述第二半导体图案；栅电极，所述栅电极位于所述第一半导体图案与所述第二半导体图案之间；以及栅极绝缘图案，所述栅极绝缘图案包围所述栅电极，其中，所述栅极绝缘图案包括：高k电介质图案，所述高k电介质图案包围所述栅电极；内间隔物，所述内间隔物位于所述高k电介质图案与所述源极/漏极图案之间；以及掩模绝缘图案，所述掩模绝缘图案相对于所述内间隔物具有蚀刻选择性并且位于所述高k电介质图案与所述内间隔物之间。