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公开(公告)号:CN101226519B
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN200810002992.6
申请日:2008-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F15/167
Abstract: 提供了一种具有邮箱区域的多路径可访问半导体存储器设备及其邮箱访问控制方法。所述半导体存储器设备包括N个端口、位于存储器单元阵列中的至少一个共享存储器区域、以及用于消息通信的N个邮箱区域。所述至少一个共享存储器区域操作性地连接到所述N个端口,并且可通过多个数据输入/输出线来访问,以形成所述至少一个共享存储器区域和一个端口之间的数据访问路径,所述一个端口在所述N个端口中具有对所述至少一个共享存储器区域的访问权限。所述N个邮箱区域按与所述N个端口一一对应的方式而被提供,并且当所述至少一个共享存储器区域的预定区域的地址被应用于所述半导体存储器设备时,可通过所述多个数据输入/输出线访问所述N个邮箱区域。可以获得邮箱的高效布局和高效消息访问路径。
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公开(公告)号:CN101136249A
公开(公告)日:2008-03-05
申请号:CN200710148544.2
申请日:2007-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/30
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/3454
Abstract: 提供用于操作非易失性半导体存储器件的高电压产生电路和方法,与诸如快闪存储器之类的非易失性存储器一起使用,其用于选择性地产生不同类型的控制电压,以用于非易失性存储器件的各种操作模式。
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公开(公告)号:CN1783345A
公开(公告)日:2006-06-07
申请号:CN200510118085.4
申请日:2005-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C29/789 , G11C16/20 , G11C2216/26
Abstract: 一种无熔丝电路可以包括NAND闪速存储单元和响应于存储在NAND闪速存储单元中的数据而导通或关断的开关。还包括可以在有耦接到开关的可调节电路的半导体器件中实现无熔丝电路。可调节电路可以被构造成响应于开关的导通或关断状态而模拟熔丝的No_Cut(未切断)或Cut(切断)操作操作。
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公开(公告)号:CN117294785A
公开(公告)日:2023-12-26
申请号:CN202311264456.4
申请日:2020-05-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种便携式通信设备。该通信设备包括:壳体,其包括第一壳体结构、第二壳体结构以及铰链盖,所述铰链盖位于第一壳体结构的至少一部分与第二壳体结构的至少一部分之间;柔性显示器,其至少部分地容纳在所述壳体中,并且包括与第一壳体结构相对应的第一部分、与第二壳体结构相对应的第二部分以及与铰链盖相对应的第三部分;铰链结构,其位于柔性显示器的第三部分与铰链盖之间,并与第一壳体结构和第二壳体结构连接;以及至少一个密封构件,其位于柔性显示器的第三部分与铰链盖之间并与铰链盖接触。
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公开(公告)号:CN116684509A
公开(公告)日:2023-09-01
申请号:CN202310516286.8
申请日:2020-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子装置。该电子装置包括:铰链壳体,其在旋转轴的方向上延伸;第一壳体,其在垂直于旋转轴的方向上连接到铰链壳体的一侧,以相对于铰链壳体绕旋转轴旋转;第二壳体,其在垂直于旋转轴的方向上连接到铰链壳体的相对侧,以相对于铰链壳体绕旋转轴旋转;以及柔性显示器,该柔性显示器包括至少部分地设置在铰链壳体中并形成为平坦表面或曲面的弯曲区域、在垂直于旋转轴的一个方向上从弯曲区域延伸的第一区域、以及在垂直于旋转轴的相反方向上从弯曲区域延伸的第二区域。
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公开(公告)号:CN114175869B
公开(公告)日:2023-01-03
申请号:CN202180002729.0
申请日:2021-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子装置。该电子装置包括:壳体,具有形成在其中的键孔并包括设置在其中的开关,键孔被形成为使得在第一方向上延伸的长度比在垂直于第一方向的第二方向上延伸的长度长;以及联接到壳体的键组件,键组件的至少部分设置在键孔内。键组件包括盖构件和按压构件,盖构件的至少部分通过键孔暴露于壳体外部,按压构件联接到盖构件并按压开关。按压构件包括在第一方向上从按压构件的相反纵向端部突出的第一突起,并且第一突起与键孔的内壁接触并具有弹性,使得第一突起的至少部分能够弹性变形。此外,可以允许准备通过说明书推测的各种其他实施例。
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公开(公告)号:CN101136249B
公开(公告)日:2012-01-04
申请号:CN200710148544.2
申请日:2007-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/30
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/3454
Abstract: 提供用于操作非易失性半导体存储器件的高电压产生电路和方法,与诸如快闪存储器之类的非易失性存储器一起使用,其用于选择性地产生不同类型的控制电压,以用于非易失性存储器件的各种操作模式。
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