公开(公告)号：CN110832307B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201880044022.4

申请日：2018-06-29

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： 黄海峰 ,  石瑞芳 ,  D·卡瓦门 ,  A·柯尔克

IPC: G01N21/88 ,  G02B27/28

Abstract: 本发明揭示用于测量及控制半导体样本的检验的偏振的方法及设备。所述方法包含：(i)在特定操作模式中设置检验系统；(ii)通过多次旋转递增所述系统的第一波片，同时使所述系统的第二波片保持静止；(iii)对于所述第一波片的每次旋转，从所述样本的非图案化区域测量强度信号；(iv)通过多次旋转递增所述第二波片，同时使所述第一波片保持静止；(v)对于所述第二波片的每次旋转，从所述样本的非图案化区域测量强度信号；(vi)生成所述系统的多个偏振及波片参数的模型以模拟对于所述第一波片及/或所述第二波片的每次旋转所测量的所述强度信号；及(vii)基于所述模型来确定所述系统的所述偏振及波片参数且基于所述偏振及波片参数来确定光掩模平面上的偏振状态。

公开(公告)号：CN108603830A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201780005911.5

申请日：2017-01-23

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： E·沙欧辛 ,  王福敏 ,  K·彼得林茨 ,  希佟·郭 ,  D·卡瓦门 ,  U·格林葆 ,  D·R·希尼根

IPC: G01N21/21 ,  G01N21/95

Abstract: 本文中呈现用于执行具有减小的测量光斑大小的单波长椭圆偏振测量法SWE测量的方法及系统。在一方面中，光瞳光阑位于集光光学路径中的光瞳平面处或所述光瞳平面附近以降低对目标边缘衍射效应的敏感度。在另一方面中，场光阑位于与所述集光光学路径中的晶片平面共轭的图像平面处或所述图像平面附近以降低对非所要光学-结构相互作用的敏感度。在另一方面中，作用于所述SWE系统的输入光束的线性偏光器包含薄的、基于纳米粒子的偏光器元件。所述基于纳米粒子的偏光器元件改进照明光束质量且减少所述晶片平面上的像散。所述光瞳光阑及所述场光阑在非期望的光线到达检测器之前滤除所述光线。结果，测量光斑大小减小且用于小测量目标的工具间匹配性能大大增强。

公开(公告)号：CN112567285B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201980051251.3

申请日：2019-08-23

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： D·J·扎雷 ,  E·索托 ,  I-F·吴 ,  J·沃尔什 ,  K·麦克南 ,  J·阿姆斯特朗 ,  C·戴维斯 ,  G·罗斯 ,  D·卡瓦门 ,  B·布尔法因特 ,  A·埃萨尼

IPC: G02B27/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  G01N21/95

Abstract: 环绕光学组件的外壳可与蒸气源连接。所述蒸气源可以从500ppm到15000ppm的蒸气水平将蒸气提供到所述外壳。所述外壳中的蒸气浓度可增加所述外壳中的所述光学组件的寿命。

公开(公告)号：CN112567285A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201980051251.3

申请日：2019-08-23

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： D·J·扎雷 ,  E·索托 ,  I-F·吴 ,  J·沃尔什 ,  K·麦克南 ,  J·阿姆斯特朗 ,  C·戴维斯 ,  G·罗斯 ,  D·卡瓦门 ,  B·布尔法因特 ,  A·埃萨尼

IPC: G02B27/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  G01N21/95

Abstract: 环绕光学组件的外壳可与蒸气源连接。所述蒸气源可以从500ppm到15000ppm的蒸气水平将蒸气提供到所述外壳。所述外壳中的蒸气浓度可增加所述外壳中的所述光学组件的寿命。

公开(公告)号：CN110832307A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201880044022.4

申请日：2018-06-29

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： 黄海峰 ,  石瑞芳 ,  D·卡瓦门 ,  A·柯尔克

IPC: G01N21/88 ,  G02B27/28

Abstract: 本发明揭示用于测量及控制半导体样本的检验的偏振的方法及设备。所述方法包含：(i)在特定操作模式中设置检验系统；(ii)通过多次旋转递增所述系统的第一波片，同时使所述系统的第二波片保持静止；(iii)对于所述第一波片的每次旋转，从所述样本的非图案化区域测量强度信号；(iv)通过多次旋转递增所述第二波片，同时使所述第一波片保持静止；(v)对于所述第二波片的每次旋转，从所述样本的非图案化区域测量强度信号；(vi)生成所述系统的多个偏振及波片参数的模型以模拟对于所述第一波片及/或所述第二波片的每次旋转所测量的所述强度信号；及(vii)基于所述模型来确定所述系统的所述偏振及波片参数且基于所述偏振及波片参数来确定光掩模平面上的偏振状态。

公开(公告)号：CN108603830B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201780005911.5

申请日：2017-01-23

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： E·沙欧辛 ,  王福敏 ,  K·彼得林茨 ,  希佟·郭 ,  D·卡瓦门 ,  U·格林葆 ,  D·R·希尼根

IPC: G01N21/21 ,  G01N21/95

Abstract: 本文中呈现用于执行具有减小的测量光斑大小的单波长椭圆偏振测量法SWE测量的方法及系统。在一方面中，光瞳光阑位于集光光学路径中的光瞳平面处或所述光瞳平面附近以降低对目标边缘衍射效应的敏感度。在另一方面中，场光阑位于与所述集光光学路径中的晶片平面共轭的图像平面处或所述图像平面附近以降低对非所要光学‑结构相互作用的敏感度。在另一方面中，作用于所述SWE系统的输入光束的线性偏光器包含薄的、基于纳米粒子的偏光器元件。所述基于纳米粒子的偏光器元件改进照明光束质量且减少所述晶片平面上的像散。所述光瞳光阑及所述场光阑在非期望的光线到达检测器之前滤除所述光线。结果，测量光斑大小减小且用于小测量目标的工具间匹配性能大大增强。