Saved successfully
Save failed
Saved Successfully
Save Failed
公开(公告)号：CN117581345A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202280044912.1
申请日：2022-12-19
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： 孙久龙 , 蒋中伟 , A·埃萨尼 , G·罗斯 , B·泰勒
IPC: H01L21/67
Abstract: 为清洗例如光学系统或电子束系统的半导体制造设备中的组件，在腔室中加热组件。将超临界流体调配物施加到所述腔室中的所述组件，这移除分子及/或颗粒污染物。所述超临界流体调配物可包含二氧化碳、水、HCF、烷烃、烯烃、一氧化二氮、甲醇、乙醇或丙酮中的一或多者。
