公开(公告)号：CN112567285B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201980051251.3

申请日：2019-08-23

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： D·J·扎雷 ,  E·索托 ,  I-F·吴 ,  J·沃尔什 ,  K·麦克南 ,  J·阿姆斯特朗 ,  C·戴维斯 ,  G·罗斯 ,  D·卡瓦门 ,  B·布尔法因特 ,  A·埃萨尼

IPC: G02B27/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  G01N21/95

Abstract: 环绕光学组件的外壳可与蒸气源连接。所述蒸气源可以从500ppm到15000ppm的蒸气水平将蒸气提供到所述外壳。所述外壳中的蒸气浓度可增加所述外壳中的所述光学组件的寿命。

公开(公告)号：CN112567285A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201980051251.3

申请日：2019-08-23

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： D·J·扎雷 ,  E·索托 ,  I-F·吴 ,  J·沃尔什 ,  K·麦克南 ,  J·阿姆斯特朗 ,  C·戴维斯 ,  G·罗斯 ,  D·卡瓦门 ,  B·布尔法因特 ,  A·埃萨尼

IPC: G02B27/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  G01N21/95

Abstract: 环绕光学组件的外壳可与蒸气源连接。所述蒸气源可以从500ppm到15000ppm的蒸气水平将蒸气提供到所述外壳。所述外壳中的蒸气浓度可增加所述外壳中的所述光学组件的寿命。

公开(公告)号：CN117581345A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202280044912.1

申请日：2022-12-19

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： 孙久龙 ,  蒋中伟 ,  A·埃萨尼 ,  G·罗斯 ,  B·泰勒

IPC: H01L21/67

Abstract: 为清洗例如光学系统或电子束系统的半导体制造设备中的组件，在腔室中加热组件。将超临界流体调配物施加到所述腔室中的所述组件，这移除分子及/或颗粒污染物。所述超临界流体调配物可包含二氧化碳、水、HCF、烷烃、烯烃、一氧化二氮、甲醇、乙醇或丙酮中的一或多者。