公开(公告)号：CN103367639B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201310316077.5

申请日：2013-07-25

Applicant: 福州大学

Inventor： 赖云锋 ,  王玉柱 ,  程树英 ,  林培杰 ,  章杰 ,  周海芳 ,  俞金玲 ,  张红 ,  贾宏杰

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明涉及一种氧化锌纳米线低功耗阻变存储器，包括：一氧化硅片衬底；一下电极，设置于所述氧化硅片衬底上方；一阻变纳米线，设置于所述下电极上方；一上电极，设置于所述阻变纳米线上方；其中，所述阻变纳米线为铜掺杂的氧化锌纳米线。本发明具有工艺兼容性好、结构简单的特性，由于采用铜作为掺杂物质，增加了氧化锌内部的氧空位，从而降低了写操作电流和电压，功耗也随着减小。

公开(公告)号：CN103367639A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310316077.5

申请日：2013-07-25

Applicant: 福州大学

Inventor： 赖云锋 ,  王玉柱 ,  程树英 ,  林培杰 ,  章杰 ,  周海芳 ,  俞金玲 ,  张红 ,  贾宏杰

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明涉及一种氧化锌纳米线低功耗阻变存储器，包括：一氧化硅片衬底；一下电极，设置于所述氧化硅片衬底上方；一阻变纳米线，设置于所述下电极上方；一上电极，设置于所述阻变纳米线上方；其中，所述阻变纳米线为铜掺杂的氧化锌纳米线。本发明具有工艺兼容性好、结构简单的特性，由于采用铜作为掺杂物质，增加了氧化锌内部的氧空位，从而降低了写操作电流和电压，功耗也随着减小。