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公开(公告)号：CN102969356B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210443873.0
申请日：2012-11-08
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 一种超结功率器件的终端结构，属于半导体功率器件技术领域。包括器件元胞和器件终端；器件元胞漂移区由交替相间的P柱区和N柱区构成超结结构；器件终端包括过渡终端区和耐压终端区；所述过渡终端区处于器件元胞和耐压终端区之间；过渡终端区具有与元胞相同的超结结构，耐压终端区的超结结构中P柱区和N柱区的掺杂浓度小于器件元胞的超结结构中P柱区和N柱区的掺杂浓度。本发明实际是元胞和终端采用不同的漂移区掺杂浓度。元胞区采用高掺杂漂移区获得低比导通电阻，终端区适当采用较低的掺杂浓度获得高耐压。采用该结构能够在和常规超结终端结构面积相同的情况下获得更高的耐压，或者在相同耐压的情况下具有比常规超结结构更小的面积。
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公开(公告)号：CN103441143B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201310289169.9
申请日：2013-07-10
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 具有变组分混合晶体发射区的抗闩锁IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明基于常规IGBT结构，通过将发射区的纯硅材料变为组分渐变的混合晶体，形成禁带宽度缓变的发射区能带结构。该能带结构在不降低发射区与基区所形成PN结的内建电势的前提下，在发射区内形成发射区少子的加速电场，从而使发射区的少子扩散电流密度增加，基区向发射区的注入增强；而另一方面，发射区向基区的注入保持不变。因此，发射区、基区和漂移区构成的寄生晶体管的发射结注入效率降低，电流放大系数降低，使IGBT中的寄生晶闸管更难达到闩锁条件，这就提高了IGBT的临界闩锁电流，增加了IGBT的安全工作区，提高了IGBT的可靠性。
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公开(公告)号：CN103383957B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310283853.6
申请日：2013-07-08
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种逆导型IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明利用变组分的混合晶体来制作IGBT的集电区，形成禁带宽度渐变的能带结构。在集电区与漂移区交界处具有较小的禁带宽度，降低了集电区与漂移区的内建电势，缓解snap-back现象；同时由于集电区材料组分渐变，形成渐变的禁带宽度，在集电区内产生了一个少子的减速场，从而减小了漂移区向集电区的少子注入，提高了集电区向漂移区注入效率，可获得更强的电导调制效应，有利于降低IGBT的正向导通压降。
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公开(公告)号：CN103515443B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310420420.0
申请日：2013-09-16
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及功率半导体器件技术，具体的说是涉及一种超结结构的横向功率器件及其制造方法。本发明的一种超结功率器件，其特征在于，在第二导电类型半导体漂移区4和第一导电类型半导体体区9上设置有凹槽，所述厚氧化层12覆盖设置在第二导电类型半导体漂移区4的上表面，所述薄栅氧化层13覆盖设置在第一导电类型半导体体区9的上表面，所述栅电极2覆盖设置在厚氧化层12和薄栅氧化层13的上表面。本发明的有益效果为，增大了漂移区4表面的积累层通道面积，可以达到更低的正向导通电阻。本发明尤其适用于超结结构的横向功率器件。
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公开(公告)号：CN103441143A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310289169.9
申请日：2013-07-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 具有变组分混合晶体发射区的抗闩锁IGBT，属于功率半导体器件技术领域。本发明基于常规IGBT结构，通过将发射区的纯硅材料变为组分渐变的混合晶体，形成禁带宽度缓变的发射区能带结构。该能带结构在不降低发射区与基区所形成PN结的内建电势的前提下，在发射区内形成发射区少子的加速电场，从而使发射区的少子扩散电流密度增加，基区向发射区的注入增强；而另一方面，发射区向基区的注入保持不变。因此，发射区、基区和漂移区构成的寄生晶体管的发射结注入效率降低，电流放大系数降低，使IGBT中的寄生晶闸管更难达到闩锁条件，这就提高了IGBT的临界闩锁电流，增加了IGBT的安全工作区，提高了IGBT的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103515443A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310420420.0
申请日：2013-09-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及功率半导体器件技术，具体的说是涉及一种超结结构的横向功率器件及其制造方法。本发明的一种超结功率器件，其特征在于，在第二导电类型半导体漂移区4和第一导电类型半导体体区9上设置有凹槽，所述厚氧化层12覆盖设置在第二导电类型半导体漂移区4的上表面，所述薄栅氧化层13覆盖设置在第一导电类型半导体体区9的上表面，所述栅电极2覆盖设置在厚氧化层12和薄栅氧化层13的上表面。本发明的有益效果为，增大了漂移区4表面的积累层通道面积，可以达到更低的正向导通电阻。本发明尤其适用于超结结构的横向功率器件。
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公开(公告)号：CN103383957A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310283853.6
申请日：2013-07-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种逆导型IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明利用变组分的混合晶体来制作IGBT的集电区，形成禁带宽度渐变的能带结构。在集电区与漂移区交界处具有较小的禁带宽度，降低了集电区与漂移区的内建电势，缓解snap-back现象；同时由于集电区材料组分渐变，形成渐变的禁带宽度，在集电区内产生了一个少子的减速场，从而减小了漂移区向集电区的少子注入，提高了集电区向漂移区注入效率，可获得更强的电导调制效应，有利于降低IGBT的正向导通压降。
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公开(公告)号：CN102969356A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210443873.0
申请日：2012-11-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种超结功率器件的终端结构，属于半导体功率器件技术领域。包括器件元胞和器件终端；器件元胞漂移区由交替相间的P柱区和N柱区构成超结结构；器件终端包括过渡终端区和耐压终端区；所述过渡终端区处于器件元胞和耐压终端区之间；过渡终端区具有与元胞相同的超结结构，耐压终端区的超结结构中P柱区和N柱区的掺杂浓度小于器件元胞的超结结构中P柱区和N柱区的掺杂浓度。本发明实际是元胞和终端采用不同的漂移区掺杂浓度。元胞区采用高掺杂漂移区获得低比导通电阻，终端区适当采用较低的掺杂浓度获得高耐压。采用该结构能够在和常规超结终端结构面积相同的情况下获得更高的耐压，或者在相同耐压的情况下具有比常规超结结构更小的面积。
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公开(公告)号：CN102820340A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210316638.7
申请日：2012-08-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/06
Abstract: 一种浅槽金属氧化物半导体二极管，属于半导体器件技术领域。本发明在现有浅槽金属氧化物半导体二极管（中国专利申请号201010519680.X）的基础上，在两个深P体区之间的N-外延层中均匀增加了若干平行于整个器件宽度方向的P型条；所述P型条的尾部在整个器件的背部以展宽的方式与深P体区相连或通过位于整个器件背部的浅槽金属与金属化阳极相连，以实现P型条与深P体区等电位。两个深P体区与二者之间的P型条以及N-外延层形成结型场效应晶体管（JFET）结构。本发明可以进一步降低导通压降，大大提高击穿电压并且降低泄露电流，更好地实现了正向导通压降与反向恢复时间的折中。
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公开(公告)号：CN102760770A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210189789.0
申请日：2012-06-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78
Abstract: 一种抗单粒子辐照的超结VDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统超结VDMOS器件的超结结构中第二导电类型掺杂半导体柱区（4）的下方，引入一层二氧化硅介质层（12）。与传统超结VDMOS结构相比，通过二氧化硅介质层（12）的引入，使得器件在受到单粒子辐照时产生的空穴-电子对数量大幅减少、复合速率加快，并可以防止了寄生双极型晶体管的雪崩注入型二次击穿。提高了器件的抗辐照能力，扩大了器件的应用领域。
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