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公开(公告)号：CN103199679B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310136045.7
申请日：2013-04-18
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明涉及IGBT并联均流电路。本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管均流输出电路，解决由于IGBT自身电学特性，特别是饱和压降参数不一致导致的不均流问题。本发明的技术方案是，绝缘栅双极型晶体管均流输出电路，由N个模块并联组成，N为整数，N≥2；其中每个模块包括：电流变化采样单元、电流还原单元、不均流运算单元、驱动信号补偿单元、驱动单元和IGBT。本发明的绝缘栅双极型晶体管均流输出电路，可以对具有不同电学特性的IGBT并联进行动态均流和静态均流，特别适合电学特性差别较大的IGBT进行并联均流，具有普适性。
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公开(公告)号：CN103383957B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310283853.6
申请日：2013-07-08
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 一种逆导型IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明利用变组分的混合晶体来制作IGBT的集电区，形成禁带宽度渐变的能带结构。在集电区与漂移区交界处具有较小的禁带宽度，降低了集电区与漂移区的内建电势，缓解snap-back现象；同时由于集电区材料组分渐变，形成渐变的禁带宽度，在集电区内产生了一个少子的减速场，从而减小了漂移区向集电区的少子注入，提高了集电区向漂移区注入效率，可获得更强的电导调制效应，有利于降低IGBT的正向导通压降。
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公开(公告)号：CN103515443B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310420420.0
申请日：2013-09-16
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及功率半导体器件技术，具体的说是涉及一种超结结构的横向功率器件及其制造方法。本发明的一种超结功率器件，其特征在于，在第二导电类型半导体漂移区4和第一导电类型半导体体区9上设置有凹槽，所述厚氧化层12覆盖设置在第二导电类型半导体漂移区4的上表面，所述薄栅氧化层13覆盖设置在第一导电类型半导体体区9的上表面，所述栅电极2覆盖设置在厚氧化层12和薄栅氧化层13的上表面。本发明的有益效果为，增大了漂移区4表面的积累层通道面积，可以达到更低的正向导通电阻。本发明尤其适用于超结结构的横向功率器件。
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公开(公告)号：CN103280775B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201310263167.2
申请日：2013-06-27
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H02H7/20
Abstract: 本发明涉及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动控制技术，特别涉及IGBT并联输出动态延时过流保护电路。本发明针对现有技术IGBT并联使用时的过流保护问题，公开了一种IGBT并联输出动态延时过流保护电路，根据过流电流的大小动态调整延迟时间。本发明的技术方案是，绝缘栅双极型晶体管并联输出动态延时过流保护电路，由N个模块并联组成，N为整数，N≥2；其中每个模块包括：电流变化采样单元、电流还原单元、过流承受时间计算单元、固定关断时间控制单元、驱动单元和IGBT，每个模块的IGBT集电极通过负载与电源连接。本发明的过流保护抗干扰能力强，不会误关断，过流信号解除后，自动恢复正常工作，易于小型化和集成化。
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公开(公告)号：CN103248226B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201310183332.3
申请日：2013-05-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/156
Abstract: 本发明涉及一种平均电流迟滞模式的开关电源控制器。本发明公开了一种平均电流迟滞模式的开关电源控制器，改进开关电源的性能。本发明的技术方案是，平均电流迟滞模式开关电源控制器，包括基准模块、误差放大器、补偿网络、电感电流采样模块、迟滞比较器模块、逻辑模块、驱动模块、功率器件、检测电路和保护电路。本发明电路结构简单，采用的电感很小。负载瞬态响应速度快，抗电磁干扰能力强，自身产生的噪声小。电路工作模式为连续工作模式，无需斜率补偿。电路具有限流保护和短路保护功能，轻载时输出纹波小。适用于基于BCD工艺和BiCMOS的工艺集成芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103280979B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310262965.3
申请日：2013-06-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/337
Abstract: 本发明涉及开关电源技术。本发明公开了一种推挽输出开关电源，解决了工作在电压控制模式下的推挽输出开关电源磁通不平衡问题。本发明的推挽输出开关电源，包括脉宽调制控制单元、第一误差放大单元、第二误差放大单元、第一开关器件、第二开关器件、推挽输出变压器和均值求差单元。本发明通过控制第一开关器件和第二开关器件的导通时间，减小伏秒数较大的初级半绕组的导通时间，增大伏秒数较小的初级半绕组的导通时间，使两个初级半绕组的伏秒数相等，实现对磁通平衡的控制。本发明的开关电源工作在电压控制模式下，不需要斜率补偿，不引入额外功耗，电路工作稳定。推挽输出变压器两个初级半绕组电流均衡，推挽输出变压器磁通平衡。
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公开(公告)号：CN103248226A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310183332.3
申请日：2013-05-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M3/156
Abstract: 本发明涉及一种平均电流迟滞模式的开关电源控制器。本发明公开了一种平均电流迟滞模式的开关电源控制器，改进开关电源的性能。本发明的技术方案是，平均电流迟滞模式开关电源控制器，包括基准模块、误差放大器、补偿网络、电感电流采样模块、迟滞比较器模块、逻辑模块、驱动模块、功率器件、检测电路和保护电路。本发明电路结构简单，采用的电感很小。负载瞬态响应速度快，抗电磁干扰能力强，自身产生的噪声小。电路工作模式为连续工作模式，无需斜率补偿。电路具有限流保护和短路保护功能，轻载时输出纹波小。适用于基于BCD工艺和BiCMOS的工艺集成芯片。
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公开(公告)号：CN103226460A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310135873.9
申请日：2013-04-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F7/52
Abstract: 本发明涉及模拟集成电路技术，特别涉及一种多路模拟乘除法运算电路。本发明公开了一种多路模拟乘除法运算电路，采用的技术方案是，多路模拟乘除法运算电路，包括：晶体管Qk、晶体管Q'k，k=0,1..n，晶体管Mi,j、晶体管M'i,j，i=k+1|k=0,1..n-1，j=1,2，运放和电阻。本发明的电路结构能够现多路模拟信号的乘除法运算，电流I'n满足关系式本发明具有输出结果温度系数小，电路结构简单的特点。本发明输入输出均为电流信号，属于电流型模拟乘除法运算电路，无密勒效应，运算速度快。
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公开(公告)号：CN103199679A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310136045.7
申请日：2013-04-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02M1/088
Abstract: 本发明涉及IGBT并联均流电路。本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管均流输出电路，解决由于IGBT自身电学特性，特别是饱和压降参数不一致导致的不均流问题。本发明的技术方案是，绝缘栅双极型晶体管均流输出电路，由N个模块并联组成，N为整数，N≥2；其中每个模块包括：电流变化采样单元、电流还原单元、不均流运算单元、驱动信号补偿单元、驱动单元和IGBT。本发明的绝缘栅双极型晶体管均流输出电路，可以对具有不同电学特性的IGBT并联进行动态均流和静态均流，特别适合电学特性差别较大的IGBT进行并联均流，具有普适性。
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公开(公告)号：CN102983853A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210487258.X
申请日：2012-11-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明涉及模拟集成电路。本发明公开了一种模拟平方电路，用于提高输出电压精度。本发明的技术方案是，一种模拟平方电路，包括电平位移模块，减法器模块、场效应晶体管、电流镜模块和输出电阻；所述电平位移模块与输入电压Vin连接，根据所述输入电压Vin产生第一输出电压Vout1和第二输出电压Vout2；所述减法器模块与电平位移模块连接，对其输出的第一输出电压Vout1和第二输出电压Vout2进行减法运算，产生输出电压Vout；所述场效应晶体管工作在饱和状态，用于根据所述减法器模块输出电压Vout产生漏极电流ID，参数α由场效应晶体管参数决定；所述电流镜模块输出端与输出电阻连接，其输出电流流过所述输出电阻，形成对地电压Vo，所述输出电阻连接在所述电流镜输出端和地之间。
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