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公开(公告)号:CN102969356B
公开(公告)日:2015-05-27
申请号:CN201210443873.0
申请日:2012-11-08
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
Abstract: 一种超结功率器件的终端结构,属于半导体功率器件技术领域。包括器件元胞和器件终端;器件元胞漂移区由交替相间的P柱区和N柱区构成超结结构;器件终端包括过渡终端区和耐压终端区;所述过渡终端区处于器件元胞和耐压终端区之间;过渡终端区具有与元胞相同的超结结构,耐压终端区的超结结构中P柱区和N柱区的掺杂浓度小于器件元胞的超结结构中P柱区和N柱区的掺杂浓度。本发明实际是元胞和终端采用不同的漂移区掺杂浓度。元胞区采用高掺杂漂移区获得低比导通电阻,终端区适当采用较低的掺杂浓度获得高耐压。采用该结构能够在和常规超结终端结构面积相同的情况下获得更高的耐压,或者在相同耐压的情况下具有比常规超结结构更小的面积。
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公开(公告)号:CN102683402B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201210123005.4
申请日:2012-04-24
Applicant: 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC: H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7395
Abstract: 一种平面栅电荷存储型IGBT,属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统平面栅电荷存储型IGBT的基础上,在N型漂移区和N型电荷存储层之间引入一层P型埋层;通过P型埋层引入的附加PN结和电荷的电场调制作用,屏蔽了高掺杂N型电荷存储层对器件击穿电压的不利影响,从而使器件获得高的击穿电压;同时由于P型埋层对N型电荷存储层的电场屏蔽作用,本发明可采用较高的N型电荷存储层掺杂浓度,从而可增强器件N型漂移区内的电导调制并优化N型漂移区内的载流子分布,从而使器件获得更低的正向导通压降以及更好的正向导通压降和关断损耗的折中。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。
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公开(公告)号:CN114565633B
公开(公告)日:2024-10-22
申请号:CN202210207060.5
申请日:2022-03-04
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于概念结构元素和矩阵范数的彩色图像边缘提取方法,其实现步骤是:从待提取边缘的彩色图像中选取一个未选过的像素,以所选像素为中心提取像素窗口;生成像素窗口中所有像素的背景矩阵;生成对象关系矩阵;确定所选像素的概念结构元素;利用像素的矩阵范数,确定概念结构元素中的最大像素;将生成的差值像素赋值;逐次对待提取边缘的彩色图像中的每个像素点进行边缘提取,得到边缘提取后的彩色图像。本发明可以提取彩色图像的实际边缘,且边缘提取后的彩色图像具有高清晰度、无噪声干扰等优点。
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公开(公告)号:CN116920913A
公开(公告)日:2023-10-24
申请号:CN202310954633.5
申请日:2023-08-01
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种简单、低成本的乙醇基与磷酸基共修饰的g‑C3N4光催化剂的制备方法,包括如下步骤:首先将尿素与n‑乙酰乙醇胺混合的水溶液进行混合,搅拌,离心,清洗,干燥后再煅烧等到乙醇基团修饰的UCN‑NA;其次将上述UCN‑NA与亚磷酸溶液混合,搅拌,离心,清洗,干燥一系列操作后再进行煅烧,得到所述的乙醇基与磷酸基共修饰的g‑C3N4光催化剂。本发明所得的催化剂兼具了光吸收范围广,比表面积高,催化活性高的优点,将其应用于光催化产氢过程中,能够实现高效率的光催化产氢且性能稳定,其制备方法工艺简单,操作方便,易于实现工业化,具有较高的实用价值。
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公开(公告)号:CN107016161A
公开(公告)日:2017-08-04
申请号:CN201710121415.8
申请日:2017-03-02
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Zernike多项式和三角函数的赋形反射面天线型面描述方法,包括确定反射面天线结构信息及型面离散点坐标;进行坐标转化;确定Zernike多项式中反射面口径投影方位和径向指数初始值;采用最小二乘法计算天线型面描述方程中三角函数系数;得到Zernike多项式和三角函数构成的天线型面描述方程,计算型面离散点相对于方程的均方根误差;判断得到的型面离散点均方根误差是否满足型面描述要求,若满足要求,则得到最佳的赋形反射面天线型面描述方程,否则修改方位和径向指数。本发明能根据得到的赋形反射面天线型面离散点直接计算出天线表面描述数学方程,为天线不同频段观测时型面切换和性能补偿提供必需的天线型面全域精确信息。
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公开(公告)号:CN118510252A
公开(公告)日:2024-08-16
申请号:CN202410596973.X
申请日:2024-05-13
Applicant: 中国科学院新疆天文台 , 杭州电子科技大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明提供一种具有高屏蔽效能的射电望远镜换馈系统,包括:接收机装置,包括多套接收机组件;换馈运行装置,包括转动圆盘,多套接收机组件均安装于其上;和屏蔽防护装置,包括屏蔽间、设于接收机组件和转动圆盘之间的馈源屏蔽模块、设于屏蔽间顶壁和转动圆盘之间的迷宫环屏蔽结构,和填充于屏蔽结构缝隙的可替换屏蔽模块;迷宫环屏蔽结构包括彼此交错配合的设于转动圆盘的外圈上的转动齿和设于屏蔽间的顶壁上的配合槽;可替换屏蔽模块是可拆卸的,包括插入迷宫环屏蔽结构的缝隙的支撑圆环以及设于支撑圆环的内侧的弹性屏蔽衬垫。本发明的射电望远镜换馈系统具备高屏蔽效能,以缓解自身电磁干扰对天文观测的影响。
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公开(公告)号:CN117239421A
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202311204690.8
申请日:2023-09-18
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种主动主反射面天线主副伺协同调控方法,涉及主动主反射面天线技术领域,包括:获取当前变形主反射面对应的促动器单步调整量;判断所述当前变形主反射面对应的促动器单步调整量是否小于预设的促动器调整步长,得到判断结果;根据所述判断结果对主反射面、副反射面和伺服系统进行协同调控。本发明能够极大的改善主动主反射面天线在调整过程中的指向和电性能,通过服役过程中对变形的实时监测,并不断循环,可实现主动主反射面天线调控系统的协同控制。
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公开(公告)号:CN114565633A
公开(公告)日:2022-05-31
申请号:CN202210207060.5
申请日:2022-03-04
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于概念结构元素和矩阵范数的彩色图像边缘提取方法,其实现步骤是:从待提取边缘的彩色图像中选取一个未选过的像素,以所选像素为中心提取像素窗口;生成像素窗口中所有像素的背景矩阵;生成对象关系矩阵;确定所选像素的概念结构元素;利用像素的矩阵范数,确定概念结构元素中的最大像素;将生成的差值像素赋值;逐次对待提取边缘的彩色图像中的每个像素点进行边缘提取,得到边缘提取后的彩色图像。本发明可以提取彩色图像的实际边缘,且边缘提取后的彩色图像具有高清晰度、无噪声干扰等优点。
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公开(公告)号:CN112529927A
公开(公告)日:2021-03-19
申请号:CN202011458861.6
申请日:2020-12-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于FPGA形态学算子的自适应彩色图像轮廓提取系统及方法,本发明的系统由控制模块、搜索结构生成模块、自适应优化模块、膨胀算子生成模块、腐蚀算子生成模块、轮廓提取模块组成。本发明使用控制模块提取待处理彩色图像的亮度分量;搜索结构模块将亮度分量填入构建的搜索结构中;自适应优化模块将搜索结构中的元素进行自适应优化;膨胀、腐蚀算子生成模块借助优化后的搜索结构生成膨胀、腐蚀算子;轮廓信息生成模块借助膨胀、腐蚀算子生成图像的轮廓数据。本发明可用在FPGA上实现彩色图像的轮廓提取,具有图像处理速度快,细节处理效果好的优点。
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