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公开(公告)号：CN117238978A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311137990.9
申请日：2023-09-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/108 , H01L31/032 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本发明的目的在于提供一种自驱动的宽光谱光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域。该探测器中，窄带隙二维半导体的一侧与金属接触，另一侧与二维半金属接触，从而在窄带隙二维半导体两侧分别构建良好的非对称肖特基和欧姆接触。该结构在无须外部供电条件下实现了从可见光到红外光谱的宽探测光谱范围和高光探性能，并且器件在零偏置下的暗电流较小，可达10‑13A，同时具有高响应度。
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