公开(公告)号：CN118591267A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410698710.X

申请日：2024-05-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 熊杰 ,  刘雨晴 ,  罗正扬 ,  汪洋 ,  马惠琴 ,  徐宏伟 ,  李宗沛 ,  邵明昕 ,  杜新川 ,  杨超 ,  李鹏

IPC: H10N60/01 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种YBCO纳米线的制备方法，属于单光子探测技术领域。该方法先基于氯气辅助等离子耦合反应离子刻蚀对YBCO薄膜进行刻蚀制备形成纳米线，刻蚀结束后立即将样品置于高真空环境中进行退火，从而实现百纳米级YBCO纳米线低损伤加工，并且加工得到的YB CO薄膜仍具有超导性能。

公开(公告)号：CN119710549A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202510006213.3

申请日：2025-01-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗正扬 ,  汪洋 ,  刘雨晴 ,  马惠琴 ,  张淼 ,  黄建文 ,  李鹏 ,  熊杰

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/30 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明提供一种在YBCO薄膜表面制备无损伤金属电极的方法、装置，属于电极制备技术领域。该方法创新性地采用低温蒸镀电极，避免了传统电极制备方法中YBCO膜与化学试剂的直接接触；同时，自主设计改装蒸镀装置，该装置在蒸镀过程通过控制液氮流量以及加热功率控制基片台的温度，实现低温蒸镀，从而减少了电极蒸镀过程中热效应在YBCO薄膜中的累积，使得YBCO薄膜在完成金属电极的制备后仍然具有十分优异的超导性能。

公开(公告)号：CN119900005A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202510069492.8

申请日：2025-01-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 汪洋 ,  马惠琴 ,  刘雨晴 ,  罗正扬 ,  杨超 ,  李鹏 ,  王显福 ,  熊杰

IPC: C23C14/32 ,  C01G3/00 ,  C23C14/14 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/513

Abstract: 本发明的目的在于提供一种低温低气压制备YBCO纳米线的方法，属于单光子探测技术领域。该方法采用电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP‑RIE)技术进行纳米线制备。采用本发明方法制备YBCO纳米线，纳米线厚度低至5nm，宽度可窄至68nm，并确保了纳米线的优异形貌和电学特性。通过精确调控温度和气压参数，有效减少了刻蚀过程中因热效应导致的损伤，得到了极小的横向刻蚀损伤宽度(约15nm)。同时，批量制备纳米线的开关电流(Is)变异系数小于6％和电阻‑温度(R‑T)特性的变异系数小于1％，证明了其出色的均匀性。

公开(公告)号：CN117626202A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311657160.9

申请日：2023-12-06

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 熊杰 ,  李宗沛 ,  汪洋 ,  罗正扬 ,  杨超 ,  徐宏伟 ,  黄建文 ,  杜新川 ,  李鹏 ,  王显福

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种具有量子金属态的YBCO薄膜的制备方法，属于超导薄膜制备技术领域，具体为：对设备预热，退火腔与沉积腔的温度加热到800℃以上；预溅射10～30min；衬底置于沉积腔中，通入氩气，气压达10～20Pa时通入氧气，30Pa时开启溅射，双靶溅射电流为0.5A，转动衬底，以0.5～0.6nm/min速率生长5min，退火腔降温到700℃以下停止通入氧气，退火30min，得到2.5～3nm厚的超薄YBCO薄膜，置于6T以上的恒定磁场中，降温至2K以下，获得具有量子金属态的YBCO薄膜。本发明在无需进行任何其他加工的YBCO薄膜上实现超导‑金属转变，制备方法简洁快速，可用于大规模制备。