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公开(公告)号：CN108370244B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201680075196.8
申请日：2016-12-19
Applicant: 京瓷株式会社 , 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明课题是提供一种密封环，在含有可伐合金的基材的单面具有金属焊料层且在另一面具有金属镀层的密封环中，能够防止向金属镀层表面产生污点，实现电子元件收纳用封装体的优异的气密性。本发明通过环状的密封环解决上述课题，该密封环在含有可伐合金(铁‑镍‑钴合金)的基材的第一面具有镍层且在所述第一面的相反侧的第二面具有金属焊料层，所述镍层的厚度是0.1μm～20μm。
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公开(公告)号：CN104797735B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201380060410.9
申请日：2013-11-19
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: C23C14/14 , B23K35/0244 , B23K35/3006 , B32B15/018 , C22C1/00 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22C9/00 , C23C14/16 , C23C14/228 , C23C14/28 , H01R13/03
Abstract: 本发明的课题在于，对于在基材的表面上涂布有含Ag层的包层复合材料而言，难以使构成含Ag层的组织的含有Ag的微粒的粒径在厚度方向上均匀。本发明的解决手段是，对含有Ag的蒸发源(15)照射从含有Ag的蒸发源(15)蒸发出含有Ag的微粒的光斑直径的高能量激光(17)而蒸发出含有Ag的微粒，将其在高真空气氛下喷射到基材(33)上而使其物理蒸镀到基材(33)上，在基材(33)上形成含Ag层。
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公开(公告)号：CN106413976B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201580028144.0
申请日：2015-05-18
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明以提供用于电子部件的气密密封的包层材料及其制造方法为课题，该包层材料的冲压加工性优异，并且由可伐和银系钎料构成。在可伐层的表面上，奥氏体相在可伐晶粒的全部面积中所占有的面积的比例为99.0至100.0％，其中该面积的比例由根据电子束背散射衍射法得到的晶相分布测定而计算出，并且，该可伐晶粒的平均晶粒直径为0.5至3.5μm。
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公开(公告)号：CN109155208A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780031425.0
申请日：2017-05-19
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: H01H1/04 , B32B15/01 , B32B15/20 , C22C5/06 , C22C9/00 , C22C9/06 , C22F1/08 , C22F1/14 , H01H11/04 , C22F1/00
Abstract: 本发明是一种电触点用的覆层材料，其是在由Cu系的析出型时效硬化材料构成的基材上接合由Ag合金构成的触点材料而成的电触点用的覆层材料，其特征在于，所述触点材料与所述基材的接合界面的、含有Ag和Cu的扩散区域的宽度为2.0μm以下。该覆层材料通过将预先进行了固溶处理和时效硬化的基材与触点材料接合来制造，由此抑制接合后扩散区域扩大。根据本发明，可以在不损害Cu系析出型时效硬化材料所具有的特性的情况下得到实现高导电率的电触点。
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公开(公告)号：CN106413976A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580028144.0
申请日：2015-05-18
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: B23K20/04 , B23K35/30 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22C38/00 , C22C38/10 , H01L23/02 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明以提供用于电子部件的气密密封的包层材料及其制造方法为课题，该包层材料的冲压加工性优异，并且由可伐和银系钎料构成。在可伐层的表面上，奥氏体相在可伐晶粒的全部面积中所占有的面积的比例为99.0至100.0％，其中该面积的比例由根据电子束背散射衍射法得到的晶相分布测定而计算出，并且，该可伐晶粒的平均晶粒直径为0.5至3.5μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102138191A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201080002521.0
申请日：2010-05-28
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: H01H1/023 , B32B15/018 , C22C5/02 , C22C30/04 , C22C30/06 , H01H1/36 , Y10T428/12868
Abstract: 本发明是含有40～60重量％的Au、15～25重量％的Pd，还必须含有Sn和In，并且Sn和In的含量以总量计为1～4重量％，其余部分为Ag的滑动接点材料；以及含有40～60重量％的Au、15～25重量％的Pd，还含有Zn，并且Zn的含量为0.1～5重量％，其余部分为Ag的滑动接点材料。本发明的滑动接点材料不易受到与使用接点材料时必须使用的润滑脂的相互作用的影响，接触电阻的稳定性良好，可长时间使用。
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公开(公告)号：CN109155208B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201780031425.0
申请日：2017-05-19
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: H01H1/04 , B32B15/01 , B32B15/20 , C22C5/06 , C22C9/00 , C22C9/06 , C22F1/08 , C22F1/14 , H01H11/04 , C22F1/00
Abstract: 本发明是一种电触点用的覆层材料，其是在由Cu系的析出型时效硬化材料构成的基材上接合由Ag合金构成的触点材料而成的电触点用的覆层材料，其特征在于，所述触点材料与所述基材的接合界面的、含有Ag和Cu的扩散区域的宽度为2.0μm以下。该覆层材料通过将预先进行了固溶处理和时效硬化的基材与触点材料接合来制造，由此抑制接合后扩散区域扩大。根据本发明，可以在不损害Cu系析出型时效硬化材料所具有的特性的情况下得到实现高导电率的电触点。
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公开(公告)号：CN116472136A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202180072166.2
申请日：2021-10-25
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
IPC: B23K20/00
Abstract: 本发明涉及例如将Si半导体等和基板作为被接合材料、通过液相扩散接合将这一对被接合材料接合时应形成的接合结构。该接合结构包含呈现出特殊的材料组织的接合部。该接合部的金属组成由78.0质量％以上且80.0质量％以下的Ag、20.0质量％以上且22.0质量％以下的Sn和不可避免的杂质元素构成。而且，对接合部的任意截面进行观察时，呈现出由含有95质量％以上的Ag的岛状Ag相以及包围上述岛状Ag相的由Ag3Sn金属间化合物构成的Ag3Sn相构成的特征性的材料组织。本发明的接合结构所具备的接合部的接合强度适当，由于上述材料组织，耐热性和耐久性优良。
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公开(公告)号：CN108370244A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680075196.8
申请日：2016-12-19
Applicant: 京瓷株式会社 , 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: H01L23/02 , H01L23/10 , H01L2924/16195 , H03H3/02 , H03H9/02
Abstract: 本发明课题是提供一种密封环，在含有可伐合金的基材的单面具有金属焊料层且在另一面具有金属镀层的密封环中，能够防止向金属镀层表面产生污点，实现电子元件收纳用封装体的优异的气密性。本发明通过环状的密封环解决上述课题，该密封环在含有可伐合金(铁-镍-钴合金)的基材的第一面具有镍层且在所述第一面的相反侧的第二面具有金属焊料层，所述镍层的厚度是0.1μm～20μm。
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公开(公告)号：CN104797735A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201380060410.9
申请日：2013-11-19
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: C23C14/14 , B23K35/0244 , B23K35/3006 , B32B15/018 , C22C1/00 , C22C5/06 , C22C5/08 , C22C9/00 , C23C14/16 , C23C14/228 , C23C14/28 , H01R13/03
Abstract: 本发明的课题在于，对于在基材的表面上涂布有含Ag层的包层复合材料而言，难以使构成含Ag层的组织的含有Ag的微粒的粒径在厚度方向上均匀。本发明的解决手段是，对含有Ag的蒸发源(15)照射从含有Ag的蒸发源(15)蒸发出含有Ag的微粒的光斑直径的高能量激光(17)而蒸发出含有Ag的微粒，将其在高真空气氛下喷射到基材(33)上而使其物理蒸镀到基材(33)上，在基材(33)上形成含Ag层。
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