公开(公告)号：CN106413976B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201580028144.0

申请日：2015-05-18

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 竹内顺一 ,  伊藤洋树

IPC: B23K35/14 ,  B23K20/04 ,  B23K35/30 ,  H01L23/02 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C38/00 ,  C22C38/10

Abstract: 本发明以提供用于电子部件的气密密封的包层材料及其制造方法为课题，该包层材料的冲压加工性优异，并且由可伐和银系钎料构成。在可伐层的表面上，奥氏体相在可伐晶粒的全部面积中所占有的面积的比例为99.0至100.0％，其中该面积的比例由根据电子束背散射衍射法得到的晶相分布测定而计算出，并且，该可伐晶粒的平均晶粒直径为0.5至3.5μm。

公开(公告)号：CN106413976A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580028144.0

申请日：2015-05-18

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 竹内顺一 ,  伊藤洋树

IPC: B23K35/14 ,  B23K20/04 ,  B23K35/30 ,  H01L23/02 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C38/00 ,  C22C38/10

CPC classification number: B23K20/04 ,  B23K35/30 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C38/00 ,  C22C38/10 ,  H01L23/02 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明以提供用于电子部件的气密密封的包层材料及其制造方法为课题，该包层材料的冲压加工性优异，并且由可伐和银系钎料构成。在可伐层的表面上，奥氏体相在可伐晶粒的全部面积中所占有的面积的比例为99.0至100.0％，其中该面积的比例由根据电子束背散射衍射法得到的晶相分布测定而计算出，并且，该可伐晶粒的平均晶粒直径为0.5至3.5μm。