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公开(公告)号：CN107429408B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201680015261.8
申请日：2016-03-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 揭示一种用于以可控制方式从衬底移除金属的系统和方法。系统包含腔室，所述腔室具有允许气体流动到腔室中的一个或多个气体入口、至少一个排气泵，所述至少一个排气泵将气体从腔室排出，以及加热器，所述加热器能够调节腔室温度。在一些实施例中，在第一温度下将一种或多种气体引入到腔室中。这些气体中的原子与衬底表面上的金属起化学反应以形成可移除的化合物。随后将气体从腔室排出，在衬底表面上留下可移除的化合物。接着将腔室的温度升高到高于可移除的化合物的升华温度的第二温度。此升高的温度使可移除的化合物变为气态并从腔室中排出。
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公开(公告)号：CN107429408A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680015261.8
申请日：2016-03-01
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 揭示一种用于以可控制方式从衬底移除金属的系统和方法。系统包含腔室，所述腔室具有允许气体流动到腔室中的一个或多个气体入口、至少一个排气泵，所述至少一个排气泵将气体从腔室排出，以及加热器，所述加热器能够调节腔室温度。在一些实施例中，在第一温度下将一种或多种气体引入到腔室中。这些气体中的原子与衬底表面上的金属起化学反应以形成可移除的化合物。随后将气体从腔室排出，在衬底表面上留下可移除的化合物。接着将腔室的温度升高到高于可移除的化合物的升华温度的第二温度。此升高的温度使可移除的化合物变为气态并从腔室中排出。
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