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公开(公告)号：CN208622685U
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201821206659.2
申请日：2018-07-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 弗莱彻·伊恩·波特IV , 菲力浦·莱恩 , 基斯·费恩隆德
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开的实施例包括一种处理装置及一种用于工件边缘处理的固定位置掩模。在一些实施例中，掩模直接耦合到多轴旋转手臂的托架，其中所述掩模能够与台板相邻地定位以覆盖工件的内侧部分并使所述工件的仅外圆周边缘暴露于离子处理。所述掩模可包括界定平板区段及安装结构的第一侧及第二侧。所述掩模还可包括从所述第一侧及所述第二侧中的至少一者延伸的加强特征。所述安装结构可从所述平板区段延伸，其中所述安装结构耦合到所述托架。在一些实施例中，所述台板在离子处理期间被允许相对于所述托架旋转。在一些实施例中，所述掩模的所述平板区段是不具有任何开口的实心结构。
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