公开(公告)号：CN101203933B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680013410.3

申请日：2006-03-15

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 方子韦 ,  理查·艾波 ,  文森特·丹龙 ,  维克拉姆·辛区 ,  哈勒德·M·波辛

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32412 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/3299 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种方法及装置是针对提供等离子体掺杂系统中的掺杂剂轮廓调整解决方案以符合浓度及结深度要求。可执行偏压斜线上升及偏压斜线上升率调整以达成所要的掺杂剂轮廓，使得实现对等离子体掺杂系统中的元件缩放是关键的垂直方向及横向上浅并陡的结。

公开(公告)号：CN101203933A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200680013410.3

申请日：2006-03-15

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 方子韦 ,  理查·艾波 ,  文森特·丹龙 ,  维克拉姆·辛区 ,  哈勒德·M·波辛

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32412 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/3299 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种方法及装置是针对提供等离子体掺杂系统中的掺杂剂轮廓调整解决方案以符合浓度及结深度要求。可执行偏压斜线上升及偏压斜线上升率调整以达成所要的掺杂剂轮廓，使得实现对等离子体掺杂系统中的元件缩放是关键的垂直方向及横向上浅并陡的结。