公开(公告)号：CN102237272B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201110120262.8

申请日：2011-05-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 久米一平 ,  川原润 ,  古武直也 ,  齐藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置和半导体装置制造方法。所述半导体装置制造方法包括：在衬底上形成包含Si和C的帽绝缘膜；在所述帽绝缘膜上形成有机硅膜，所述有机硅膜的碳原子数对硅原子数的组成比高于所述帽绝缘膜；和通过等离子体加工，在所述有机硅膜中形成具有不同开口直径的两个以上凹部，在所述等离子体加工中使用包含惰性气体、含N的气体、碳氟化合物气体和氧化剂气体的混合气体。

公开(公告)号：CN101740573B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200910222830.8

申请日：2009-11-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川原润 ,  林喜宏 ,  久米一平

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/92 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底；多层布线结构，该多层布线结构被形成在半导体衬底的上方并且其中层压其中的每一个都通过布线和绝缘层形成的多个布线层；以及电容元件，该电容元件具有被掩埋在多层布线结构中的上电极、下电极、以及电容器绝缘层，其中布线层中的至少两个或者更多被提供在被连接至下电极的下电容器布线与被连接至上电极的上电容器布线之间。

公开(公告)号：CN102254916B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201110135436.8

申请日：2011-05-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 肱冈健一郎 ,  久米一平 ,  井上尚也 ,  白井浩树 ,  川原润 ,  林喜宏

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/485 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L21/76811 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件具有：衬底；多层互连，其形成在衬底上，并且具有多个互连层，其中每一个互连层通过堆叠在其中的互连和绝缘层构成；存储器电路，在平面图中其形成于衬底上的存储器电路区域中，并且具有外围电路和在多层互连中嵌入的至少一个电容器元件；以及，逻辑电路，其形成于在衬底上的逻辑电路区域中，其中，电容器元件由下电极、电容器绝缘膜、上电极、嵌入电极和上互连构成；上互连的上表面和在与上互连相同的互连层中形成的构成逻辑电路的互连的顶表面被对齐到相同的平面。

公开(公告)号：CN102254916A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110135436.8

申请日：2011-05-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 肱冈健一郎 ,  久米一平 ,  井上尚也 ,  白井浩树 ,  川原润 ,  林喜宏

IPC: H01L27/108 ,  H01L23/485 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L21/76811 ,  H01L23/5223 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/75 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件具有：衬底；多层互连，其形成在衬底上，并且具有多个互连层，其中每一个互连层通过堆叠在其中的互连和绝缘层构成；存储器电路，在平面图中其形成于衬底上的存储器电路区域中，并且具有外围电路和在多层互连中嵌入的至少一个电容器元件；以及，逻辑电路，其形成于在衬底上的逻辑电路区域中，其中，电容器元件由下电极、电容器绝缘膜、上电极、嵌入电极和上互连构成；上互连的上表面和在与上互连相同的互连层中形成的构成逻辑电路的互连的顶表面被对齐到相同的平面。

公开(公告)号：CN102074560B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201010563443.3

申请日：2010-11-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川原润 ,  林喜宏 ,  久米一平

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/28 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件具有：半导体衬底，该衬底具有形成在其上的晶体管；多层互连，其形成在半导体衬底上并且其中堆叠有分别由互连和绝缘膜组成的多个互连层；以及电容元件，具有全部都被嵌入在多层互连中以组成存储元件的下电极(下电极膜)、电容器绝缘膜和上电极(上电极膜)；并且进一步包括形成在电容元件和晶体管之间的至少一层镶嵌结构的铜互连(第二层互连)；互连中之一(第二层互连)的上表面和电容元件的下表面几乎在同一平面上对齐；并且至少一层铜互连(板线互连)形成在电容元件上。

公开(公告)号：CN102237272A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110120262.8

申请日：2011-05-09

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 久米一平 ,  川原润 ,  古武直也 ,  齐藤忍 ,  林喜宏

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置和半导体装置制造方法。所述半导体装置制造方法包括：在衬底上形成包含Si和C的帽绝缘膜；在所述帽绝缘膜上形成有机硅膜，所述有机硅膜的碳原子数对硅原子数的组成比高于所述帽绝缘膜；和通过等离子体加工，在所述有机硅膜中形成具有不同开口直径的两个以上凹部，在所述等离子体加工中使用包含惰性气体、含N的气体、碳氟化合物气体和氧化剂气体的混合气体。

公开(公告)号：CN102074560A

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201010563443.3

申请日：2010-11-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川原润 ,  林喜宏 ,  久米一平

IPC: H01L27/04 ,  H01L23/28 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10882 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件具有：半导体衬底，该衬底具有形成在其上的晶体管；多层互连，其形成在半导体衬底上并且其中堆叠有分别由互连和绝缘膜组成的多个互连层；以及电容元件，具有全部都被嵌入在多层互连中以组成存储元件的下电极(下电极膜)、电容器绝缘膜和上电极(上电极膜)；并且进一步包括形成在电容元件和晶体管之间的至少一层镶嵌结构的铜互连(第二层互连)；互连中之一(第二层互连)的上表面和电容元件的下表面几乎在同一平面上对齐；并且至少一层铜互连(板线互连)形成在电容元件上。