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公开(公告)号:CN118090864A
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202410025615.3
申请日:2024-01-08
Applicant: 燕山大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种基于二维钒原子掺杂硫化钨材料的场效应晶体管的生物传感器,该场效应晶体管为底栅极结构场效应晶体管,包括SiO2/Si基底、设置于SiO2/Si基底上的钒原子掺杂硫化钨层和设置于钒原子掺杂硫化钨层上的源极和漏极;钒原子掺杂硫化钨层作为场效应晶体管的导电沟道;SiO2/Si基底中,SiO2作为绝缘层,Si同时作为衬底和栅极;其制备方法包括以下步骤:利用化学气相沉积法在SiO2/Si基底上制备钒原子掺杂硫化钨层;旋涂光刻胶,曝光显影后沉积金属形成源极和漏极;去除光刻胶和多余的金属;旋涂光刻胶,曝光显影后暴露出源极、漏极和栅极中的对电极接线区域以及单层钒原子掺杂硫化钨层形成导电沟道。