公开(公告)号：CN108986851A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810489181.7

申请日：2018-05-21

Applicant: 施乐公司

Inventor： J·M·福勒

IPC: G11C5/04 ,  H01L27/11507

CPC classification number: G11C11/2273 ,  G11B9/02 ,  G11B9/1454 ,  G11C5/04 ,  G11C11/221 ,  H01L27/11507

Abstract: 一种圆形存储器装置包含多个底部电极、多个顶部电极、铁电层以及在所述铁电层内在所述底部电极中的每一个与每一顶部电极的交叉点处的多个存储器存储位置。所述底部电极和顶部电极的接触垫可包含限定环形扇区的周边，所述环形扇区允许在一定范围的旋转位置内对所述圆形存储器装置执行存储器操作。在实例实施方案中，可对所述圆形存储器装置执行所述存储器操作，而不管所述圆形存储器装置相对于读取器的旋转定向。

公开(公告)号：CN108701479A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780014398.6

申请日：2017-01-25

Applicant: 美光科技公司

Inventor： S·J·德尔纳 ,  C·J·卡瓦姆拉

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/2273 ,  G11C7/14 ,  G11C11/221 ,  G11C11/2255 ,  G11C11/2297

Abstract: 描述用于操作一或若干铁电存储器单元的方法、系统和装置。第一铁电存储器单元可被初始化为第一状态且第二铁电存储器单元可被初始化为不同状态。每一状态可具有对应数字线电压。所述第一和第二铁电存储器单元的数字线可连接，从而使得在所述两个数字线之间发生电荷共享。由所述两个数字线之间的所述电荷共享产生的电压可由其它组件用作参考电压。

公开(公告)号：CN107077966A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580024194.1

申请日：2015-08-17

Applicant: 沙特基础工业全球技术公司

Inventor： 穆赫德·阿德南·可汗

IPC: H01G4/008 ,  H01G7/06

CPC classification number: H01L27/11507 ,  G11C11/221 ,  H01G4/008 ,  H01G7/06 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/288 ,  H01L28/60 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/053 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/29 ,  H02J7/007 ,  H02J7/345

Abstract: 描述了具有掺杂石墨烯底电极的铁电电容器和其用途。掺杂石墨烯底电极层沉积于衬底上，且铁电层沉积于掺杂石墨烯层和上电极之间。

公开(公告)号：CN106575702A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580043366.X

申请日：2015-06-03

Applicant: 沙特基础工业全球技术公司

Inventor： 朴志勋 ,  胡萨姆·N·阿尔沙雷夫 ,  穆赫德·A·卡恩 ,  伊哈卜·尼扎尔·乌达

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/15

CPC classification number: G11C11/2275 ,  G11C11/221 ,  G11C11/2273 ,  G11C11/2277 ,  G11C11/5657 ,  H01L27/11509 ,  H01L27/20

Abstract: 铁电部件，例如上述的铁电场效应晶体管(FeFET)、铁电电容器和铁电二极管，可以用作如本发明所述的多级存储器单元。在每个多级存储器单元中存储多个信息位可以由耦合到铁电部件的阵列的控制器执行，该铁电部件的阵列配置为铁电存储器单元。控制器可以执行以下步骤：接收用于写入多级存储器单元的位模式，该多级存储器单元包括铁电层；至少部分地基于接收的位模式选择用于将写入脉冲施加到所述存储器单元的脉冲持续时间；以及将具有选择的脉冲持续时间的至少一个写入脉冲施加到所述存储器单元，其中所述至少一个写入脉冲在所述铁电层内产生代表接收的位模式的残余极化。

公开(公告)号：CN105448322A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510615671.3

申请日：2015-09-24

Applicant: 拉碧斯半导体株式会社

Inventor： 土井均

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/2257 ,  G11C11/22 ,  G11C11/221

Abstract: 本发明涉及铁电存储器。提供一种抑制由于板线的电位的变动造成的铁电电容器的剩余极化量的减少而数据保持特性优越的铁电存储器。具有：存储单元块，将1T1C结构的多个存储单元连接于j个位线和k个字线而排列为j行k列而成；k个板线，共同连接于存储单元块的各列的电容器；板线驱动电路，根据字线的选择将与该选择的字线对应的板线作为驱动对象来选择性地施加与第一逻辑电平对应的第一电位和与第二逻辑电平对应的第二电位的任一个；均衡电路，对j个位线的每一个进行均衡处理，板线驱动电路被构成为在由均衡电路进行的均衡处理的开始前对驱动对象的板线施加第三电位。

公开(公告)号：CN104350625A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201380030277.2

申请日：2013-06-05

Applicant: 沙特基础工业公司

Inventor： 胡萨姆·N·阿尔沙里夫 ,  班萨利·昂纳特 ,  穆赫德·阿德南·克翰 ,  穆萨·M·萨利赫 ,  伊哈布·N·奥德

IPC: H01L49/02 ,  C08G61/12 ,  C08L25/18 ,  H01B1/12 ,  H01G4/008 ,  H01G4/14 ,  H01L23/532 ,  H01L51/00 ,  G11C11/22 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L51/102 ,  B82Y10/00 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/794 ,  C08G2261/92 ,  C08G2261/95 ,  C08L25/18 ,  C08L65/00 ,  G11C11/221 ,  H01B1/127 ,  H01B1/128 ,  H01G4/18 ,  H01G4/206 ,  H01G7/06 ,  H01L27/101 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L51/0001 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0591

Abstract: 使用掺杂的导电有机聚合物来形成铁电装置的电极或相互连接件。示例性铁电装置是包括以下各项的铁电电容器：基板(101)；布置于所述基板上的第一电极(106)；布置于所述第一电极上并与其接触的铁电层(112)；以及布置于所述铁电层上并与其接触的第二电极(116)；其中，所述第一电极和第二电极中的至少一个是包含掺杂的导电有机聚合物，例如掺杂DMSO PEDOT-PSS的有机电极。

公开(公告)号：CN101981600B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200880128528.X

申请日：2008-08-20

Applicant: 通用电气医疗集团生物科学生物方法公司

Inventor： M·尼费勒 ,  R·A·波蒂拉洛 ,  V·F·皮兹 ,  W·G·莫里斯 ,  G·J·加赫 ,  V·辛格

IPC: G08B13/14

CPC classification number: G06K7/10009 ,  G06K7/0008 ,  G06K19/0723 ,  G06K19/14 ,  G06Q10/08 ,  G11C11/22 ,  G11C11/221

Abstract: 本发明提供能够认证和防止一次性生物过程组件的非法制作和未经授权操作的系统和设备。本发明利用铁电随机存取存储器(FRAM)芯片以在附连到一次性生物过程组件的RFID标签上存储可纠错信息，其中，可纠错信息按顺序写入存储器芯片，以便在RFID标签和一次性生物过程组件进行伽马灭菌时冗余信息能保持在芯片中。此外，本发明包括一种用于认证一次性生物过程组件的方法，其减少责任，因为质量差的假冒一次性组件不在硬件上使用，因此，用户将不会提出不合理投诉。

公开(公告)号：CN101981600A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200880128528.X

申请日：2008-08-20

Applicant: 通用电气医疗集团生物科学生物方法公司

Inventor： M·尼费勒 ,  R·A·波蒂拉洛 ,  V·F·皮兹 ,  W·G·莫里斯 ,  G·J·加赫 ,  V·辛格

IPC: G08B13/14

CPC classification number: G06K7/10009 ,  G06K7/0008 ,  G06K19/0723 ,  G06K19/14 ,  G06Q10/08 ,  G11C11/22 ,  G11C11/221

Abstract: 本发明提供能够认证和防止一次性生物过程组件的非法制作和未经授权操作的系统和设备。本发明利用铁电随机存取存储器(FRAM)芯片以在附连到一次性生物过程组件的RFID标签上存储可纠错信息，其中，可纠错信息按顺序写入存储器芯片，以便在RFID标签和一次性生物过程组件进行伽马灭菌时冗余信息能保持在芯片中。此外，本发明包括一种用于认证一次性生物过程组件的方法，其减少责任，因为质量差的假冒一次性组件不在硬件上使用，因此，用户将不会提出不合理投诉。

公开(公告)号：CN109643569A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780052709.8

申请日：2017-08-28

Applicant: 拉迪安特技术公司

Inventor： 小约瑟夫·T·埃文斯 ,  卡尔文·B·沃德

IPC: G11C11/22 ,  G11C11/16 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/419 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C11/2275 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/22 ,  G11C11/221 ,  G11C11/2259 ,  G11C11/2273 ,  G11C11/4096 ,  G11C11/419 ,  G11C11/5642 ,  G11C11/5657

Abstract: 公开了一种铁电存储器以及一种用于操作铁电存储器的方法。所述铁电存储器包括具有铁电电容器的铁电存储器单元，所述铁电电容器由最大剩余电荷Q最大来表征。写入电路接收具有两个以上状态的数据值以存储在所述铁电电容器中。所述写入电路测量所述铁电电容器的Q最大，确定作为要存储在所述铁电电容器中的所测量Q最大的分数的电荷，所述分数是由所述数据值确定的。所述写入电路使得等于所述分数乘以Q最大的电荷存储在所述铁电电容器中。读取电路通过以下方式来确定存储在所述铁电电容器中的值：测量存储在所述铁电电容器中的电荷；测量所述铁电电容器的Q最大；并且根据所测量电荷和所测量Q最大来确定所述数据值。

公开(公告)号：CN108735259A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810349891.X

申请日：2018-04-18

Applicant: 拉碧斯半导体株式会社

Inventor： 佐野圣志

IPC: G11C11/22

CPC classification number: G11C11/2273 ,  G11C11/221

Abstract: 本发明提供一种抑制电路规模和消耗电流的增大，且读出电压的余量更大的半导体存储装置以及半导体存储装置的读出方法。包含：第一位线(GBL)；第二位线(BL)，经由第一开关(26)与第一位线(GBL)连接；电荷传输部，上述电荷传输部包含与第二位线(BL)连接并且保持来自储存有数据的存储部(70)的读出电压的第一保持部(74)和与第一位线(GBL)连接并且保持由于与第一保持部(74)之间的电荷传输而产生的电压的第二保持部(78)，并经由第一位线(GBL)在第一保持部(74)和第二保持部(78)之间传输电荷；以及比较部(40)，对第二保持部(78)所保持的电压和基准电压(Vref)进行比较。