公开(公告)号：CN119598597A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411612998.0

申请日：2024-11-12

Applicant: 清华大学

Inventor： 张一慧 ,  王书恒 ,  赵建中 ,  庞文博 ,  刘卿 ,  柏韧恒

IPC: G06F30/15 ,  G06F30/23 ,  G06F30/28 ,  G06T17/20 ,  G06F111/10 ,  G06F113/08 ,  G06F113/28 ,  G06F119/14

Abstract: 本公开涉及一种微飞行器结构优化方法及装置、电子设备和存储介质，包括：获取微飞行器的多个初始三维构型；根据所述初始三维构型，构建待优化参数与所述微飞行器的第一终端速度的第一映射关系；根据所述第一映射关系，对所述待优化参数进行迭代，并确定所述微飞行器的第二终端速度；响应于所述第二终端速度满足预设收敛条件，得到最终优化参数；根据所述最终优化参数，得到所述微飞行器的最终三维构型。通过使用本公开中的方法，可以对微飞行器结构进行优化，从而充分利用三维结构的独特空气动力学性能优势，使微飞行器进一步地实现长时间滞空。

公开(公告)号：CN119031688A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202411117400.0

申请日：2024-08-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 张一慧 ,  刘志 ,  胡笑男 ,  羊佑舟 ,  柏韧恒

IPC: H05K13/00 ,  H05K13/04

Abstract: 提供了一种利用牺牲层辅助脱粘的三维组装方法，其包括：S1：在前驱体制备牺牲层；S2：将具有所述牺牲层的所述前驱体转移至临时基底；S3：借助所述临时基底将具有所述牺牲层的所述前驱体贴附至组装基底；S4：去除所述临时基底与所述牺牲层。

公开(公告)号：CN114599148A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210253688.9

申请日：2022-03-15

Applicant: 清华大学

Inventor： 张一慧 ,  宋洪烈 ,  罗国全 ,  籍梓垚 ,  柏韧恒

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/18 ,  H05K3/34

Abstract: 本申请提供了一种基于网格基底的无机柔性电子器件及其集成方法。无机柔性电子器件包括：导线，其包括传导部及封装于传导部外侧的封装部；以及网格基底，导线设置于网格基底。本申请提供的集成方法包括：获得顶层网格基底、底层网格基底、第一柔性块、第二柔性块、第三柔性块和导线；将底层网格基底设置在第一柔性块上；将待组装的导线黏附到第二柔性块；将含有导线的第二柔性块与含有底层网格基底的第一柔性块在显微镜下对准，并将导线取下，将导线焊接于底层网格基底；将顶层网格基底承载于第三柔性块上，将顶层网格基底、底层网格基底对准，导线位于两网格基底之间，接着取下第三柔性块，将顶层网格基底焊接于导线。

公开(公告)号：CN119197855A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411117391.5

申请日：2024-08-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 张一慧 ,  胡笑男 ,  刘志 ,  羊佑舟 ,  柏韧恒

IPC: G01L5/161 ,  G06F30/392

Abstract: 本公开涉及一种适用于传感器阵列的矩阵式电路及传感器阵列，矩阵式电路包括：多个传感器，每个传感器均包括多个传感器组件，各个传感器组件设置在传感器的传感器主体的不同位置，用于采集该位置的传感信息；接线模块，包括若干条行线与若干条列线，一组行线与一组列线构成一级矩阵，各个一级矩阵构成矩阵式电路中的二级矩阵，一组行线包括至少一条行线，一组列线包括至少一条列线，各个传感器与各个一级矩阵分别对应设置，各个传感器的各个传感器组件的接线端子连接于相应的一级矩阵的行线、列线。本公开实施例能够实现具有多个传感器组件的传感器形成阵列时的灵活布线，且具有较高的可扩展性，能够减少引线数量，从而节约成本，优化布局。

公开(公告)号：CN117877965A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410038256.5

申请日：2024-01-10

Applicant: 清华大学

Inventor： 张一慧 ,  王月皎 ,  帅雨萌 ,  兰宇 ,  柏韧恒 ,  薛兆国 ,  赵建中 ,  白柯 ,  吕增耀 ,  赖禹辰

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本公开涉及一种薄膜结构转印方法。方法包括：在临时衬底的承载有至少一个薄膜结构的第一面旋涂第一光刻胶，第一光刻胶覆盖各薄膜结构且暴露出临时衬底的至少一个锚固区域，临时衬底包括硅衬底层、处于硅衬底层与薄膜结构之间的二氧化硅层；去除临时衬底上处于各锚固区域范围内的二氧化硅层，而后去除第一光刻胶；在去除了部分二氧化硅层的临时衬底的第一面旋涂第二光刻胶，第二光刻胶覆盖在临时衬底第一面的各个区域；去除硅衬底层上剩余的二氧化硅层，而后去除第二光刻胶，得到处于硅衬底层上的至少一个薄膜结构；将处于硅衬底层上的各薄膜结构转印至目标弹性基底上。适用于薄膜结构的大规模、高成功率转印。

公开(公告)号：CN117842927A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410043336.X

申请日：2024-01-11

Applicant: 清华大学

Inventor： 张一慧 ,  薛兆国 ,  吕增耀 ,  白柯 ,  王月皎 ,  赵建中 ,  兰宇 ,  柏韧恒 ,  赖禹辰 ,  帅雨萌

IPC: B81C1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 提供了一种基于纳米探针的微纳三维结构制备方法，其包括以下步骤：S1：在衬底上设置牺牲层与热塑性聚合物层。S2：在所述热塑性聚合物层上沉积金属层，通过微加工工艺刻蚀所述金属层，以形成图案化的所述金属层，刻蚀所述热塑性聚合物层，并去除所述衬底上涂布的所述牺牲层，形成二维前驱体。S3：使用一个或多个纳米探针对所述二维前驱体施加载荷并移动所述纳米探针，带动所述二维前驱体的与所述纳米探针的针尖的接触的部分移动，使所述二维前驱体的结构发生变形，形成三维微纳结构。S4：加热所述三维微纳结构使其产生热塑性，实现所述三维微纳结构的固形。