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公开(公告)号：CN110113025A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910348847.1
申请日：2019-04-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种便于射频前端集成的温度补偿声表面波器件及其制备方法与应用。该器件由下至上依次包括压电基片、温度补偿薄膜、叉指换能器和压电薄膜。它制备方法，包括如下步骤：1)采用物理气相沉积或化学气相沉积，在压电基片上沉积温度补偿薄膜；2)利用光刻技术和电子束蒸镀方法，在温度补偿薄膜上制备叉指换能器叉指换能器；3)采用磁控溅射方法，在叉指换能器叉指换能器上生长压电薄膜，即得到声表面波器件。本发明器件应用于宽禁带半导体射频前端的集成和/或具有温度补偿功能的声表面波器件的制备中。本发明能够实现对器件温度补偿性能的调控，从而实现器件的温度稳定性；具有更大的带宽；制备工艺简单，易于推广。
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公开(公告)号：CN109449286A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811175304.6
申请日：2018-10-10
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种相变纳米颗粒镶嵌的氮化物忆阻器及其制备方法，忆阻器包括依次设置的底电极、介质层和顶电极，介质层为设置在底电极一面上的掺杂有过渡金属的氮化物或氮氧化物薄膜。其制备方法包括如下步骤：在基片上沉积惰性金属作为底电极；在底电极上沉积一层氮化物或氮氧化物薄膜，同时沉积少量过渡金属到氮化物或氮氧化物薄膜中去；在介质层上添加掩模板，在掩模板上沉积惰性金属作为顶电极后除去掩膜板；在顶电极和底电极之间采用负偏压，使得介质层内形成贯穿该介质层并聚集成束的相变纳米颗粒。本忆阻器在周期性强输入脉冲作用下具有编码功能，在强输入脉冲结束后具有记忆和学习功能，可以很好地模拟神经突触的计算和学习功能。
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公开(公告)号：CN109217842A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810832445.4
申请日：2018-07-26
Applicant: 清华大学 , 无锡市好达电子有限公司
Abstract: 本发明公开了一种近零温度系数的声表面波滤波器及其制备方法。该声表面波滤波器，由下至上依次包括：石英基片、基片改性层、压电薄膜层和叉指换能器电极；构成所述压电薄膜层的材料为金属掺杂ZnO；所述叉指换能器电极由下至上依次包括金属打底层和金属主体层。该滤波器具有较高的温度稳定性，很容易得到零温度系数的声表面波滤波器；通过改性石英基片和ZnO薄膜，其基片和薄膜的压电常数大大的提高，因此制备得到的器件机电耦合系数高，器件性能优异；同时，在工艺方面，容易实现，易于推广。
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公开(公告)号：CN105483629B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201410479805.9
申请日：2014-09-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种耐高温多铁性氮化铝薄膜及其制备方法。该材料的分子式为Alx(AyB1‑y)1‑xNz；其中，x代表Al的摩尔分数，取值为0.85～0.95；y为0.45～0.8。本发明制备的氮化铝同时具有铁电、铁磁特性，且铁电和铁磁居里温度达到450摄氏度，通过电场可以调制磁性，也可通过磁场调控铁电性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102360710B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110166520.6
申请日：2011-06-20
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种ZnO基稀磁薄膜及其制备方法。该ZnO基稀磁薄膜，包括基片、位于基片上的稀磁薄膜和反铁磁薄膜；其中，构成稀磁薄膜的材料为Zn1-xTMxO，所述Zn1-xTMxO中，x为0.2％-10.0％，优选3％-5％，TM为过渡金属元素；构成反铁磁薄膜的材料选自过渡金属氧化物中的至少一种。本发明通过在ZnO基稀磁薄膜上沉积一薄层反铁磁薄膜或在反铁磁薄膜上沉积一层稀磁薄膜来提高ZnO基稀磁薄膜的室温铁磁性，利用室温铁磁性TM:ZnO薄膜和反铁磁薄膜的界面近邻效应，使双层膜结构的室温饱和平均原子磁矩(μB/Co)相对单层稀磁薄膜结构的平均原子磁矩明显增大。
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公开(公告)号：CN102214674B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201110155407.8
申请日：2011-06-10
Applicant: 清华大学
IPC: H01L27/24
Abstract: 本发明公开了一种基于SOI材料的具有自整流效应的阻变存储器。所述阻变存储器由SOI基片、沉积于所述SOI基片上的底电极、沉积于所述底电极上的阻变层和沉积于所述阻变层上的上电极组成；所述底电极为条状的p型硅电极；所述阻变层为n型氧化锌薄膜；所述上电极为条状的铝电极或钛电极；所述底电极和所述上电极相互垂直设置。本发明所提供的阻变存储器直接在商业SOI材料上进行刻蚀和沉积，底电极选用的是低电阻的p型硅，与传统CMOS工艺的兼容性非常高，能够在不改变现有工艺条件的情况下开发出高密度的非易失性存储器，具有成本低等特点。
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公开(公告)号：CN102222768A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110168965.8
申请日：2011-06-22
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种透明有机阻变存储器。所述阻变存储器由下电极、设于所述下电极上的有机阻变存储层和沉积于所述有机阻变存储层上的上电极组成；所述上电极和下电极均为氧化铟锡薄膜、铝掺杂氧化锌薄膜或镓掺杂氧化锌薄膜；所述有机阻变存储层为由聚乙烯二氧噻吩和聚乙烯苯磺酸组成的聚合物薄膜。本发明提供的透明有机阻变存储器具有透光性好、存储密度高和稳定性好等优点，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102214790A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110155291.8
申请日：2011-06-10
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器。所述阻变存储器由底电极、沉积于所述底电极上的阻变层和沉积于所述阻变层上的上电极组成；所述底电极为条状的p型硅电极；所述阻变层为n型氧化锌薄膜；所述上电极为条状的铝电极或钛电极；所述底电极和所述上电极相互垂直设置。本发明所提供的阻变存储器的底电极选用的是低电阻的p型硅，与传统CMOS工艺的兼容性非常高，能够在不改变现有工艺条件的情况下开发出高密度的非易失性存储器，具有成本低等特点。
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公开(公告)号：CN101110463A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710118646.X
申请日：2007-07-11
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于新材料制备技术领域的一种具有大的压电常数和高电阻率的ZnO薄膜。本发明使用Cu、Ni元素共掺杂对ZnO体系进行掺杂改性的方法，由于掺杂后ZnO薄膜c轴择优取向度提高，薄膜的点阵参数变小，并且平均等效原子电荷数变大，因而压电性比掺杂前明显提高，而Cu、Ni二价离子3d层的空能态还能俘获薄膜中的自由电子，因此具有提高薄膜电阻率的效果。经过掺杂改性后的ZnO薄膜在常温下表现出优异的压电特性和高的电阻率：d33(d33＞14pC/N)和高的电阻率(ρ＞1010Ω·cm)。
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