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公开(公告)号：CN106435503A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610946312.0
申请日：2016-11-02
Applicant: 清华大学
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/0652 , C23C14/10
Abstract: 本发明公开了一种大的正温度系数的氧化硅薄膜及其沉积方法。本发明提供的氧化硅薄膜的沉积方法包括如下步骤：采用磁控溅射的方法在衬底上溅射即得到所述氧化硅薄膜；所述磁控溅射采用的工作气体为氨气和氩气的混合气体。本发明溅射过程中无毒无污染，工艺简单，工作气体中充入一定量氨气后得到的氧化硅薄膜中还含有氢原子和氨基等基团，它使得在同样的厚度下含有这些基团的薄膜比那些不含有这些基团的薄膜具有更大的正温度系数。
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公开(公告)号：CN105483629A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410479805.9
申请日：2014-09-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种耐高温多铁性氮化铝薄膜及其制备方法。该材料的分子式为Alx(AyB1-y)1-xNz；其中，x代表Al的摩尔分数，取值为0.85～0.95；y为0.45～0.8。本发明制备的氮化铝同时具有铁电、铁磁特性，且铁电和铁磁居里温度达到450摄氏度，通过电场可以调制磁性，也可通过磁场调控铁电性。
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公开(公告)号：CN106544635B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201610951951.6
申请日：2016-11-02
Applicant: 清华大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了一种用于温度补偿声表面波器件的材料及其制备方法。所述用于温度补偿声表面波器件的材料为掺杂有Si的非晶TeO2薄膜。所述材料的制备方法包括如下步骤：采用磁控溅射的方法，在衬底上溅射所述掺杂有Si的非晶TeO2薄膜，然后经热处理即得所述材料。在非晶TeO2引入一些Si原子，薄膜中含有Si‑O等基团，调控和改善了TeO2对声表面波器件的温度补偿特性，使得在同样的厚度下含有这些基团的薄膜比那些不含有这些基团的薄膜具有更大的正温度系数。而且磁控溅射具有成本低、工艺参数方便可调、可连续生产、材料改性方便、无毒无污染等优点，在工艺上更容易实现，易于推广。
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公开(公告)号：CN106544635A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201610951951.6
申请日：2016-11-02
Applicant: 清华大学
IPC: C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58 , H01L41/187
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/5806 , H01L41/187
Abstract: 本发明公开了一种用于温度补偿声表面波器件的材料及其制备方法。所述用于温度补偿声表面波器件的材料为掺杂有Si的非晶TeO2薄膜。所述材料的制备方法包括如下步骤：采用磁控溅射的方法，在衬底上溅射所述掺杂有Si的非晶TeO2薄膜，然后经热处理即得所述材料。在非晶TeO2引入一些Si原子，薄膜中含有Si-O等基团，调控和改善了TeO2对声表面波器件的温度补偿特性，使得在同样的厚度下含有这些基团的薄膜比那些不含有这些基团的薄膜具有更大的正温度系数。而且磁控溅射具有成本低、工艺参数方便可调、可连续生产、材料改性方便、无毒无污染等优点，在工艺上更容易实现，易于推广。
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公开(公告)号：CN106338347A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610945148.1
申请日：2016-11-02
Applicant: 清华大学
CPC classification number: G01K11/265 , G01K1/00
Abstract: 本发明公开了一种高温声表面波传感器的叉指电极材料及其制备方法。所述叉指电极材料包括衬底和依次沉积在所述衬底上的Ta缓冲层和Ir-Mo合金薄膜；所述Ir-Mo合金薄膜中，Mo的原子数百分含量为5～10％。本发明制备得到的叉指电极材料的电导率达9.2×106S/m，可适用于声表面波器件中。所述声表面波器件可为高温声表面波器件，器件中心频率1.42GHz，在1000℃环境下退火72小时后，器件性能稳定。本发明叉指电极材料的制备工艺简单，方法先进、科学，能使高温声表面波传感器在更高温度下使用并且有效增加其温度耐受性，使声表面波温度传感器可以应用于一些航天航空、机械冶金高温环境下，其器件具有耐温度高、工作寿命长的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105483615A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410478795.7
申请日：2014-09-18
Applicant: 清华大学
IPC: C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/28 , C01B21/072 , H01F10/18
Abstract: 本发明公开了一种具有闪锌矿结构的磁性氮化铝薄膜材料及制备方法与应用。该Sc掺杂的氮化铝中，所述Sc掺杂的氮化铝的晶体结构为闪锌矿结构，且所述Sc元素占据晶格中部分Al元素的位置。Sc与Al的摩尔比为76：24；所述(Al+Sc)元素与氮元素的摩尔比为1：1。本发明制备的是一种具有闪锌矿的稀磁自旋半导体材料，这种闪锌矿结构的材料居里温度高、室温稳定性好，自旋注入效率高，已报导的稀磁半导体GaN的晶体结构属于六角晶系，磁性弱且接近超顺磁特性，因此，本发明具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105483629B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201410479805.9
申请日：2014-09-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种耐高温多铁性氮化铝薄膜及其制备方法。该材料的分子式为Alx(AyB1‑y)1‑xNz；其中，x代表Al的摩尔分数，取值为0.85～0.95；y为0.45～0.8。本发明制备的氮化铝同时具有铁电、铁磁特性，且铁电和铁磁居里温度达到450摄氏度，通过电场可以调制磁性，也可通过磁场调控铁电性。
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公开(公告)号：CN105483615B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201410478795.7
申请日：2014-09-18
Applicant: 清华大学
IPC: C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/28 , C01B21/072 , H01F10/18
Abstract: 本发明公开了一种具有闪锌矿结构的磁性氮化铝薄膜材料及制备方法与应用。该Sc掺杂的氮化铝中，所述Sc掺杂的氮化铝的晶体结构为闪锌矿结构，且所述Sc元素占据晶格中部分Al元素的位置。Sc与Al的摩尔比为76：24；所述(Al+Sc)元素与氮元素的摩尔比为1：1。本发明制备的是一种具有闪锌矿的稀磁自旋半导体材料，这种闪锌矿结构的材料居里温度高、室温稳定性好，自旋注入效率高，已报导的稀磁半导体GaN的晶体结构属于六角晶系，磁性弱且接近超顺磁特性，因此，本发明具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN106384782A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610945146.2
申请日：2016-11-02
Applicant: 清华大学
IPC: H01L41/293 , H01L41/297 , H01B1/02
CPC classification number: H01L41/293 , H01B1/02 , H01B1/026 , H01L41/297
Abstract: 本发明公开了一种多层金属电极材料及其制备方法。本发明提供的多层金属电极材料包括设有电极图形的衬底以及依次沉积于所述衬底上的Ni层、Cu层、Ti层和Al层。本发明提供的制备方法包括如下步骤：采用蒸镀的方法，在衬底上依次沉积Ni层、Cu层、Ti层和Al层即得，所述蒸镀为电子束蒸镀或热蒸镀。本发明多层电极材料中，Ni有利于提高Cu的织构，不至于强烈增大电极电阻，同时提高对基底的粘附力；Ti可以作为扩散阻挡层提高铝膜织构，减小电极电阻；这种复合多层膜中，下面两层具有好的强韧性和较好的导电性，上面两层具有好的导电性和一定的强韧性，因此能用于制备声表面波器件或体声波器件。
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公开(公告)号：CN102522241B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110412822.7
申请日：2011-12-12
Applicant: 中铁电气化局集团有限公司 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种CuCr合金触头材料及其制备方法。该方法包括如下步骤：(1)采用物理气相沉积在自转的基片上沉积Cu膜；(2)启动Cr组元的沉积，并保持Cr组元的相对沉积速率梯度增长，在所述Cu膜上沉积CuCr合金膜a；所述Cr组元的相对沉积速率为Cr组元的沉积速率与Cu组元的沉积速率的比值，所述Cr组元的沉积速率为单位元面积的所述基片上单位时间内沉积的Cr质量；所述Cu组元的沉积速率为单位元面积的所述基片上单位时间内沉积的Cu质量；(3)保持Cr组元的相对沉积速率不变，在所述CuCr合金膜a上继续沉积CuCr合金膜b，然后在真空条件下经原位退火即得。本发明采用物理气相沉积的方法制备了高强度、高导电、高耐电弧侵蚀的CuCr合金触头材料，同时该方法可以节约能源和原材料的消耗。
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