-
公开(公告)号：CN111667059B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202010402419.5
申请日：2020-05-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于相变纳米颗粒镶嵌氮化物的人工神经元器件，包括依次设置的输出电极层、树突层、胞体层、轴突层和输入电极层。树突层和轴突层均分别为氮化物或氮氧化物薄膜，具体为掺杂有过渡金属的氮化物或氮氧化物薄膜，通过在输入电极层和胞体层之间以来回扫描的方式施加电压，使得掺杂的过渡金属转变为镶嵌在氮化物或氮氧化物薄膜内的相变纳米颗粒；或为经过初始化操作后形成含有相变纳米颗粒物的氮化物或氮氧化物薄膜材料。输入电极层内设有至少1个电极。本发明同时公开了4种树突层和轴突层的初始化过程。本发明可以对任何周期性输入信号和任意数量输入信号进行合成、再编码输出，可以用于类脑计算芯片和神经形态计算。
-
公开(公告)号：CN109449286B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201811175304.6
申请日：2018-10-10
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种相变纳米颗粒镶嵌的氮化物忆阻器及其制备方法，忆阻器包括依次设置的底电极、介质层和顶电极，介质层为设置在底电极一面上的掺杂有过渡金属的氮化物或氮氧化物薄膜。其制备方法包括如下步骤：在基片上沉积惰性金属作为底电极；在底电极上沉积一层氮化物或氮氧化物薄膜，同时沉积少量过渡金属到氮化物或氮氧化物薄膜中去；在介质层上添加掩模板，在掩模板上沉积惰性金属作为顶电极后除去掩膜板；在顶电极和底电极之间采用负偏压，使得介质层内形成贯穿该介质层并聚集成束的相变纳米颗粒。本忆阻器在周期性强输入脉冲作用下具有编码功能，在强输入脉冲结束后具有记忆和学习功能，可以很好地模拟神经突触的计算和学习功能。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116723760A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210187434.1
申请日：2022-02-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种可同时模拟突触可塑性和动作电位的忆阻器及其制备方法。所述忆阻器包括由下至上依次设置的基片、底电极、忆阻功能层和顶电极，忆阻功能层为氧化物薄膜，氧化物薄膜的材质为氧化铪、氧化钽、氧化锆、氧化锌、氧化铝、氧化铌、氧化钒、氧化钨、氧化钼和氧化镍中至少一种，忆阻功能层的厚度为5～50nm。本发明不用改变材料和制作工艺，只需要改变信号输入模式，就可以通过一种忆阻器件同时模拟生物神经元的突触权重改变和动作电位发放的两种主要功能，有利于大规模推广，简化构造人工神经网络和类脑芯片的制备工艺。
-
公开(公告)号：CN1333500C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200510089216.0
申请日：2005-07-27
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种多段式分布反馈半导体激光器，属于光电子器件技术领域，其特征在于：多个DFB段中至少有一个DFB段的波导宽度与其他DFB段不同。DFB激光器的激射波长不仅与光栅周期相关，而且与等效折射率有关。因此，可通过在不同的DFB段采用不同的波导宽度得到等效折射率差，从而实现激射波长的差异，使对应的激射谱产生微小的差异(量级0.01nm)，从而达到波长偏移的效果。此外，还可以对已经制作的光栅结构加以修补，起到优化器件性能的效果。本发明结构新颖，制作工艺简单，将在未来的高速通讯领域具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN111667059A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010402419.5
申请日：2020-05-13
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于相变纳米颗粒镶嵌氮化物的人工神经元器件，包括依次设置的输出电极层、树突层、胞体层、轴突层和输入电极层。树突层和轴突层均分别为氮化物或氮氧化物薄膜，具体为掺杂有过渡金属的氮化物或氮氧化物薄膜，通过在输入电极层和胞体层之间以来回扫描的方式施加电压，使得掺杂的过渡金属转变为镶嵌在氮化物或氮氧化物薄膜内的相变纳米颗粒；或为经过初始化操作后形成含有相变纳米颗粒物的氮化物或氮氧化物薄膜材料。输入电极层内设有至少1个电极。本发明同时公开了4种树突层和轴突层的初始化过程。本发明可以对任何周期性输入信号和任意数量输入信号进行合成、再编码输出，可以用于类脑计算芯片和神经形态计算。
-
公开(公告)号：CN109449286A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811175304.6
申请日：2018-10-10
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种相变纳米颗粒镶嵌的氮化物忆阻器及其制备方法，忆阻器包括依次设置的底电极、介质层和顶电极，介质层为设置在底电极一面上的掺杂有过渡金属的氮化物或氮氧化物薄膜。其制备方法包括如下步骤：在基片上沉积惰性金属作为底电极；在底电极上沉积一层氮化物或氮氧化物薄膜，同时沉积少量过渡金属到氮化物或氮氧化物薄膜中去；在介质层上添加掩模板，在掩模板上沉积惰性金属作为顶电极后除去掩膜板；在顶电极和底电极之间采用负偏压，使得介质层内形成贯穿该介质层并聚集成束的相变纳米颗粒。本忆阻器在周期性强输入脉冲作用下具有编码功能，在强输入脉冲结束后具有记忆和学习功能，可以很好地模拟神经突触的计算和学习功能。
-
公开(公告)号：CN1710761A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200510089216.0
申请日：2005-07-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01S5/00
Abstract: 一种多段式分布反馈半导体激光器，属于光电子器件技术领域，其特征在于：多个DFB段中至少有一个DFB段的波导宽度与其他DFB段不同。DFB激光器的激射波长不仅与光栅周期相关，而且与等效折射率有关。因此，可通过在不同的DFB段采用不同的波导宽度得到等效折射率差，从而实现激射波长的差异，使对应的激射谱产生微小的差异(量级0.01nm)，从而达到波长偏移的效果。此外，还可以对已经制作的光栅结构加以修补，起到优化器件性能的效果。本发明结构新颖，制作工艺简单，将在未来的高速通讯领域具有广泛的应用前景。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.016 seconds)
