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公开(公告)号：CN119804090A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411905689.2
申请日：2024-12-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请公开了一种利用聚焦离子束加工透射样品的方法，包括以下步骤：利用聚焦离子束对透射样品进行整体减薄，以形成整体减薄区域，整体减薄区域的厚度为第一预设厚度，且整体减薄区域的周边形成有支撑横梁，支撑横梁的厚度大于第一预设厚度；利用聚焦离子束对透射样品的整体减薄区域进行分区减薄，以在整体减薄区域内形成至少两个单元薄区，每个单元薄区的厚度小于第二预设厚度，每个单元薄区的横向宽度为第一预设距离，相邻的两个单元薄区的间隔为第二预设距离。
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公开(公告)号：CN115656100B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202211227057.6
申请日：2022-10-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及智能传感芯片技术领域，特别涉及一种基于片上光学衍射神经网络计算架构的传感器，包括输入端和输出端；设置于输入端和输出端之间的超表面传感结构。在衍射神经网络对应的超表面传感结构的超表面单元中填充传感介质，组成探测器阵列，利用探测器阵列得到输入端输入的入射光和输出端输出的输出光间的衍射计算关系，并根据传感介质吸收待测物质后的超表面折射率变化规律，确定待测物质的种类和/或浓度。由此，利用光的受控传播完成智能传感计算，在光受控传播的路径上设置传感单元，通过改变光的传播结果来完成对待测物质的识别与传感。
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公开(公告)号：CN116027608B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310309887.1
申请日：2023-03-27
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供全光非线性调制的超表面衍射光计算器件及其制备方法，全光非线性调制的超表面衍射光计算器件包括层叠设置的光学衍射超表面、金属层、第一绝缘层、非线性二维材料层、第二绝缘层、等离子体激元和保护层，由此，本申请将光学衍射超表面与等离子体激元、非线性二维材料层进行复合，可以实现低功耗和低光学阈值的非线性光学吸收，应用于低功耗衍射光计算器件，可满足目前人工智能光计算芯片中非线性调制器件的需求。
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公开(公告)号：CN115933224B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310118828.6
申请日：2023-02-01
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请公开了对光计算器件进行调控的方法和光计算器件，包括：S100：提供平板波导，平板波导包括至少一个子波导，子波导包括多个间隔排布的第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽为衍射槽内部未填充相变材料，第二凹槽为可调控衍射槽内部填充所述相变材料；S200：向平板波导输入光信号，光信号在相邻所述凹槽之间传播，并记录平板波导的输出值；S300：计算预设值与输出值之间的差值，当差值大于标准值时，执行S400；S400：利用调控装置对第二凹槽中的相变材料的晶体状态进行调控；S500：重复执行S200和S300，直至所述差值不大于所述标准值。由此可以提供可编辑、可重构的神经网络，进而获得具有宽谱范围的光计算器件。
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公开(公告)号：CN115656100A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211227057.6
申请日：2022-10-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及智能传感芯片技术领域，特别涉及一种基于片上光学衍射神经网络计算架构的传感器，包括输入端和输出端；设置于输入端和输出端之间的超表面传感结构。在衍射神经网络对应的超表面传感结构的超表面单元中填充传感介质，组成探测器阵列，利用探测器阵列得到输入端输入的入射光和输出端输出的输出光间的衍射计算关系，并根据传感介质吸收待测物质后的超表面折射率变化规律，确定待测物质的种类和/或浓度。由此，利用光的受控传播完成智能传感计算，在光受控传播的路径上设置传感单元，通过改变光的传播结果来完成对待测物质的识别与传感。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115358389A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211063580.X
申请日：2022-09-01
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及神经网络技术领域，特别涉及一种神经网络的训练误差降低方法、装置、电子设备及介质，其中，方法包括：确定目标神经网络的每个输出端口的优先级；根据优先级匹配目标神经网络的每个输出端口的误差权重系数，其中，优先级高的输出端口的误差权重系数大于优先级低的输出端口的误差权重系数；根据每个输出端口的误差权重系数计算目标神经网络的训练误差，以进行训练，直至在训练误差满足预设精度条件时，完成目标神经网络的训练。由此，解决了相关技术采用各个输出端口均一权重定义误差函数的训练方法，会导致训练输出结果从低位到高位精度依次递减，无法使所有端口都满足精度要求，且训练时间长，效率低等问题。
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公开(公告)号：CN103904211B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410148982.9
申请日：2014-04-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种基于垂直交换耦合的磁场探测器及其制备和使用方法，磁场探测器的制备方法包括以下步骤：采用磁控溅射或电子束蒸镀方法，在基片上依次沉积底电极、铁磁层、非磁性层和顶电极，得到多层膜结构；采用紫外曝光和氩离子刻蚀工艺，将得到的多层膜结构加工成一十字形结构。本发明制备得到的磁场探测器包括基片、底电极、铁磁层、非磁性层和顶电极，基片采用十字形结构，底电极、铁磁层、非磁性层和顶电极依次沉积在基片上，且形状均与基片的形状呈匹配设置；铁磁层由垂直磁化膜构成，非磁性层由反铁磁层或氧化层构成，底电极和顶电极均采用Pt电极。本发明可以广泛应用于磁场探测过程中。
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公开(公告)号：CN104752604A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510102442.1
申请日：2015-03-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种电场调控的反铁磁基霍尔器件及其制备方法。它包括依次沉积在导电基片上的底层、反铁磁耦合层和顶层，在顶层上依次设有侧电极和门电极；底层为磁性绝缘体层或无磁性绝缘体层；底层为磁性绝缘体层或无磁性绝缘体层组成的复合层；反铁磁耦合层为反铁磁层或反铁磁层和铁磁层；顶层为二氧化铪层、三氧化二铝层或二氧化硅层；侧电极为Ti层和Au层的双层膜或Ti层和Pt层的双层膜，在顶层上依次是Ti层、Au层或Ti层、Pt层；门电极为离子液体。本发明结构和制备方法简单、成本低，具有良好的磁化特性，可作为一种磁场探测器；对外磁场和热扰动不敏感，测量的霍尔电阻更加准确；是低能耗的自旋器件，对于反铁磁自旋电子学器件的发展具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115358381B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211063558.5
申请日：2022-09-01
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及神经网络技术领域，特别涉及一种光学全加器及其神经网络设计方法、设备及介质，其中，方法包括：获取隐藏层的每层中不同位置神经元的期望计算特征和输出端口优先级；根据期望计算特征和输出端口的优先级匹配隐藏层中衍射槽之间的设计间距，其中，优先级高的输出端口对应的衍射槽之间的设计间距小于优先级低的输出端口对应的衍射槽之间的设计间距；根据隐藏层衍射槽之间的设计间距生成目标神经网络的设计方案，基于设计方案实现目标神经网络的设计。由此，解决了相关技术采用神经元在空间上均匀排布的方法会导致输出结果的精度分布不均，且需要长时间训练才能达到理想的精度，效率低等问题。
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公开(公告)号：CN115933224A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310118828.6
申请日：2023-02-01
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请公开了对光计算器件进行调控的方法和光计算器件，包括：S100：提供平板波导，平板波导包括至少一个子波导，子波导包括多个间隔排布的第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽为衍射槽内部未填充相变材料，第二凹槽为可调控衍射槽内部填充所述相变材料；S200：向平板波导输入光信号，光信号在相邻所述凹槽之间传播，并记录平板波导的输出值；S300：计算预设值与输出值之间的差值，当差值大于标准值时，执行S400；S400：利用调控装置对第二凹槽中的相变材料的晶体状态进行调控；S500：重复执行S200和S300，直至所述差值不大于所述标准值。由此可以提供可编辑、可重构的神经网络，进而获得具有宽谱范围的光计算器件。
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