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公开(公告)号：CN100521273C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200710118646.X
申请日：2007-07-11
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于新材料制备技术领域的一种具有大的压电常数和高电阻率的ZnO薄膜。本发明使用Cu、Ni元素共掺杂对ZnO体系进行掺杂改性的方法，由于掺杂后ZnO薄膜c轴择优取向度提高，薄膜的点阵参数变小，并且平均等效原子电荷数变大，因而压电性比掺杂前明显提高，而Cu、Ni二价离子3d层的空能态还能俘获薄膜中的自由电子，因此具有提高薄膜电阻率的效果。经过掺杂改性后的ZnO薄膜在常温下表现出优异的压电特性和高的电阻率：d33(d33＞14pC/N)和高的电阻率(ρ＞1010Ω·cm)。
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公开(公告)号：CN1252916C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200410096819.9
申请日：2004-12-07
Applicant: 清华大学
IPC: H03H3/08
Abstract: 本发明公开了属于声表面波器件制造技术的一种金刚石声表面波器件多层薄膜结构的制造方法。是在金刚石薄膜(或单晶)表面先光刻显影SAW器件图形，在图形的部位用离子注入方法注入第IIIA族元素或第VA族之一的元素，然后，在注入离子后的金刚石表面沉积多晶ZnO薄膜，最后，去除光刻胶，得到换能器图形。此方法通过注入离子使金刚石表面电阻率大大降低，导电能力极大增强，从而替代原有的沉积导电薄膜。不需要沉积Al薄膜，也不需要刻蚀过程。因此，操作大大简化，同时器件的抗功率承受力也极大增强。本方法不需要沉积导电薄膜，也不需要刻蚀过程，因而制备工艺大大简化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101110463A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710118646.X
申请日：2007-07-11
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于新材料制备技术领域的一种具有大的压电常数和高电阻率的ZnO薄膜。本发明使用Cu、Ni元素共掺杂对ZnO体系进行掺杂改性的方法，由于掺杂后ZnO薄膜c轴择优取向度提高，薄膜的点阵参数变小，并且平均等效原子电荷数变大，因而压电性比掺杂前明显提高，而Cu、Ni二价离子3d层的空能态还能俘获薄膜中的自由电子，因此具有提高薄膜电阻率的效果。经过掺杂改性后的ZnO薄膜在常温下表现出优异的压电特性和高的电阻率：d33(d33＞14pC/N)和高的电阻率(ρ＞1010Ω·cm)。
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公开(公告)号：CN1238967C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200410097198.6
申请日：2004-12-14
Applicant: 清华大学
IPC: H03H3/08
Abstract: 本发明公开了属于声表面波器件的制造技术的一种高频声表面波器件金属薄膜的制造方法。该方法为在压电晶体及金属铝膜之间沉积一层过渡层金属。其过渡层金属采用易和刻蚀气体Cl2反应生成氯化物的金属：Zr，Ni及Nb。这些金属熔点高，扩散系数低，能抑制Al原子迁移，同时，能够在改善铝膜性能的同时，提高反应离子刻蚀的器件图形的精确度。以及薄膜在高频声表面波器件中表现出强的附着力和功率承受力。
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公开(公告)号：CN1645744A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200410096819.9
申请日：2004-12-07
Applicant: 清华大学
IPC: H03H3/08
Abstract: 本发明公开了属于声表面波器件制造技术的一种金刚石声表面波器件多层薄膜结构的制造方法。是在金刚石薄膜(或单晶)表面先光刻显影SAW器件图形，在图形的部位用离子注入方法注入第IIIA族元素或第VA族之一的元素，然后，在注入离子后的金刚石表面沉积多晶ZnO薄膜，最后，去除光刻胶，得到换能器图形。此方法通过注入离子使金刚石表面电阻率大大降低，导电能力极大增强，从而替代原有的沉积导电薄膜。不需要沉积Al薄膜，也不需要刻蚀过程。因此，操作大大简化，同时器件的抗功率承受力也极大增强。本方法不需要沉积导电薄膜，也不需要刻蚀过程，因而制备工艺大大简化。
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