公开(公告)号：CN108468027A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201810261996.X

申请日：2018-03-28

Applicant: 清华大学

Inventor： 庄大明 ,  赵明 ,  吴逸轩 ,  孙汝军 ,  魏要伟 ,  任国铵 ,  张冷 ,  吕循岩 ,  彭孝 ,  王晨 ,  胡岚

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明提供了一种锑掺杂铜锌锡硫硒靶材及其制备方法。本发明首先将铜锌锡硫硒粉末和含Sb粉末球磨混合，得到原料混合物；然后对原料混合物进行烧结，得到锑掺杂铜锌锡硫硒靶材。本发明提供的制备方法操作简便，易于实施。采用本发明所述制备方法得到的锑掺杂铜锌锡硫硒靶材已经将锑元素和铜锌锡硫硒掺杂混合，直接采用溅射法来溅射得到锑掺杂铜锌锡硫硒吸收层薄膜即可，无需添加蒸发装置，操作简单。此外，所述靶材的晶粒尺寸较大，结晶质量良好，在应用于溅射制备吸收层薄膜时成分重复性好。

公开(公告)号：CN104835869A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510241668.X

申请日：2015-05-13

Applicant: 清华大学

Inventor： 赵明 ,  庄大明 ,  李晓龙 ,  曹明杰 ,  欧阳良琦 ,  詹世璐 ,  魏要伟

IPC: H01L31/0392 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0322 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02631 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池，包括基底、设置在该基底上的背电极层、设置在该背电极层上的光吸收层、设置在该光吸收层上的缓冲层及设置在该缓冲层上的窗口层，其特征在于，该光吸收层包括铜元素(Cu)、铟元素(In)、镓元素(Ga)及硒元素(Se)，该光吸收层为Cuy(In1-xGax)Se2中原位掺杂Se元素，元素之间的摩尔比为1.0

公开(公告)号：CN104810417A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510207432.4

申请日：2015-04-28

Applicant: 清华大学

Inventor： 庄大明 ,  赵明 ,  李晓龙 ,  郭力 ,  孙汝军 ,  詹世璐 ,  张冷

IPC: H01L31/0264 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一光吸收层，包括铜元素(Cu)、铟元素(In)、镓元素(Ga)及硒元素(Se)，为Cuy(In1-xGax)Se2中原位掺杂Se元素，元素之间的摩尔比为1.0

公开(公告)号：CN101728461A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910237133.X

申请日：2009-11-06

Applicant: 清华大学 ,  张家港保税区华冠光电技术有限公司

Inventor： 张弓 ,  庄大明 ,  张宁 ,  段宇波 ,  宋军

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种薄膜太阳能电池吸收层的制备方法，属于光电功能材料和新能源技术领域。其特征在于，采用真空磁控溅射法制备铜铟硒或铜铟镓硒或铜铟铝硒吸收层，直接使用铜铟硒或铜铟镓硒或铜铟铝硒合金靶材，由靶材成分控制吸收层成分，由溅射工艺控制成膜质量。磁控溅射法制备的吸收层随后还可在保护气氛中进行退火处理，以进一步改善结晶质量。本发明制备的吸收层由均一的铜铟硒相或铜铟镓硒相或铜铟铝硒相构成，成分分布均匀，并且与靶材成分一致。本发明工艺简便，易于控制，沉积时基体温度较低，可选择衬底种类多，适于工业化生产。

公开(公告)号：CN100405617C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200610169827.0

申请日：2006-12-29

Applicant: 清华大学

Inventor： 贾怡 ,  韦进全 ,  舒勤科 ,  王昆林 ,  庄大明 ,  张弓 ,  刘文今 ,  骆建彬 ,  王志诚 ,  吴德海

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L51/444 ,  B82Y10/00 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/072 ,  H01L31/1884 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 基于碳纳米管薄膜的太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池及纳米材料应用技术领域。本发明的技术特点是采用碳纳米管薄膜为光电转换材料，碳纳米管薄膜同时作为上电极；或在碳纳米管薄膜上设有透明导电薄膜，碳纳米管薄膜作为光电转换材料，透明导电薄膜作为上电极。本发明以碳纳米管薄膜作为太阳能电池的光电转换材料，不仅进一步提高了其光电转换效率和使用寿命，而且电池的制备方法简单，制造成本低廉。

公开(公告)号：CN108468027B

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201810261996.X

申请日：2018-03-28

Applicant: 清华大学

Inventor： 庄大明 ,  赵明 ,  吴逸轩 ,  孙汝军 ,  魏要伟 ,  任国铵 ,  张冷 ,  吕循岩 ,  彭孝 ,  王晨 ,  胡岚

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明提供了一种锑掺杂铜锌锡硫硒靶材及其制备方法。本发明首先将铜锌锡硫硒粉末和含Sb粉末球磨混合，得到原料混合物；然后对原料混合物进行烧结，得到锑掺杂铜锌锡硫硒靶材。本发明提供的制备方法操作简便，易于实施。采用本发明所述制备方法得到的锑掺杂铜锌锡硫硒靶材已经将锑元素和铜锌锡硫硒掺杂混合，直接采用溅射法来溅射得到锑掺杂铜锌锡硫硒吸收层薄膜即可，无需添加蒸发装置，操作简单。此外，所述靶材的晶粒尺寸较大，结晶质量良好，在应用于溅射制备吸收层薄膜时成分重复性好。

公开(公告)号：CN106435491B

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201510477922.6

申请日：2015-08-06

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 庄大明 ,  赵明 ,  曹明杰 ,  郭力 ,  欧阳良琦 ,  孙汝军

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/56 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及一种氧化物半导体膜，含有铟元素(In)、铈元素(Ce)、锌元素(Zn)及氧元素(O)，该In:Ce:Zn的摩尔比为2:1:(0.5~2)，氧化物半导体膜为n型半导体，载流子浓度为1012cm‑3~1020cm‑3，载流子迁移率为5.0 cm2V‑1s‑1~45.0 cm2V‑1s‑1。本发明还涉及一种氧化物半导体膜的制备方法，溅射靶及其制备方法。

公开(公告)号：CN106206743A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510219860.9

申请日：2015-05-04

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 庄大明 ,  赵明 ,  曹明杰 ,  郭力 ,  高泽栋 ,  魏要伟

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管，包括半导体层、源极、漏极、栅极及绝缘层，该源极与漏极间隔设置，该半导体层与该源极和漏极电连接，该栅极通过该绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置，该半导体层为一氧化物半导体膜，该氧化物半导体膜含有铟元素(In)、铈元素(Ce)、锌元素(Zn)及氧元素(O)，该In:Ce:Zn的摩尔比为2:(0.5~2):1，氧化物半导体膜为n型半导体，12 -3 20 -3载流子浓度为10 cm ~10 cm ，载流子迁移率为5.0cm2V-1s-1~45.0cm2V-1s-1。本发明还涉及一种薄膜晶体管的制备方法，一薄膜晶体管面板及一显示装置。

公开(公告)号：CN106206245A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510231321.7

申请日：2015-05-08

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 庄大明 ,  赵明 ,  郭力 ,  曹明杰 ,  欧阳良琦 ,  张冷

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23C14/086 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  H01J37/3429 ,  H01L29/7869 ,  H01L2251/306

Abstract: 一种氧化亚锡薄膜的制备方法，包括：提供一基底与一锡氧化物靶材，该锡氧化物靶材包括混合均匀的单质Sn和SnO2，且该锡氧化物靶材中Sn原子与O原子的原子比为1:2

公开(公告)号：CN106187100A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510220030.8

申请日：2015-05-04

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 庄大明 ,  赵明 ,  曹明杰 ,  郭力 ,  詹世璐 ,  李晓龙

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B28B3/00 ,  C23C14/08 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3491

Abstract: 本发明涉及一种溅射靶，含有化合物In2CexZnO4+2x，其中x=0.5~2。本发明还涉及一种溅射靶，该溅射靶由In2O3、CeO2及ZnO混合后烧结形成，该In2O3、CeO2及ZnO的摩尔比为1:(0.5~2):1。本发明还涉及一种溅射靶的制备方法，包括将In2O3粉末、CeO2粉末及ZnO粉末均匀混合形成一混合体，该混合体中In:Ce:Zn的摩尔比为2:(0.5~2):1；以及将该混合体在1250°C~1650°C进行烧结。