半导体制造方法及晶圆检查方法

    公开(公告)号:CN110914963A

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201880047424.X

    申请日:2018-06-13

    Abstract: 本发明提供一种可对应于集成电路的高密度化的半导体制造方法。本发明的一方式所涉及的半导体制造方法具备如下工序:与具有多个芯片形成区域的晶圆的各芯片形成区域对应而形成:记忆胞;光电二极管,其输出对应于所输入的光信号的电信号;及信号处理电路,其基于自光电二极管输出的电信号而产生逻辑信号并将该逻辑信号输出至记忆胞;在形成的工序之后,将用于记忆胞的动作确认的泵浦光向光电二极管输入,检查记忆胞的动作状态;及在检查的工序之后,按每个芯片形成区域进行切割。

    全反射太赫兹波测定装置

    公开(公告)号:CN102016548B

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN200980115688.5

    申请日:2009-04-27

    CPC classification number: G01N21/552 G01N21/3504 G01N21/3586

    Abstract: 本发明的全反射太赫兹波测定装置(1)具备光源(11)、分支部(12)、斩波器(13)、光程差调整部(14)、偏振片(15)、分束器(17)、太赫兹波产生元件(20)、滤波器(25)、内部全反射棱镜(31)、太赫兹波检测元件(40)、1/4波长板(51)、偏振光分离元件(52)、光检测器(53a)、光检测器(53b)、差动放大器(54)以及锁定放大器(55)。内部全反射棱镜(31)为所谓的无象差棱镜,具有入射面(31a)、出射面(31b)以及反射面(31c)。内部全反射棱镜(31)的入射面(31a)上一体地设置有太赫兹波产生元件(20)和滤波器(25),内部全反射棱镜(31)的出射面(31b)上一体地设置有太赫兹波检测元件(40)。滤波器(25)使太赫兹波透过而使泵浦光遮断。由此,实现了可小型化的全反射太赫兹波测定装置。

    光学元件
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111538114B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202010080515.2

    申请日:2020-02-05

    Abstract: 本发明提供一种光学元件。该光学元件包括主体部(2),该主体部由可透射第一光(L1)和波长比第一光(L1)长的第二光(L2)的介质构成,主体部(2)具有供第一光(L1)和第二光(L2)入射的入射区域(5),在主体部(2)的内部设置有相对于入射区域(5)倾斜的间隙(7),在该间隙配置有与主体部(2)相比对第一光(L1)和第二光(L2)的折射率低的介质,自主体部(2)与间隙(7)的界面(R)起的间隙宽度(W)比界面(R)的第一光(L1)的倏逝波(E1)的穿透深度(T1)大,且比界面R的第二光(L2)的倏逝波(E2)的穿透深度(T2)小。本发明能够高效率地将彼此不同波长的光分波/合波。

    全反射太赫兹波测定装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102016548A

    公开(公告)日:2011-04-13

    申请号:CN200980115688.5

    申请日:2009-04-27

    CPC classification number: G01N21/552 G01N21/3504 G01N21/3586

    Abstract: 本发明的全反射太赫兹波测定装置(1)具备光源(11)、分支部(12)、斩波器(13)、光程差调整部(14)、偏振片(15)、分束器(17)、太赫兹波产生元件(20)、滤波器(25)、内部全反射棱镜(31)、太赫兹波检测元件(40)、1/4波长板(51)、偏振光分离元件(52)、光检测器(53a)、光检测器(53b)、差动放大器(54)以及锁定放大器(55)。内部全反射棱镜(31)为所谓的无象差棱镜,具有入射面(31a)、出射面(31b)以及反射面(31c)。内部全反射棱镜(31)的入射面(31a)上一体地设置有太赫兹波产生元件(20)和滤波器(25),内部全反射棱镜(31)的出射面(31b)上一体地设置有太赫兹波检测元件(40)。滤波器(25)使太赫兹波透过而使泵浦光遮断。由此,实现了可小型化的全反射太赫兹波测定装置。

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