-
公开(公告)号：CN107250738A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201580076369.3
申请日：2015-11-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J1/02 , H01L27/14 , H01L27/144 , H04N5/225
Abstract: 信号处理基板(10)具有多个信号处理电路(23)，该处理电路处理由红外线检测元件(1)的多个像素输出的信号。信号处理基板(10)具有：配置有红外线检测元件(1)的元件配置区域(17)、从与信号处理基板(10)正交方向看以围绕元件配置区域(17)的方式位于元件配置区域(17)的外侧的电路配置区域(19)。信号处理基板(10)具有层叠于与半导体基板(3)相对的面侧的多个绝缘层(13)。多个信号处理电路(23)以围绕元件配置区域(17)的方式配置于电路配置区域(19)。在信号处理基板(10)上，以位于至少有一层绝缘层(13)上并且位于元件配置区域(17)的方式，配置有热导电层(27)。热导电层(27)具有比绝缘层(13)的热传导率更高的热传导率。
-
公开(公告)号：CN107209055B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201680005713.4
申请日：2016-01-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J1/02 , G01N21/3581 , G01R29/08 , H01Q19/30
Abstract: 本发明的辐射热计型THz检测器具备接收并放射波长λ的THz波的指向性天线(1)、与指向性天线(1)相对配置的收信天线(2)、及检测由流经收信天线(2)的电流引起的发热的辐射热计(4)，且指向性天线(1)在俯视时与收信天线(2)重叠，指向性天线(1)的长度方向长被设定为比收信天线(2)的长度方向长要短。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110793627A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911202243.2
申请日：2015-11-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 信号处理基板(10)具有多个信号处理电路(23)，该处理电路处理由红外线检测元件(1)的多个像素输出的信号。信号处理基板(10)具有：配置有红外线检测元件(1)的元件配置区域(17)、从与信号处理基板(10)正交方向看以围绕元件配置区域(17)的方式位于元件配置区域(17)的外侧的电路配置区域(19)。信号处理基板(10)具有层叠于与半导体基板(3)相对的面侧的多个绝缘层(13)。多个信号处理电路(23)以围绕元件配置区域(17)的方式配置于电路配置区域(19)。在信号处理基板(10)上，以位于至少有一层绝缘层(13)上并且位于元件配置区域(17)的方式，配置有热导电层(27)。热导电层(27)具有比绝缘层(13)的热传导率更高的热传导率。
-
公开(公告)号：CN107209055A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680005713.4
申请日：2016-01-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J1/02 , G01N21/3581 , G01R29/08 , H01Q19/30
CPC classification number: G01N21/3581 , G01J1/02 , G01J1/0252 , G01J3/42 , G01J5/045 , G01J5/08 , G01J5/0837 , G01J5/20 , G01J5/24 , G01R29/08 , H01Q1/24 , H01Q1/38 , H01Q19/30
Abstract: 本发明的辐射热计型THz检测器具备接收并放射波长λ的THz波的指向性天线(1)、与指向性天线(1)相对配置的收信天线(2)、及检测由流经收信天线(2)的电流引起的发热的辐射热计(4)，且指向性天线(1)在俯视时与收信天线(2)重叠，指向性天线(1)的长度方向长被设定为比收信天线(2)的长度方向长要短。
-
公开(公告)号：CN107250738B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201580076369.3
申请日：2015-11-19
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J1/02 , H01L27/14 , H01L27/144 , H04N5/225
Abstract: 信号处理基板(10)具有多个信号处理电路(23)，该处理电路处理由红外线检测元件(1)的多个像素输出的信号。信号处理基板(10)具有：配置有红外线检测元件(1)的元件配置区域(17)、从与信号处理基板(10)正交方向看以围绕元件配置区域(17)的方式位于元件配置区域(17)的外侧的电路配置区域(19)。信号处理基板(10)具有层叠于与半导体基板(3)相对的面侧的多个绝缘层(13)。多个信号处理电路(23)以围绕元件配置区域(17)的方式配置于电路配置区域(19)。在信号处理基板(10)上，以位于至少有一层绝缘层(13)上并且位于元件配置区域(17)的方式，配置有热导电层(27)。热导电层(27)具有比绝缘层(13)的热传导率更高的热传导率。
-
公开(公告)号：CN102473790B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201080031452.6
申请日：2010-07-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01J3/36 , G01J1/0204 , G01J5/045 , H01L24/01 , H01L25/043 , H01L2924/0002 , H01L2924/12043 , H01L2924/00
Abstract: 光检测器(1)中，由低电阻Si基板(3)、绝缘层(4)、高电阻Si基板(5)及Si光电二极管(20)，构成相对于配置于凹部(6)内的InGaAs光电二极管(30)的气密密封封装，由低电阻Si基板(3)的电气通路部(8)及配线膜(15)，达成相对于Si光电二极管(20)及InGaAs光电二极管(30)的电性配线。然后，相对于Si光电二极管(20)的p型区域(22)设置于Si基板(21)的背面(21b)侧的部分，InGaAs光电二极管(30)的p型区域(32)设置于InGaAs基板(31)的表面(31a)侧的部分。
-
公开(公告)号：CN102473790A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080031452.6
申请日：2010-07-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01J3/36 , G01J1/0204 , G01J5/045 , H01L24/01 , H01L25/043 , H01L2924/0002 , H01L2924/12043 , H01L2924/00
Abstract: 光检测器(1)中，由低电阻Si基板(3)、绝缘层(4)、高电阻Si基板(5)及Si光电二极管(20)，构成相对于配置于凹部(6)内的InGaAs光电二极管(30)的气密密封封装，由低电阻Si基板(3)的电气通路部(8)及配线膜(15)，达成相对于Si光电二极管(20)及InGaAs光电二极管(30)的电性配线。然后，相对于Si光电二极管(20)的p型区域(22)设置于Si基板(21)的背面(21b)侧的部分，InGaAs光电二极管(30)的p型区域(32)设置于InGaAs基板(31)的表面(31a)侧的部分。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.018 seconds)
