公开(公告)号：CN101019284A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200580030931.5

申请日：2005-09-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 王浟 ,  宫岛博文 ,  渡边明佳 ,  菅博文

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/10 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/4031

Abstract: 半导体激光元件(3)具有n型包层(13)、活性层(15)及p型包层(17)。p型包层(17)具有在活性层(15)中形成波导管(4)的脊形部(9)。波导管(4)沿着以大致一定的曲率(曲率半径R)弯曲的中心轴线(B)延伸。在这样的波导管(4)中，在波导管(4)内共振的光中的空间横向模式的次数越高的光损失就越大。因此，可以维持横向低次模式的激光振荡而抑制横向高次模式的激光振荡。由此实现了可以使较大强度的激光出射而抑制横向高次模式的半导体激光元件及半导体激光元件阵列。