基于双氧水体系弱酸性的钼阻挡层化学机械抛光液及其制备方法

    公开(公告)号:CN115678437B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202211380516.4

    申请日:2022-11-04

    Abstract: 本发明为一种基于双氧水体系弱酸性的钼阻挡层化学机械抛光液及其制备方法。该抛光液包括下述组分:纳米级二氧化硅溶胶固体浓度为1.0~10.0wt%;过氧化氢浓度为0.3~5.0wt%;唑类缓蚀剂的浓度为50~500ppm,余量为水,pH值为2.0‑10.0;所述唑类缓蚀剂为2,2'‑{[(甲基‑1H‑苯并三唑‑1‑基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT‑LYK)。本发明的低技术节点铜互连钼阻挡层酸性抛光液具有钼阻挡层材料去除速率慢()和静态腐蚀速率慢( 低于 )且成本低廉、使用安全的特点。

    基于KMnO4-Al2O3体系的Mn氧化物增效的4H-SiC化学机械抛光液

    公开(公告)号:CN117417695A

    公开(公告)日:2024-01-19

    申请号:CN202311352117.1

    申请日:2023-10-19

    Abstract: 本发明为一种基于KMnO4‑Al2O3体系的Mn氧化物增效4H‑SiC化学机械抛光液。所述抛光液包括氧化剂KMnO4、Al2O3磨料颗粒、Mn氧化物、pH调节剂和去离子水;其中,氧化剂KMnO4的浓度为0.01~0.1mol/L,Al2O3磨料颗粒的浓度为0.01wt.%~10wt.%,Al2O3磨料颗粒的粒径为100nm~500nm,Mn氧化物的浓度为0.01wt.%~1wt.%,所述4H‑SiC抛光液pH值为7~11。所述Mn氧化物为MnO2、Mn2O3、Mn3O4中的一种或几种。本发明解决了传统碳化硅抛光液对4H‑SiC晶圆表面材料去除速率低、抛光后表面质量差、对设备腐蚀严重的问题。

    基于双氧水体系弱酸性的钼阻挡层化学机械抛光液及其制备方法

    公开(公告)号:CN115678437A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211380516.4

    申请日:2022-11-04

    Abstract: 本发明为一种基于双氧水体系弱酸性的钼阻挡层化学机械抛光液及其制备方法。该抛光液包括下述组分:纳米级二氧化硅溶胶固体浓度为1.0~10.0wt%;过氧化氢浓度为0.3~5.0wt%;唑类缓蚀剂的浓度为50~500ppm,余量为水,pH值为2.0‑10.0;所述唑类缓蚀剂为2,2'‑{[(甲基‑1H‑苯并三唑‑1‑基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT‑LYK)。本发明的低技术节点铜互连钼阻挡层酸性抛光液具有钼阻挡层材料去除速率慢()和静态腐蚀速率慢(低于)且成本低廉、使用安全的特点。

    一种用于电化学测试铂片电极的可移动防护装置

    公开(公告)号:CN218726864U

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202222859596.3

    申请日:2022-10-28

    Abstract: 本实用新型为一种用于电化学测试铂片电极的可移动防护装置。该装置包括套环、限位盘和护罩;护罩下部为直筒状结构,底部开放,顶部为半椭球状上盖,上盖的中心开有第一中心孔;所述的护罩上盖顶部中心孔边缘覆盖有一个套环;护罩下部的直筒部分的上端内壁有一圈内凹槽,限位盘镶嵌在内凹槽上。本实用新型可以避免在电化学测试实验过程中由于电解液的沾污和实验人员的不当操作而导致的铂片电极的损坏,提高电化学测试实验数据的可靠性以及铂片电极的使用寿命。

    一种用于原子力显微镜手动下针的辅助装置

    公开(公告)号:CN218647001U

    公开(公告)日:2023-03-17

    申请号:CN202223140069.3

    申请日:2022-11-25

    Abstract: 本实用新型为一种用于原子力显微镜手动下针的辅助装置。该装置包括观测部和调焦部;所述的调焦部的主体结构包括:基台、升降柱、支撑台、基座、滑轨、滑轨挡板、滑梁挡板和滑梁;所述的观测部的组成包括:凸透镜,支柱和镜框;该装置将凸透镜或放大镜的主体部分与三维移动滑轨结合,滑轨可以实现上下、前后、左右三个维度的独立移动,进而实现凸透镜与样品之间的焦距调节。本实用新型可以降低研究人员操作时损坏探针的风险和实验成本。

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