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公开(公告)号：CN106707025A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611106965.4
申请日：2016-12-06
Applicant: 河北工业大学
IPC: G01R27/02
CPC classification number: G01R27/02
Abstract: 本发明涉及一种具有温度控制的微区电阻率测量装置，其特征在于该装置包括温度控制单元、电极支架、电极圆盘、电极、测试平台、橡胶垫、单片机控制板、触摸屏、蜂鸣器和报警灯；所述温度控制单元包括外腔和内腔，内腔包裹在外腔内，所述外腔为真空腔，内腔由孔板分成左右两个部分，左部分为温控腔，右部分为恒温腔，温度控制单元的右侧设有密封门，温度控制单元的外表面上设有触摸屏、蜂鸣器和报警灯，在密封门的内表面固定单片机控制板；温控腔的内表面上安装有半导体制冷晶片，在恒温腔内通过温度传感器支架固定安装有温度传感器；所述测试平台固定在恒温腔内，在测试平台的承载平面中心处设置橡胶垫。
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公开(公告)号：CN106707025B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201611106965.4
申请日：2016-12-06
Applicant: 河北工业大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明涉及一种具有温度控制的微区电阻率测量装置，其特征在于该装置包括温度控制单元、电极支架、电极圆盘、电极、测试平台、橡胶垫、单片机控制板、触摸屏、蜂鸣器和报警灯；所述温度控制单元包括外腔和内腔，内腔包裹在外腔内，所述外腔为真空腔，内腔由孔板分成左右两个部分，左部分为温控腔，右部分为恒温腔，温度控制单元的右侧设有密封门，温度控制单元的外表面上设有触摸屏、蜂鸣器和报警灯，在密封门的内表面固定单片机控制板；温控腔的内表面上安装有半导体制冷晶片，在恒温腔内通过温度传感器支架固定安装有温度传感器；所述测试平台固定在恒温腔内，在测试平台的承载平面中心处设置橡胶垫。
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公开(公告)号：CN115678437B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202211380516.4
申请日：2022-11-04
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
Abstract: 本发明为一种基于双氧水体系弱酸性的钼阻挡层化学机械抛光液及其制备方法。该抛光液包括下述组分：纳米级二氧化硅溶胶固体浓度为1.0～10.0wt％；过氧化氢浓度为0.3～5.0wt％；唑类缓蚀剂的浓度为50～500ppm，余量为水，pH值为2.0‑10.0；所述唑类缓蚀剂为2，2'‑{[(甲基‑1H‑苯并三唑‑1‑基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT‑LYK)。本发明的低技术节点铜互连钼阻挡层酸性抛光液具有钼阻挡层材料去除速率慢()和静态腐蚀速率慢( 低于 )且成本低廉、使用安全的特点。
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公开(公告)号：CN106370932B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN201611027457.7
申请日：2016-11-17
Applicant: 河北工业大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明涉及基于伪测量值法的薄层硅片电阻率检测方法及系统，该方法的步骤是：1)确定标准硅片的基本参数，包括直径、P/N型、厚度、晶向，测试样片和标准硅片的直径、P/N型、厚度和晶向参数相同；2)根据标准硅片的基本参数建立数学模型；3)根据数学模型选择激励方式和电极数量，设定硅片内各微区节点坐标；4)应用伪测量值法测量电阻率。该方法可以解决现有技术无法满足的要求，能够实时快速地检测出薄层硅片的电阻率，得到硅片电阻率的整体分布图，从而甄别工业生产中出现的残次品。
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公开(公告)号：CN115678437A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211380516.4
申请日：2022-11-04
Applicant: 河北工业大学
IPC: C09G1/02 , H01L21/321
Abstract: 本发明为一种基于双氧水体系弱酸性的钼阻挡层化学机械抛光液及其制备方法。该抛光液包括下述组分：纳米级二氧化硅溶胶固体浓度为1.0～10.0wt％；过氧化氢浓度为0.3～5.0wt％；唑类缓蚀剂的浓度为50～500ppm，余量为水，pH值为2.0‑10.0；所述唑类缓蚀剂为2，2'‑{[(甲基‑1H‑苯并三唑‑1‑基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT‑LYK)。本发明的低技术节点铜互连钼阻挡层酸性抛光液具有钼阻挡层材料去除速率慢()和静态腐蚀速率慢(低于)且成本低廉、使用安全的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106370932A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201611027457.7
申请日：2016-11-17
Applicant: 河北工业大学
IPC: G01R27/02
CPC classification number: G01R27/02
Abstract: 本发明涉及基于伪测量值法的薄层硅片电阻率检测方法及系统，该方法的步骤是：1)确定标准硅片的基本参数，包括直径、P/N型、厚度、晶向，测试样片和标准硅片的直径、P/N型、厚度和晶向参数相同；2)根据标准硅片的基本参数建立数学模型；3)根据数学模型选择激励方式和电极数量，设定硅片内各微区节点坐标；4)应用伪测量值法测量电阻率。该方法可以解决现有技术无法满足的要求，能够实时快速地检测出薄层硅片的电阻率，得到硅片电阻率的整体分布图，从而甄别工业生产中出现的残次品。
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公开(公告)号：CN105923099A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610315886.8
申请日：2016-05-12
Applicant: 河北工业大学
IPC: B62M6/50
CPC classification number: B62M6/50
Abstract: 本发明公开了一种蓄能助力自行车，包括飞轮、链条、架体和轮盘，所述飞轮与链条连接；其特征在于该自行车还包括电源、控制器、拉力传感器、霍尔传感器、摩擦片、轮毂、电机线圈、电机外壳、电机永磁体、轴、杠杆和电磁铁。该自行车结构简单，操作方便。通过简单的结构设计能够自动判断进入骑行模式、助力模式和蓄能模式中的一种，不仅能提供助力，而且可以将刹车和下坡时多余能量进行存储，然后在助力模式下使用，达到了能量利用的最大化；同时通过特殊的电机与轮毂设计将助力、蓄能集合到一个结构中，使系统更加简化。
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公开(公告)号：CN107336793A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710558648.4
申请日：2017-07-04
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明解决所述技术问题的技术方案是，提供一种助力自行车中轴力矩传感器，包括轮盘、右车拐、磁钢、右轴承座、左轴承座、左车拐、中轴、右轴承、薄膜压力传感器、橡胶块、霍尔元件组、左轴承。该力矩传感器通过薄膜压力传感器测量轴承对轴承座的压力来计算力矩的大小，测量部件都是固定安装，无滑环结构，结构简单，使用寿命长，并且测量精度高，响应速度快并可同时测出踩踏频率。
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公开(公告)号：CN110501574B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201910870988.X
申请日：2019-09-16
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开一种基于全变差正则化法的硅片电阻率测量方法、装置及系统，该方法主要以电阻抗成像技术(EIT)为基础，选取边界元法求解正问题、牛顿拉夫逊算法求解逆问题，同时将全变差正则化方法用以修正逆问题的病态性，以达到较好的效果。该方法解决了测试硅片大面积污染的问题，便于后续的加工制造，能够有效的测量出硅片电阻率并得到直观的测量结果，筛选出不合格的硅片产品。同时，本发明采用了可移动式的上、下电极圆盘和可升降的测试台，提供八个电极或者十六个电极两种选择模式，可以减少电极的数量使自动化程度提高。将硅片放在测试台上后，不需手动放置电极和调整电极位置，减少了人为误差。
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公开(公告)号：CN110501574A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910870988.X
申请日：2019-09-16
Applicant: 河北工业大学
Abstract: 本发明公开一种基于全变差正则化法的硅片电阻率测量方法、装置及系统，该方法主要以电阻抗成像技术(EIT)为基础，选取边界元法求解正问题、牛顿拉夫逊算法求解逆问题，同时将全变差正则化方法用以修正逆问题的病态性，以达到较好的效果。该方法解决了测试硅片大面积污染的问题，便于后续的加工制造，能够有效的测量出硅片电阻率并得到直观的测量结果，筛选出不合格的硅片产品。同时，本发明采用了可移动式的上、下电极圆盘和可升降的测试台，提供八个电极或者十六个电极两种选择模式，可以减少电极的数量使自动化程度提高。将硅片放在测试台上后，不需手动放置电极和调整电极位置，减少了人为误差。
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