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公开(公告)号：CN115404467B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202211072453.6
申请日：2022-09-02
Applicant: 江苏芯梦半导体设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种全自动化学镀系统及化学镀方法，用于对于铝基晶圆与铜基晶圆进行化学镀。化学镀系统包括第一模块、第二模块、第三模块、第一中转工位、第二中转工位、第一传输装置、第二传输装置及第三传输装置。其中，第一模块包括沿第一方向依次设置的第一上下料单元及第一预处理单元，第二模块包括沿第一方向依次设置的第二上下料单元及第二预处理单元，第三模块包括沿第二方向依次设置的镀镍单元、镀钯单元、浸金单元及干燥单元，第一方向与第二方向相交。第一模块、第二模块与第三模块之间围设形成设备空间，附属模块设于设备空间中。本发明可以将大型化学镀设备集成小型化，降低投资成本、减小占地面积，便于对化学镀工艺的综合控制。
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公开(公告)号：CN114871199B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210811801.0
申请日：2022-07-12
Applicant: 江苏芯梦半导体设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多频率兆声波耦合晶圆清洗设备及其具有的多频喷射装置。其中清洗设备包括清洗模块，清洗模块包括多频喷射装置，多频喷射装置包括第一支架与多频喷射主体，第一支架设于工作台上，多频喷射主体固设于第一支架上。多频喷射主体具有至少两个喷射部，每个喷射部均具有中空的流体腔，不同的流体腔相互独立，每个喷射部还具有喷嘴及兆声波组件，每个喷嘴均与对应的流体腔相连通，且每个喷嘴均沿上下方向延伸并位于对应的流体腔的下方，多个喷嘴的轴心线自上而下逐渐汇聚，不同的兆声波组件用于产生不同频率的兆声流体。本发明能够实现多种频率兆声流体的耦合，在一个工艺过程中去除晶圆表面不同粒径尺寸的颗粒，提高晶圆加工的良率。
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公开(公告)号：CN114823430A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210737933.3
申请日：2022-06-28
Applicant: 江苏芯梦半导体设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于晶圆清洗的设备及方法，设备包括工作台、设置在工作台上的载台及清洗喷射装置，清洗喷射装置包括喷嘴架、固设于喷嘴架上的喷嘴主体，以及分别与喷嘴主体相连通的第一流体管、第二流体管第三流体管。其中，喷嘴主体具有分别沿上下方向延伸的第一流体通道与第二流体通道，第二流体通道环设于第一流体通道的周部，第一流体通道下端部具有第一出口，第二流体通道下端部具有第二出口。方法依次包括如下步骤：S1、第一出口和/或第二出口喷射水；S2、第一出口喷射氮气与水的混合流体，第二出口喷射氮气或水；S3、第一出口喷射氮气。本发明优化了清洗喷射装置的结构及设备整体的空间布局，结构简单、控制方便、清洗效率高。
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公开(公告)号：CN115020302A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210828946.1
申请日：2022-07-15
Applicant: 江苏芯梦半导体设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶圆存放盒的清洗烘干设备及清洗烘干方法，清洗烘干设备包括机架、机械手、上料装置、清洗装置、烘干装置和下料装置，清洗装置和烘干装置上分别设置相应的旋钮机构和定位机构，可以在将晶圆存放盒进行清洗和烘干时，将晶圆存放盒的盖子和盒体分开，使二者相对独立不盖合，可以对盒体和盖子进行充分的清洗和烘干，保证清洁程度，同时晶圆存放盒烘干过程中通过提高氮气环境，并在真空环境下，可以降低液体沸点，提高烘干效率，避免缝隙中水分残留，具有优异的烘干效果。
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公开(公告)号：CN114823431B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210737956.4
申请日：2022-06-28
Applicant: 江苏芯梦半导体设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于清洗晶圆的喷射装置，包括喷嘴架及喷嘴主体。喷嘴主体具有分别沿上下方向延伸的第一流体通道与第二流体通道，第二流体通道环设于第一流体通道的周部，两者之间通过环形壁间隔开。喷嘴主体还具有位于下端部的第一出口与第二出口，第一出口与第一流体通道相连通，第二出口与第二流体通道相连通，第二出口环设于第一出口的周部。喷射装置还包括一端部与第一流体通道相连通的第一流体管、一端部与第二流体通道相连通第二流体管、一端部与第一流体通道和/或第二流体通道相连通的第三流体管。该喷射装置集成了气液清洗功能，同时具备喷射液体、气体或气液混合体等多种清洗模式，有助于缩短清洗时间，提升工业产能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114871199A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210811801.0
申请日：2022-07-12
Applicant: 江苏芯梦半导体设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多频率兆声波耦合晶圆清洗设备及其具有的多频喷射装置。其中清洗设备包括清洗模块，清洗模块包括多频喷射装置，多频喷射装置包括第一支架与多频喷射主体，第一支架设于工作台上，多频喷射主体固设于第一支架上。多频喷射主体具有至少两个喷射部，每个喷射部均具有中空的流体腔，不同的流体腔相互独立，每个喷射部还具有喷嘴及兆声波组件，每个喷嘴均与对应的流体腔相连通，且每个喷嘴均沿上下方向延伸并位于对应的流体腔的下方，多个喷嘴的轴心线自上而下逐渐汇聚，不同的兆声波组件用于产生不同频率的兆声流体。本发明能够实现多种频率兆声流体的耦合，在一个工艺过程中去除晶圆表面不同粒径尺寸的颗粒，提高晶圆加工的良率。
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公开(公告)号：CN114300384A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111544648.1
申请日：2021-12-16
Applicant: 江苏芯梦半导体设备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种晶圆单面蚀刻设备，包括加工台，加工台上间隔地开设有多个用于水平放置待蚀刻的晶圆的圆形的摆片口，蚀刻设备还包括设于加工台上方的遮挡盖、设于加工台下方且具有封闭的内腔的喷雾槽，以及设于加工台下方的酸雾供给装置，喷雾槽的内腔与所有的摆片口相连通，酸雾供给装置包括用于向上喷雾的喷雾管路，喷雾管路设置在喷雾槽中，遮挡盖具有朝向加工台的遮挡面，遮挡盖具有打开状态与遮挡状态，当遮挡盖处于遮挡状态下，遮挡面覆盖在所有的摆片口的上方，且遮挡面贴合在所有的晶圆的上表面上。该蚀刻设备结构简单、占用空间小，安装便捷、操作方便、运行平稳，能够显著降低生产运行及维护成本。
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公开(公告)号：CN116844941B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311105350.X
申请日：2023-08-30
Applicant: 江苏芯梦半导体设备有限公司
Abstract: 本发明涉及一种芯片堆叠结构清洗方法及清洗设备，方法包括：S1、根据所述芯片堆叠结构的缝隙参数，确定所述清洗腔内的工作压力；开启真空泵，抽取清洗腔内的气体，以使所述清洗腔处于负压状态；其中，所述清洗腔内容纳有芯片堆叠结构；S2、在所述清洗腔处于负压状态下，并在无超声及无兆声下，控制喷嘴朝向所述芯片堆叠结构喷淋清洗液。本发明的方法，在负压状态下对芯片堆叠结构进行喷淋清洗，使得清洗液能够充分地进入芯片堆叠结构的缝隙里，有利于缝隙内的污染物与清洗液充分接触，提高清洗效果，还能够有效地避免清洗对芯片堆叠结构的表面造成破坏。
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公开(公告)号：CN115404467A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211072453.6
申请日：2022-09-02
Applicant: 江苏芯梦半导体设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种全自动化学镀系统及化学镀方法，用于对于铝基晶圆与铜基晶圆进行化学镀。化学镀系统包括第一模块、第二模块、第三模块、第一中转工位、第二中转工位、第一传输装置、第二传输装置及第三传输装置。其中，第一模块包括沿第一方向依次设置的第一上下料单元及第一预处理单元，第二模块包括沿第一方向依次设置的第二上下料单元及第二预处理单元，第三模块包括沿第二方向依次设置的镀镍单元、镀钯单元、浸金单元及干燥单元，第一方向与第二方向相交。第一模块、第二模块与第三模块之间围设形成设备空间，附属模块设于设备空间中。本发明可以将大型化学镀设备集成小型化，降低投资成本、减小占地面积，便于对化学镀工艺的综合控制。
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公开(公告)号：CN114823430B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210737933.3
申请日：2022-06-28
Applicant: 江苏芯梦半导体设备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于晶圆清洗的设备及方法，设备包括工作台、设置在工作台上的载台及清洗喷射装置，清洗喷射装置包括喷嘴架、固设于喷嘴架上的喷嘴主体，以及分别与喷嘴主体相连通的第一流体管、第二流体管第三流体管。其中，喷嘴主体具有分别沿上下方向延伸的第一流体通道与第二流体通道，第二流体通道环设于第一流体通道的周部，第一流体通道下端部具有第一出口，第二流体通道下端部具有第二出口。方法依次包括如下步骤：S1、第一出口和/或第二出口喷射水；S2、第一出口喷射氮气与水的混合流体，第二出口喷射氮气或水；S3、第一出口喷射氮气。本发明优化了清洗喷射装置的结构及设备整体的空间布局，结构简单、控制方便、清洗效率高。
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