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公开(公告)号:CN115219578B
公开(公告)日:2023-11-17
申请号:CN202210861597.3
申请日:2022-07-20
Applicant: 江南大学
IPC: G01N27/416
Abstract: 本发明公开了一种检测新冠病毒的GaN传感器及检测方法,可以用于日常生活中较为即时的新冠病毒检测。该GaN传感器包括栅极区域、源极、漏极、铝镓氮层、氮化镓层、缓冲层,衬底层。而该检测器核心部分是在栅极区域加上与新冠病毒S蛋白能进行吸附的有机触媒层,通过S蛋白与触媒的吸附引起的栅极电位变化,进而控制流过晶体管的电流达到检测新冠病毒的目的。本发明对于日常的核酸检测提供了新思路,并能通过流过晶体管的电流大小直观判断新冠病毒的浓度大小。
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公开(公告)号:CN115219578A
公开(公告)日:2022-10-21
申请号:CN202210861597.3
申请日:2022-07-20
Applicant: 江南大学
IPC: G01N27/416
Abstract: 本发明公开了一种检测新冠病毒的GaN传感器及检测方法,可以用于日常生活中较为即时的新冠病毒检测。该GaN传感器包括栅极区域、源极、漏极、铝镓氮层、氮化镓层、缓冲层,衬底层。而该检测器核心部分是在栅极区域加上与新冠病毒S蛋白能进行吸附的有机触媒层,通过S蛋白与触媒的吸附引起的栅极电位变化,进而控制流过晶体管的电流达到检测新冠病毒的目的。本发明对于日常的核酸检测提供了新思路,并能通过流过晶体管的电流大小直观判断新冠病毒的浓度大小。
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公开(公告)号:CN115274838A
公开(公告)日:2022-11-01
申请号:CN202210905165.8
申请日:2022-07-29
Applicant: 江南大学
IPC: H01L29/73 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/40 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了一种带有结终端场板结构的氮化镓晶体管的制作方法,属于微电子器件技术领域。可用于解决击穿电压低、器件易损坏、可靠性差的问题,扩展了器件的使用环境。其自下而上包括衬底(1)、缓冲层(2)、氮化镓层(3)、铝镓氮层(4)及欧姆金属层、肖特基金属层(6),该肖特基金属层的栅极与铝镓氮层之间增设有p型层(5);并在p型层和栅极的上方及两端设有氮化硅/氧化铝/二氧化硅钝化层(7);在钝化介质层的上方及靠近漏极一端设有金属场板层(8),该金属场板层采用结终端场板结构,本发明提高了氮化镓晶体管的反向击穿电压。
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