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公开(公告)号：CN117539079A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311427743.2
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电光调制器技术领域，具体涉及一种t型电极铌酸锂电光调制器及设计方法，包括衬底、缓冲层、光波导、金属电极和过渡层，光波导为X或Y型切割LN薄膜，采用传统的脊状结构，光波导粘接在衬底上的厚SiO2缓冲层上，薄膜可以通过多种工艺制备，如离子注入、晶圆键合和热切片，金属电为t型金属电极，可有效降低电损耗，获得高带宽，为了提高电光重叠系数，减少光吸收损失，使用0.2um的二氧化硅过渡层连接金属电极和光波导，金属电极沿光波导的Z轴排列，t型电极铌酸锂电光调制器在1cm调制长度下实现了近1.4V的半波电压，对电光调制器的设计具有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN117518534A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311480895.9
申请日：2023-11-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光通信器件领域，具体涉及一种新型电极下沉式薄膜铌酸锂调制器，包括衬底层、低折射率下盖层、薄膜铌酸锂层、低折射率上盖层和电极组件；低折射率下盖层与衬底层连接，并位于衬底层的一侧，薄膜铌酸锂层与低折射率下盖层连接，并位于低折射率下盖层远离衬底层的一侧，低折射率上盖层与薄膜铌酸锂层连接，并位于薄膜铌酸锂层远离低折射率下盖层的一侧，电极组件设置在薄膜铌酸锂层上，并位于薄膜铌酸锂层与低折射率上盖层之间，电极组件采用下沉式设计，这样使得薄膜铌酸锂层形成阶梯式的结构，其脊波导可以更紧密地限制光学模式，对损耗有显著影响，使其减少数量级。
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公开(公告)号：CN117615579A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311429465.4
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
IPC: H10B53/30
Abstract: 本发明涉及微电子存储器技术领域，具体涉及一种无铅BaTiO3铁电存储器及其制备方法，包括使用丙酮、无水乙醇和去离子水依次对SrTiO3衬底超声清洗后吹干；将吹干后的SrTiO3衬底放入预设温度的脉冲激光沉积系统腔室，并通入氧气，使用La0.65Sr0.35MnO3缓冲层制备得到薄膜；对所述薄膜进行原位退火后降温取出；遮住部分所述薄膜，再次送入脉冲激光沉积系统腔室，使用1.1％wt Nb：SrTiO3制备得到底电极层；对所述底电极层通入氧气使用BaTiO3制备得到BaTiO3铁电功能氧化物层；对所述BaTiO3铁电功能氧化物层进行原位退火后降温取出；将取出的BaTiO3铁电功能氧化物层使用lift‑off工艺以及射频磁控溅射生长Pt上电极层，得到无铅BaTiO3铁电存储器，解决了现有的闪存的浮栅电容数据的读取具有破坏性的问题。
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公开(公告)号：CN117518354A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311480597.X
申请日：2023-11-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及铌酸锂光子芯片技术领域，具体涉及一种三叉戟结构薄膜铌酸锂模斑转换器，包括衬底、氧化物层、氮氧化硅波导和铌酸锂波导，铌酸锂波导在氮氧化硅波导内为三叉戟结构，传输部分为锥形结构。通过铌酸锂波导宽度的逐渐增大，波导对于光的限制作用增强，当波导宽度增大到一定程度时，光被限制在波导中，光斑尺寸随之减小，实现光纤与波导之间两种模斑的高效耦合，经过优化设计模斑转换器传输过程的透过率为0.99，三叉戟结构的铌酸锂波导和引用氮氧化硅波导更方便的与光纤连接，提高了耦合效率。
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公开(公告)号：CN119776773A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411877105.5
申请日：2024-12-18
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本申请提供一种镓铟氧化物薄膜及其制备方法，该镓铟氧化物薄膜通过脉冲激光沉积法基于一衬底制备并包括主外延层和缓冲层，缓冲层连接在衬底与主外延层之间，且主外延层和缓冲层的化学式均为(Ga1‑xInx)2O3，其中，0.1≤x≤0.5。该制备方法包括：提供一衬底；通过脉冲激光沉积法在衬底上沉积一层镓铟氧化物的缓冲层，得到中间产物；通过脉冲激光沉积法在缓冲层上再沉积一层镓铟氧化物的主外延层，制得镓铟氧化物薄膜。本申请通过在主外延层制备之前先制备一层薄的缓冲层，可提升薄膜的结晶质量，改善薄膜缺陷密度高等问题，减少镓铟氧化物薄膜缺陷，从而获得高质量的镓铟氧化物薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119710621A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411885009.5
申请日：2024-12-19
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: 本申请提供一种基于雾化学气相沉积制备镓铟氧化物薄膜的方法，该方法包括配置含有镓离子和铟离子的前驱体溶液，并取适量前驱体溶液放入超声雾化罐中；将一衬底放入管式炉的生长腔中，启动管式炉升温至预设温度，同时向生长腔中通入氮气；待管式炉升温至预设温度后启动超声雾化罐以对前驱体溶液进行雾化，雾化气体从管式炉的进气端进入生长腔，同时向生长腔内通入氮气和氧气的混合气体，生长腔内开始进行气相沉积反应；气相沉积反应一定时间后，管式炉降至室温，衬底上生长得到镓铟氧化物薄膜，化学式为(Ga1‑xInx)2O3，其中，0.1≤x≤0.5。该方法具有工艺步骤简单、薄膜结晶质量高、可见光透过率好、制备成本低等优点。
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公开(公告)号：CN119667330A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411799326.5
申请日：2024-12-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本发明涉及薄膜铌酸锂调制器技术领域，具体涉及一种基于低频信号测量薄膜铌酸锂调制器高频下半波电压的测试方法，通过信号发生器在待测薄膜铌酸锂调制器射频端输入锯齿波，将示波器的波形图放大，通过调整输入锯齿波的幅值和偏置点，使探测器输出的波形上升沿出现被分割的半个周期的正弦波，此时，该正弦波波峰和波谷两点处对应锯齿波的电压的差值则为该调制器的半波电压，通过该正弦波的周期可以计算得到该半波电压对应的频率，该方法通过输入低频锯齿波，测量高频处薄膜铌酸锂调制器半波电压的方法，解决了现有的常规测试方法在测量高频下的半波电压中存在的精度低、测试耗时长、对测试仪器要求高的问题。
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公开(公告)号：CN119628747A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411770731.4
申请日：2024-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: H04B10/50 , H04B10/516 , H04B10/25 , H04B10/80 , H04Q9/00
Abstract: 本发明公开一种基于智能学习的薄膜铌酸锂调制器控制系统及运行方法，系统包括激光器、薄膜铌酸锂调制器、光耦合器、光纤、光电探测器、增益控制模块、模数转换器、数模转换器、信号处理模块、温度采集模块、功率采集模块、滤波器和放大器。方案对薄膜铌酸锂调制器的温度、输出功率、激光器输入功率进行实时采集，检测是否超出知识库范围，没有则运算分析；超出则进入智能学习；运算产生的决策结果与输出结果进行对比，达到目标进入新一轮流程，未达到目标进入直流偏置控制策略，通过控制字和数模转换形成反馈信号，调整Vbias与输出结果进行比较，达到目标进入新一轮流程，未达到目标再次进入直流偏置控制策略，直到调制器达到最佳工作状态。
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公开(公告)号：CN118243613A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410255756.4
申请日：2024-03-06
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及一种基于模式转换的高温度稳定性级联双环传感结构，包括可调谐激光器阵列、级联双环传感结构阵列、贴片式探测器阵列、微流装置和待测溶液，级联双环传感结构中包含参考环和传感环，通过在参考环和传感环上加入微流通道，并在微流通道中通入待测溶液，降低外界环境温度变化对传感信号的影响；集成可调谐激光器阵列发出的光直接通过波导输入级联双环传感结构阵列中，没有端面耦合或垂直耦合产生大的损耗，具有高的输入光强；利用贴片式探测器接收输出光谱，与利用光纤阵列输出光能量的方式相比降低了对光难度、增加了芯片利用程度。此外结合耐高温和耐腐蚀性质的微流通道材料，延长使用寿命，降低使用成本。
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公开(公告)号：CN119165678A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410966808.9
申请日：2024-07-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本发明涉及电光调制器技术领域，具体涉及L型行波电极结构的薄膜铌酸锂电光调制器及设计方法，利用HFSS对电光调制器的结构参数进行扫描，得到电极微波速度、微波损耗和S参数；利用HFSS对最终优化的电光调制器进行有限元法计算，得到电光调制器的群速度、微波损耗、射频S参数和电光响应。本发明设计的电光调制器可以有效降低波导损耗，通过设计的行波电极结构具有较小的回波损耗及较大的增益，电光调制器在1cm调制长度下表现出远大于60Ghz的电光带宽对电光调制器，从而解决了现有的电光调制器吸收损耗较大和调制效率较低的问题。
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