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公开(公告)号：CN117518534A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311480895.9
申请日：2023-11-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光通信器件领域，具体涉及一种新型电极下沉式薄膜铌酸锂调制器，包括衬底层、低折射率下盖层、薄膜铌酸锂层、低折射率上盖层和电极组件；低折射率下盖层与衬底层连接，并位于衬底层的一侧，薄膜铌酸锂层与低折射率下盖层连接，并位于低折射率下盖层远离衬底层的一侧，低折射率上盖层与薄膜铌酸锂层连接，并位于薄膜铌酸锂层远离低折射率下盖层的一侧，电极组件设置在薄膜铌酸锂层上，并位于薄膜铌酸锂层与低折射率上盖层之间，电极组件采用下沉式设计，这样使得薄膜铌酸锂层形成阶梯式的结构，其脊波导可以更紧密地限制光学模式，对损耗有显著影响，使其减少数量级。
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公开(公告)号：CN119472090A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411704435.4
申请日：2024-11-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种内嵌式微结构电极薄膜铌酸锂调制器，包括光学结构和电学结构，光学结构从下至上依次包括衬底层、下盖层、薄膜铌酸锂层和上盖层；薄膜铌酸锂层上形成有脊波导，脊波导的两侧开设有内嵌槽；电学结构为基于地电极‑信号电极‑地电极组成的微结构行波电极，地电极包括主电极和阵列排布在主电极内侧、且与主电极连接的T电极，信号电极包括主电极和阵列排布在主电极两侧、且与主电极连接的T电极；T电极包括横段和与其垂直连接的竖段；微结构行波电极设置在薄膜铌酸锂层和上盖层之间，并且T电极的横段嵌入内嵌槽中。本发明解决了薄膜铌酸锂调制器中微结构电极间距近则产生较大波导损耗的问题；并且提高了其调制效率。
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公开(公告)号：CN119628747A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411770731.4
申请日：2024-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: H04B10/50 , H04B10/516 , H04B10/25 , H04B10/80 , H04Q9/00
Abstract: 本发明公开一种基于智能学习的薄膜铌酸锂调制器控制系统及运行方法，系统包括激光器、薄膜铌酸锂调制器、光耦合器、光纤、光电探测器、增益控制模块、模数转换器、数模转换器、信号处理模块、温度采集模块、功率采集模块、滤波器和放大器。方案对薄膜铌酸锂调制器的温度、输出功率、激光器输入功率进行实时采集，检测是否超出知识库范围，没有则运算分析；超出则进入智能学习；运算产生的决策结果与输出结果进行对比，达到目标进入新一轮流程，未达到目标进入直流偏置控制策略，通过控制字和数模转换形成反馈信号，调整Vbias与输出结果进行比较，达到目标进入新一轮流程，未达到目标再次进入直流偏置控制策略，直到调制器达到最佳工作状态。
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公开(公告)号：CN119667330A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411799326.5
申请日：2024-12-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本发明涉及薄膜铌酸锂调制器技术领域，具体涉及一种基于低频信号测量薄膜铌酸锂调制器高频下半波电压的测试方法，通过信号发生器在待测薄膜铌酸锂调制器射频端输入锯齿波，将示波器的波形图放大，通过调整输入锯齿波的幅值和偏置点，使探测器输出的波形上升沿出现被分割的半个周期的正弦波，此时，该正弦波波峰和波谷两点处对应锯齿波的电压的差值则为该调制器的半波电压，通过该正弦波的周期可以计算得到该半波电压对应的频率，该方法通过输入低频锯齿波，测量高频处薄膜铌酸锂调制器半波电压的方法，解决了现有的常规测试方法在测量高频下的半波电压中存在的精度低、测试耗时长、对测试仪器要求高的问题。
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