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公开(公告)号：CN119710621A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411885009.5
申请日：2024-12-19
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: 本申请提供一种基于雾化学气相沉积制备镓铟氧化物薄膜的方法，该方法包括配置含有镓离子和铟离子的前驱体溶液，并取适量前驱体溶液放入超声雾化罐中；将一衬底放入管式炉的生长腔中，启动管式炉升温至预设温度，同时向生长腔中通入氮气；待管式炉升温至预设温度后启动超声雾化罐以对前驱体溶液进行雾化，雾化气体从管式炉的进气端进入生长腔，同时向生长腔内通入氮气和氧气的混合气体，生长腔内开始进行气相沉积反应；气相沉积反应一定时间后，管式炉降至室温，衬底上生长得到镓铟氧化物薄膜，化学式为(Ga1‑xInx)2O3，其中，0.1≤x≤0.5。该方法具有工艺步骤简单、薄膜结晶质量高、可见光透过率好、制备成本低等优点。
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公开(公告)号：CN117692178A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311571608.5
申请日：2023-11-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本发明涉及网络安全技术领域，具体涉及一种光网络安全保护方法，包括通过部署在光网络中的采集设备，收集网络中的数据流量和操作行为，生成原始数据集；对所述原始数据集进行预处理，得到用于深度学习模型训练的特征向量；使用深度学习模型对所述特征向量进行训练，得到光网络安全保护模型；将实时采集的网络数据输入所述光网络安全保护模型中进行分析和判断，检测是否存在安全威胁，得到检测结果；若所述检测结果中存在安全威胁，则系统将自动采取相应的响应措施，本发明通过收集网络中的原始数据，利用深度学习算法对数据进行处理和分析，可以有效地检测和应对各种光网络安全威胁，提高数据传输的安全性和稳定性。
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公开(公告)号：CN117705057A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311529093.2
申请日：2023-11-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本发明涉及建筑施工技术领域，具体涉及一种高支模安全监测方法及设备，包括纵向光纤倾角仪、横向光纤倾角仪和供电组件，供电组件包括安装板、安装箱、储能电池和发电构件，安装板位于纵向光纤倾角仪的下方，安装箱与安装板固定连接，储能电池位于安装箱的内部，发电构件与安装箱连接。通过纵向光纤倾角仪和横向光纤倾角仪进行实时监测高支模体系的倾斜度，提前预警，监测过程中出现断电时，储能电池进行供电，储能电池放置在安装箱内，安装箱通过安装板设置在纵向光纤倾角仪的下方，通过发电构件发电，而电能储存在储能电池内，进而保障纵向光纤倾角仪和横向光纤倾角仪的持续且稳定的供电，避免无法及时预警的情况发生。
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公开(公告)号：CN117615579A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311429465.4
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
IPC: H10B53/30
Abstract: 本发明涉及微电子存储器技术领域，具体涉及一种无铅BaTiO3铁电存储器及其制备方法，包括使用丙酮、无水乙醇和去离子水依次对SrTiO3衬底超声清洗后吹干；将吹干后的SrTiO3衬底放入预设温度的脉冲激光沉积系统腔室，并通入氧气，使用La0.65Sr0.35MnO3缓冲层制备得到薄膜；对所述薄膜进行原位退火后降温取出；遮住部分所述薄膜，再次送入脉冲激光沉积系统腔室，使用1.1％wt Nb：SrTiO3制备得到底电极层；对所述底电极层通入氧气使用BaTiO3制备得到BaTiO3铁电功能氧化物层；对所述BaTiO3铁电功能氧化物层进行原位退火后降温取出；将取出的BaTiO3铁电功能氧化物层使用lift‑off工艺以及射频磁控溅射生长Pt上电极层，得到无铅BaTiO3铁电存储器，解决了现有的闪存的浮栅电容数据的读取具有破坏性的问题。
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公开(公告)号：CN119667330A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411799326.5
申请日：2024-12-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本发明涉及薄膜铌酸锂调制器技术领域，具体涉及一种基于低频信号测量薄膜铌酸锂调制器高频下半波电压的测试方法，通过信号发生器在待测薄膜铌酸锂调制器射频端输入锯齿波，将示波器的波形图放大，通过调整输入锯齿波的幅值和偏置点，使探测器输出的波形上升沿出现被分割的半个周期的正弦波，此时，该正弦波波峰和波谷两点处对应锯齿波的电压的差值则为该调制器的半波电压，通过该正弦波的周期可以计算得到该半波电压对应的频率，该方法通过输入低频锯齿波，测量高频处薄膜铌酸锂调制器半波电压的方法，解决了现有的常规测试方法在测量高频下的半波电压中存在的精度低、测试耗时长、对测试仪器要求高的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117834001A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311602803.X
申请日：2023-11-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所
IPC: H04B10/071 , H04B10/079
Abstract: 本发明涉及网络通信技术领域，具体涉及一种网络光纤检测装置及方法，根据实际需求选择相应的检测装置，根据实际网络拓扑结构和测试需求，确定测试的光纤链路和测试点，按照测试规范和操作流程，对每个测试点进行光纤链路损耗测试和故障定位测试，根据测试结果进行分析和评估，提出维护和优化建议，对于丢失或需要查找的光缆，使用光缆普查仪进行查找，对于FTTHPON网络，使用PON光功率计进行网络测试，确保网络通信要求得到满足。对光纤通信系统的光纤链路进行全面、准确、高效的检测，以确保系统的正常运行，包括光纤链路损耗测试、光纤故障定位测试以及查找光缆，满足用户需求。
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公开(公告)号：CN117539079A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311427743.2
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及电光调制器技术领域，具体涉及一种t型电极铌酸锂电光调制器及设计方法，包括衬底、缓冲层、光波导、金属电极和过渡层，光波导为X或Y型切割LN薄膜，采用传统的脊状结构，光波导粘接在衬底上的厚SiO2缓冲层上，薄膜可以通过多种工艺制备，如离子注入、晶圆键合和热切片，金属电为t型金属电极，可有效降低电损耗，获得高带宽，为了提高电光重叠系数，减少光吸收损失，使用0.2um的二氧化硅过渡层连接金属电极和光波导，金属电极沿光波导的Z轴排列，t型电极铌酸锂电光调制器在1cm调制长度下实现了近1.4V的半波电压，对电光调制器的设计具有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN117518534A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311480895.9
申请日：2023-11-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光通信器件领域，具体涉及一种新型电极下沉式薄膜铌酸锂调制器，包括衬底层、低折射率下盖层、薄膜铌酸锂层、低折射率上盖层和电极组件；低折射率下盖层与衬底层连接，并位于衬底层的一侧，薄膜铌酸锂层与低折射率下盖层连接，并位于低折射率下盖层远离衬底层的一侧，低折射率上盖层与薄膜铌酸锂层连接，并位于薄膜铌酸锂层远离低折射率下盖层的一侧，电极组件设置在薄膜铌酸锂层上，并位于薄膜铌酸锂层与低折射率上盖层之间，电极组件采用下沉式设计，这样使得薄膜铌酸锂层形成阶梯式的结构，其脊波导可以更紧密地限制光学模式，对损耗有显著影响，使其减少数量级。
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公开(公告)号：CN119776773A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411877105.5
申请日：2024-12-18
Applicant: 桂林电子科技大学 , 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本申请提供一种镓铟氧化物薄膜及其制备方法，该镓铟氧化物薄膜通过脉冲激光沉积法基于一衬底制备并包括主外延层和缓冲层，缓冲层连接在衬底与主外延层之间，且主外延层和缓冲层的化学式均为(Ga1‑xInx)2O3，其中，0.1≤x≤0.5。该制备方法包括：提供一衬底；通过脉冲激光沉积法在衬底上沉积一层镓铟氧化物的缓冲层，得到中间产物；通过脉冲激光沉积法在缓冲层上再沉积一层镓铟氧化物的主外延层，制得镓铟氧化物薄膜。本申请通过在主外延层制备之前先制备一层薄的缓冲层，可提升薄膜的结晶质量，改善薄膜缺陷密度高等问题，减少镓铟氧化物薄膜缺陷，从而获得高质量的镓铟氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN119472090A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411704435.4
申请日：2024-11-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种内嵌式微结构电极薄膜铌酸锂调制器，包括光学结构和电学结构，光学结构从下至上依次包括衬底层、下盖层、薄膜铌酸锂层和上盖层；薄膜铌酸锂层上形成有脊波导，脊波导的两侧开设有内嵌槽；电学结构为基于地电极‑信号电极‑地电极组成的微结构行波电极，地电极包括主电极和阵列排布在主电极内侧、且与主电极连接的T电极，信号电极包括主电极和阵列排布在主电极两侧、且与主电极连接的T电极；T电极包括横段和与其垂直连接的竖段；微结构行波电极设置在薄膜铌酸锂层和上盖层之间，并且T电极的横段嵌入内嵌槽中。本发明解决了薄膜铌酸锂调制器中微结构电极间距近则产生较大波导损耗的问题；并且提高了其调制效率。
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