公开(公告)号：CN117539079A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311427743.2

申请日：2023-10-31

Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所 ,  桂林电子科技大学

Inventor： 谢仕锋 ,  杨佳宇 ,  李跃 ,  杨万里 ,  欧阳竑 ,  谢佳一

IPC: G02F1/035 ,  G02F1/03 ,  G02B27/00

Abstract: 本发明涉及电光调制器技术领域，具体涉及一种t型电极铌酸锂电光调制器及设计方法，包括衬底、缓冲层、光波导、金属电极和过渡层，光波导为X或Y型切割LN薄膜，采用传统的脊状结构，光波导粘接在衬底上的厚SiO2缓冲层上，薄膜可以通过多种工艺制备，如离子注入、晶圆键合和热切片，金属电为t型金属电极，可有效降低电损耗，获得高带宽，为了提高电光重叠系数，减少光吸收损失，使用0.2um的二氧化硅过渡层连接金属电极和光波导，金属电极沿光波导的Z轴排列，t型电极铌酸锂电光调制器在1cm调制长度下实现了近1.4V的半波电压，对电光调制器的设计具有重要的指导意义。

公开(公告)号：CN117518534A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202311480895.9

申请日：2023-11-08

Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所 ,  桂林电子科技大学

Inventor： 杨万里 ,  李翰宇 ,  李海鸥 ,  尹怡辉 ,  谢仕锋 ,  李跃 ,  谢佳一

IPC: G02F1/03 ,  G02F1/035 ,  G02B6/12

Abstract: 本发明涉及光通信器件领域，具体涉及一种新型电极下沉式薄膜铌酸锂调制器，包括衬底层、低折射率下盖层、薄膜铌酸锂层、低折射率上盖层和电极组件；低折射率下盖层与衬底层连接，并位于衬底层的一侧，薄膜铌酸锂层与低折射率下盖层连接，并位于低折射率下盖层远离衬底层的一侧，低折射率上盖层与薄膜铌酸锂层连接，并位于薄膜铌酸锂层远离低折射率下盖层的一侧，电极组件设置在薄膜铌酸锂层上，并位于薄膜铌酸锂层与低折射率上盖层之间，电极组件采用下沉式设计，这样使得薄膜铌酸锂层形成阶梯式的结构，其脊波导可以更紧密地限制光学模式，对损耗有显著影响，使其减少数量级。

公开(公告)号：CN118243613A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410255756.4

申请日：2024-03-06

Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所

Inventor： 谢佳一 ,  谢仕锋 ,  尹怡辉 ,  杨万里 ,  欧阳竑 ,  戴丰羽 ,  吴锦虹 ,  吴涛 ,  李跃

IPC: G01N21/01 ,  G01N21/41

Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及一种基于模式转换的高温度稳定性级联双环传感结构，包括可调谐激光器阵列、级联双环传感结构阵列、贴片式探测器阵列、微流装置和待测溶液，级联双环传感结构中包含参考环和传感环，通过在参考环和传感环上加入微流通道，并在微流通道中通入待测溶液，降低外界环境温度变化对传感信号的影响；集成可调谐激光器阵列发出的光直接通过波导输入级联双环传感结构阵列中，没有端面耦合或垂直耦合产生大的损耗，具有高的输入光强；利用贴片式探测器接收输出光谱，与利用光纤阵列输出光能量的方式相比降低了对光难度、增加了芯片利用程度。此外结合耐高温和耐腐蚀性质的微流通道材料，延长使用寿命，降低使用成本。