公开(公告)号：CN119776773A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411877105.5

申请日：2024-12-18

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  中国电子科技集团公司第三十四研究所

Inventor： 张法碧 ,  曾子文 ,  周娟 ,  李海鸥 ,  孙堂友 ,  刘兴鹏 ,  王阳培华 ,  陈赞辉 ,  首美花 ,  谢仕锋 ,  李跃 ,  杨万里

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/08 ,  C23C14/02 ,  H10F77/12

Abstract: 本申请提供一种镓铟氧化物薄膜及其制备方法，该镓铟氧化物薄膜通过脉冲激光沉积法基于一衬底制备并包括主外延层和缓冲层，缓冲层连接在衬底与主外延层之间，且主外延层和缓冲层的化学式均为(Ga1‑xInx)2O3，其中，0.1≤x≤0.5。该制备方法包括：提供一衬底；通过脉冲激光沉积法在衬底上沉积一层镓铟氧化物的缓冲层，得到中间产物；通过脉冲激光沉积法在缓冲层上再沉积一层镓铟氧化物的主外延层，制得镓铟氧化物薄膜。本申请通过在主外延层制备之前先制备一层薄的缓冲层，可提升薄膜的结晶质量，改善薄膜缺陷密度高等问题，减少镓铟氧化物薄膜缺陷，从而获得高质量的镓铟氧化物薄膜。